U430/431
Vishay Siliconix公司
匹配的N通道双
产品概述
产品型号
U430
U431
V
GS （ OFF ）
(V)
-1至-4
± 2 ± 6
V
（ BR ） GSS
敏（ V）
–25
–25
g
fs
MIN（ ms）的
10
10
I
G
典型值（PA ）
–15
–15
jV
GS1
– V
GS2
j
典型值（MV ）
25
25
特点
D
D
D
D
D
D
双芯片设计
高转换率
低失调/漂移电压
低栅极漏电流： 15 pA的
低噪音
高CMRR ： 75分贝
好处
D
D
D
D
D
D
紧差分匹配与电流
提高运算放大器的速度，稳定时间精度
最小输入错误/修正要求
微不足道的信号丢失/错误电压
高灵敏度系统
大输入信号的最小误差
应用
D
宽带差分放大器
D
高速，温度补偿的，
单端输入放大器
D
高速比较器
D
阻抗转换器
描述
的U430 / 431匹配装配在TO -78的JFET对
封装。这些器件提供了良好的功率增益，即使在
频率超过250 MHz的。
在TO- 78封装可提供充分的军事处理
（见军事信息） 。
对于类似的产品，见低噪声的U / SST401系列，所述
高增益2N5911 / 5912 ，和低泄漏U421 / 423的数据
床单。
TO-78
S
1
1
7
S
2
G
1
2
6
G
2
3
D
1
4
例
顶视图
5
D
2
绝对最大额定值
栅极 - 漏极，栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25 V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
_C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到200_C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
文档编号： 70249
S- 04031 -REV 。 E， 04军， 01
功耗：
每面
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300毫瓦
总
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫瓦
笔记
一。减免2.4毫瓦/ _C以上25_C
B 。减免4毫瓦/ _C以上25_C
www.vishay.com
8-1
U430/431
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
U430
U431
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
符号
测试条件
典型值
b
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
= –1
毫安，
V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1 NA
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= –15 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 150_C
V
DG
= 10 V，I
D
= 5毫安
–35
–25
–1
12
–4
30
–150
–150
–25
V
–2
24
–6
60
–150
–150
mA
pA
nA
pA
nA
1
1
V
–5
–10
–15
–10
0.8
门工作电流
门源正向电压
I
G
V
GS （ F）
T
A
= 150_C
I
G
= 10 mA时， V
DS
= 0 V
动态
共源
正向跨导
b
共源
输出电导
b
共源
输入电容
共源
反向传输电容
等效输入噪声电压
g
fs
V
DS
= 10 V，I
D
= 10 mA时， F = 1千赫
g
os
C
国际空间站
V
GS
= –10 V, V
DS
= 0 V ， F = 1兆赫
C
RSS
e
n
V
DS
= 10 V，I
D
= 10毫安
F = 100赫兹
2
6
2.5
2.5
nV/
√Hz的
100
4.5
250
5
250
5
pF
15
10
10
mS
mS
高频
共源
正向跨导
共源
输出电导
动力匹配
源导纳
g
fs
g
os
g
ig
V
DS
= 10 V，I
D
= 10毫安
F = 100 MHz的
14
0.13
12
mS
匹配
迪FF erential
栅源电压
饱和漏极
流动比率
c
跨比
c
栅极 - 源
截止电压比
c
差动电流门
共模抑制比
|V
GS1
–V
GS2
|
I
DSS1
I
DSS2
g
fs1
g
fs2
V
GS(off)1
V
GS(off)2
|I
G1
–I
G2
|
CMRR
V
DG
= 10 V，I
D
= 10毫安
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 10 mA时， F = 1千赫
V
DS
= 10 V，I
D
= 1 NA
V
DG
= 10 V，I
D
= 5毫安
V
DG
= 5 10V，我
D
= 10毫安
25
0.95
0.95
0.9
0.9
1
1
0.9
0.9
1
1
mV
0.95
–2
75
0.9
1
0.9
1
pA
dB
NZBD
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
。假定在分子中较小的值。
www.vishay.com
8-2
文档编号： 70249
S- 04031 -REV 。 E， 04军， 01
U430/431
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
漏电流和跨导
与门源截止电压
100
I
DSS
- 饱和漏极电流（mA ）
I
DSS
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
g
fs
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
50
g
fs
- 正向跨导（MS ）
10 nA的
栅极漏电流
T
A
= 125_C
I
G
@ I
D
= 10毫安
200
mA
80
40
1 nA的
I
G
- 栅极泄漏
60
g
fs
40
I
DSS
30
100 pA的
I
GSS
@ 125_C
200
mA
20
10 pA的
10毫安
T
A
= 25_C
1 pA的
I
GSS
@ 25_C
20
10
0
0
–3
–4
–2
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
–1
–5
0
0.1帕
0
3
4
9
12
15
V
DG
- 漏极 - 栅极电压（V ）
导通电阻和输出电导
与门源截止电压
100
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
r
DS
@ I
D
= 1毫安， V
GS
= 0 V
