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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第129页 > U6264AS1K07LL
U6264A
特点
F
8192 ×8位CMOS静态RAM
F
70和100纳秒访问时间
F
常见的数据输入和
输出
F
三态输出
F
典型值。工作电源电流
F
F
F
F
F
F
F
F
F
F
F
ESD保护> 2000伏
( MIL STD 883C M3015.7 )
F
闭锁抗扰度> 100毫安
F
封装: PDIP28 ( 600万)
描述
标准的8K ×8 SRAM
DQ0 - DQ7 。地址后
变化,数据输出变为高阻
直到新的读出的信息是
可用。的数据输出有没有
最佳状态。如果内存
由CMOS电平的有源驱动
状态,并且如果存在的任何变化
地址,数据输入和控制
信号W或G ,操作电流
租金(在我
O
= 0 mA)的下降到
在工作电流的值
待机模式。 Read周期
由E2或下降沿完成
W或通过E1的上升沿
分别。
数据保存期限保证下
2五除E2的,所有
输入包括NOR门,从而使
没有上拉/下拉电阻
所需。这门电路允许
实现低功耗待机要求一
发言:激活与TTL电平
太。
如果电路是由灭活
E2 = L时,待机电流( TTL)的
下降到150
A
典型值。
SOP28 ( 300万)
SOP28 ( 330万)
70纳秒: 45毫安
为100 ns : 37毫安
数据保持电流
在3 V : < 10
A
(标准)
待机电流标准< 30
A
待机电流低功耗
(L) < 10
A
待机电流极低的功耗
( LL ) < 1
A
待机电流为LL-版
在25
°C
和5 V :典型值。 50 nA的
TTL / CMOS兼容
自动降低功率
耗散在漫长读取或写入
周期
电源电压为5 V
工作温度范围:
0到70
°C
-25到85
°C
-40到85
°C
根据质量评估
CECC 90000 , CECC 90100和
CECC 90111
该U6264A是一个静态RAM制造
采用CMOS工艺factured
技术具有以下ope-
评价方式:
- 阅读
- 待机
- 写
- 数据保留
存储器阵列的基础上的
6晶体管单元。
该电路是由活化的崛起
素E2( E1处= L)或下降沿的边沿
E1的边缘(在E 2 = H)。该
地址和控制输入端开路
同时。根据本
W和G中,数据的信息
输入或输出,是活动的。
在激活状态期间(E1 = L和
E 2 = H)中,每个地址变更
导致一个新的读或写周期。
在读周期,数据输出
通过的下降沿被启动
G,然后需要读取数据字
将可在输出端
引脚配置
北卡罗来纳州
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
VCC
W( WE)
E2 ( CE2 )
A8
A9
A11
G( OE )
A10
E1 ( CE1 )
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
引脚说明
信号名称
A0 - A12
DQ0 - DQ7
E1
E2
G
W
VCC
VSS
北卡罗来纳州
信号说明
地址输入
IN / OUT数据
芯片使能1
芯片使能2
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
没有连接
PDIP
22
SOP
21
20
19
18
17
16
15
顶视图
1997年12月12日
1
U6264A
框图
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A11
A12
A0
A1
A2
A3
A10
行解码器
行地址
输入
记忆细胞
ARRAY
256排x
256列
列地址
输入
列解码器
DQ0
通用数据的I / O
检测放大器/
写控制逻辑
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
地址
变化
探测器
时钟
发电机
E2
E1
1
V
CC
V
SS
W
G
真值表
经营模式
待机/不
内部读
*
H或L
特征
所有电压都参考V
SS
= 0V (接地) 。
所有特征都在该电源电压范围内,并在规定的工作温度范围内有效。
动态测量是基于对一个上升和下降时间
5纳秒,介于10%和90 %的V测量
I
,以及
V的输入电平
IL
= 0 V和V
IH
= 3 V的所有输入和输出信号的定时基准电平为1.5伏,
除吨的
DIS
-times ,在这种情况下,过渡测量
±
200毫伏的稳态电压。
E1
*
H
L
L
L
E2
L
*
H
H
H
W
*
*
H
H
L
G
*
*
H
L
*
DQ0 - DQ7
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出低Z
数据输入高阻
最大额定值
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
C型
G型
K型
符号
V
CC
V
I
V
O
P
D
T
a
分钟。
-0.3
-0.3
-0.3
-
0
-25
-40
-55
马克斯。
7
V
CC
+ 0.5
V
CC
+ 0.5
1
70
85
85
125
单位
V
V
V
W
°C
°C
°C
°C
1997年12月12日
储存温度
T
英镑
2
U6264A
推荐
工作条件
电源电压
数据保持电压
输入低电压*
输入高电压
* -2 V的脉冲宽度为10 ns
符号
V
CC
V
CC ( DR )
V
IL
V
IH
条件
分钟。
4.5
2.0
-0.3
2.2
马克斯。
5.5
单位
V
V
0.8
V
CC
+ 0.3