g
os
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1千赫
g
fs
- 正向跨导（MS ）
g
os
- 输出电导（ μS ）
80
240
16
300
20
共源正向跨导
与漏电流
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
T
A
= –55_C
12
25_C
8
125_C
60
180
40
r
DS
g
os
20
120
60
4
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
0
0
0.1
1
I
D
- 漏电流（mA ）
10
跨导与栅源电压
30
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
g
fs
- 正向跨导（MS ）
24
T
A
= –55_C
25_C
18
125_C
12
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
g
fs
- 正向跨导（MS ）
40
50
跨导与栅源电压
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
T
A
= –55_C
30
25_C
20
125_C
10
6
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
0
–0.6
–1.2
–1.8
–2.4
–3
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 70249
S- 04031 -REV 。 E， 04军， 01
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U430/431
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
16
I
D
- 漏电流（mA ）
V
GS
= 0 V
–0.2 V
I
D
- 漏电流（mA ）
40
–0.4 V
30
–0.8 V
–1.2 V
–1.6 V
10
–2.0 V
–2.4 V
0
2
4
6
8
10
50
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
GS
= 0 V
输出特性
12
–0.4 V
8
–0.6 V
–0.8 V
20
4
–1.0 V
0
0
2
4
6
8
10
0
V
DS
- 漏源电压（ V）
V
DS
- 漏源电压（ V）
输出特性
15
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
12
I
D
- 漏电流（mA ）
–0.2 V
9
–0.4 V
6
–0.6 V
3
–0.8 V
–1.0 V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0
0.2
I
D
- 漏电流（mA ）
V
GS
= 0 V
24
30
输出特性
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
GS
= 0 V
18
–0.4 V
–0.8 V
–1.2 V
12
–1.6 V
6
–2.0 V
–2.4 V
0.4
0.6
0.8
1
V
DS
- 漏源电压（ V）
V
DS
- 漏源电压（ V）
传输特性
30
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
24
I
D
- 漏电流（mA ）
I
D
- 漏电流（mA ）
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
80
100
传输特性
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
18
T
A
= –55_C
25_C
60
T
A
= –55_C
25_C
12
40
6
125_C
20
125_C
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2
0
0
–0.6
–1.2
–1.8
–2.4
–3
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
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8-4
文档编号： 70249
S- 04031 -REV 。 E， 04军， 01
U430/431
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
100
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
T
A
= 25_C
80
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
60
A
V
=电压增益
80
100
1
)
R
L
g
os
假设V
DD
= 15 V, V
DS
= 5 V
R
L
+
60
10 V
I
D
A
V
+
g
fs
R
L
电路的电压增益与漏电流
40
–3 V
20
40
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
20
–3 V
0
1
10
I
D
- 漏电流（mA ）
100
0
0.1
1
I
D
- 漏电流（mA ）
10
共源输入电容
与栅源电压
15
RSS - 逆向反馈电容（pF ）
F = 1 MHz的
ISS - 输入电容（pF ）
12
10
共源反向反馈
电容与栅源电压
F = 1 MHz的
8
9
V
DS
= 0 V
6
V
DS
= 0 V
4
6
3
5V
2
5V
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
100
输入导纳与频率的关系
100
V
DG
= 10 V
I
D
= 10毫安
共栅
转发准入与频率的关系
V
DG
= 10 V
I
D
= 10毫安
共栅
–g
fg
10
g
ig
10
（女士）
（女士）
b
ig
b
fg
1
1
0.1
100
200
500
1000
0.1
100
200
500
1000
的F - 频率（MHz ）
的F - 频率（MHz ）
文档编号： 70249
S- 04031 -REV 。 E， 04军， 01
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U430/431
Vishay Siliconix公司
匹配的N通道双
产品概述
产品型号
U430
U431
V
GS （ OFF ）
(V)
-1至-4
± 2 ± 6
V
（ BR ） GSS
敏（ V）
–25
–25
g
fs
MIN（ ms）的
10
10
I
G
典型值（PA ）
–15
–15
jV
GS1
– V