V
V
电气特性
电源电流 - 运行模式
符号
I
CC ( OP )
V
CC
V
IL
V
IH
t
cW
t
cW
t
cW
t
cW
t
cW
t
cW
I
CC (SB)
条件
= 5.5 V
= 0.8 V
= 2.2 V
= 70纳秒
= 100纳秒
= 70纳秒
= 100纳秒
= 70纳秒
= 100纳秒
= 5.5 V
= V
CC
- 0.2 V
= 0.2 V
分钟。
马克斯。
单位
标准
70
60
70
60
55
45
mA
mA
mA
mA
mA
mA
低功耗(L )
功率非常低( LL )
电源电流 - 待机模式
( CMOS电平)
标准
低功耗(L )
功率非常低( LL )
电源电流 - 待机模式
( TTL电平)
标准
低功耗(L )
功率非常低( LL )
电源电流 - 数据保留
模式
V
CC
V
E1
= V
E2
或V
E2
30
10
1
I
CC(SB)1
V
CC
V
E1
= V
E2
或V
E2
= 5.5 V
= 2.2 V
= 0.2 V
5
5
3
I
CC ( DR )
V
CC ( DR )
V
E1
= V
E2
或V
E2
= 3V
= V
CC ( DR )
- 0.2 V
= 0.2 V
10
10
1
A
A
A
mA
mA
mA
标准
低功耗(L )
功率非常低( LL )
A
A
A
1997年12月12日
3
U6264A
电气特性
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
标准&
低功耗(L )
符号
V
OH
V
OL
V
CC
I
OH
V
CC
I
OL
条件
= 4.5 V
= -1.0毫安
= 4.5 V
= 3.2毫安
分钟。
2.4
0.4
马克斯。
单位
V
V
I
IH
I
IL
V
CC
V
IH
V
CC
V
IL
V
CC
V
IH
V
CC
V
IL
V
CC
V
OH
V
CC
V
OL
= 5.5 V
= 5.5 V
= 5.5 V
= 0V
= 5.5 V
= 5.5 V
= 5.5 V
= 0V
=
=
=
=
4.5
2.4
4.5
0.4
V
V
V
V
2
-2
A
A
A
A
功率非常低( LL )高
输出高电流
输出低电流
输出漏电流
标准&
低功耗(L )
高在三态输出
在低三态输出
功率非常低( LL )
高在三态输出
在低三态输出
I
IH
I
IL
I
OH
I
OL
1
-1
-1
3.2
mA
mA
I
OHZ
I
OLZ
V
CC
V
OH
V
CC
V
OL
V
CC
V
OH
V
CC
V
OL
= 5.5 V
= 5.5 V
= 5.5 V
= 0V
= 5.5 V
= 5.5 V
= 5.5 V
= 0V
2
-2
A
A
A
A
I
OHZ
I
OLZ
1
-1
-
4
1997年12月12日
U6264A
符号
开关特性
Alt键。
时间到输出中低Z
周期
写周期时间
读周期时间
存取时间
低E1或E2 HIGH到数据有效
G低到数据有效
地址到数据有效
脉冲宽度
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
设置时间
地址建立时间
芯片使能写操作的结束
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
从写结束地址保持
从地址输出保持时间
变化
高E1或E2低到产出
高-Z
W低到输出的高阻
摹高到输出的高阻
t
LZ
t
WC
t
RC
t
ACE
t
OE
t
AA
t
WP
t
CW
t
AS
t
CW
t
WP
t
DS
t
DH
t
AH
t
OH
t
HZCE
t
HZWE
t
HZOE
IEC
t
T( QX )
t
cW
t
cR
t
一( E)
t
一( G)
t
a(A)
t
w(W)
t
W( E)
t
SU( A)
t
SU( E)
t
SU( W)
t
SU( D)
t
H( D)
t
H( A)
t
V(A)
t
DIS ( E)
t
DIS ( W)
t
DIS ( G)
07
5
10
5
07
10
10
10
ns
分钟。
马克斯。
单位
70
70
-
-
-
50
65
100
100
-
-
-
70
90
70
40
70
100
50
100
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
0
65
50
35
0
0
5
0
90
70
40
0
0
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
0
0
0
0
0
0
25
30
25
35
35
35
ns
ns
ns
数据保留模式E1-控制
V
CC
4.5 V
V
CC ( DR )
2 V
2.2 V
t
DR
0V
数据保留
t
REC
2.2 V
E1
0
数据保留模式E2-控制
V
CC
V
CC ( DR )
2 V
t
DR
0.8 V
数据保留
V
E2(DR)
0.2 V
t
REC
0.8 V
4.5 V
E2
V
E2(DR)
V
CC ( DR )
- 0.2 V或V
E2(DR)
0.2 V
V
CC ( DR )
- 0.2 V
V
E1(DR)
V
CC ( DR )
+ 0.3 V
芯片取消到数据保留时间
营业恢复时间
t
DR
:
t
REC
:
分0 NS
闵吨
cR
1997年12月12日
5
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    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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