GS2
j
典型值（MV ）
25
25
特点
D
D
D
D
D
D
双芯片设计
高转换率
低失调/漂移电压
低栅极漏电流： 15 pA的
低噪音
高CMRR ： 75分贝
好处
D
D
D
D
D
D
紧差分匹配与电流
提高运算放大器的速度，稳定时间精度
最小输入错误/修正要求
微不足道的信号丢失/错误电压
高灵敏度系统
大输入信号的最小误差
应用
D
宽带差分放大器
D
高速，温度补偿的，
单端输入放大器
D
高速比较器
D
阻抗转换器
描述
的U430 / 431匹配装配在TO -78的JFET对
封装。这些器件提供了良好的功率增益，即使在
频率超过250 MHz的。
在TO- 78封装可提供充分的军事处理
（见军事信息） 。
对于类似的产品，见低噪声的U / SST401系列，所述
高增益2N5911 / 5912 ，和低泄漏U421 / 423的数据
床单。
TO-78
S
1
1
7
S
2
G
1
2
6
G
2
3
D
1
4
例
顶视图
5
D
2
绝对最大额定值
栅极 - 漏极，栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25 V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
_C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到200_C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
文档编号： 70249
S- 04031 -REV 。 E， 04军， 01
功耗：
每面
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300毫瓦
总
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫瓦
笔记
一。减免2.4毫瓦/ _C以上25_C
B 。减免4毫瓦/ _C以上25_C
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8-1
U430/431
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
U430
U431
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
符号
测试条件
典型值
b
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
= –1
毫安，
V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1 NA
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= –15 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 150_C
V
DG
= 10 V，I
D
= 5毫安
–35
–25
–1
12
–4
30
–150
–150
–25
V
–2
24
–6
60
–150
–150
mA
pA
nA
pA
nA
1
1
V
–5
–10
–15
–10
0.8
门工作电流
门源正向电压
I
G
V
GS （ F）
T
A
= 150_C
I
G
= 10 mA时， V
DS
= 0 V
动态
共源
正向跨导
b
共源
输出电导
b
共源
输入电容
共源
反向传输电容
等效输入噪声电压
g
fs
V
DS
= 10 V，I
D
= 10 mA时， F = 1千赫
g
os
C
国际空间站
V
GS
= –10 V, V
DS
= 0 V ， F = 1兆赫
C
RSS
e
n
V
DS
= 10 V，I
D
= 10毫安
F = 100赫兹
2
6
2.5
2.5
nV/
√Hz的
100
4.5
250
5
250
5
pF
15
10
10
mS
mS
高频
共源
正向跨导
共源
输出电导
动力匹配
源导纳
g
fs
g
os
g
ig
V
DS
= 10 V，I
D
= 10毫安
F = 100 MHz的
14
0.13
12
mS
匹配
迪FF erential
栅源电压
饱和漏极
流动比率
c
跨比
c
栅极 - 源
截止电压比
c
差动电流门
共模抑制比
|V
GS1
–V
GS2
|
I
DSS1
I
DSS2
g
fs1
g
fs2
V
GS(off)1
V
GS(off)2
|I
G1
–I
G2
|
CMRR
V
DG
= 10 V，I
D
= 10毫安
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 10 mA时， F = 1千赫
V
DS
= 10 V，I
D
= 1 NA
V
DG
= 10 V，I
D
= 5毫安
V
DG
= 5 10V，我
D
= 10毫安
25
0.95
0.95
0.9
0.9
1
1
0.9
0.9
1
1
mV
0.95
–2
75
0.9
1
0.9
1
pA
dB
NZBD
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
。假定在分子中较小的值。
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8-2
文档编号： 70249
S- 04031 -REV 。 E， 04军， 01
U430/431
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
漏电流和跨导
与门源截止电压
100
I
DSS
- 饱和漏极电流（mA ）
I
DSS
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
g
fs
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
50
g
fs
- 正向跨导（MS ）
10 nA的
栅极漏电流
T
A
= 125_C
I
G
@ I
D
= 10毫安
200
mA
80
40
1 nA的
I
G
- 栅极泄漏
60
g
fs
40
I
DSS
30
100 pA的
I
GSS
@ 125_C
200
mA
20
10 pA的
10毫安
T
A
= 25_C
1 pA的
I
GSS
@ 25_C
20
10
0
0
–3
–4
–2
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
–1
–5
0
0.1帕
0
3
4
9
12
15
V
DG
- 漏极 - 栅极电压（V ）
导通电阻和输出电导
与门源截止电压
100
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
r
DS
@ I
D
= 1毫安， V
GS
= 0 V
g
os
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1千赫
g
fs
- 正向跨导（MS ）
g
os
- 输出电导（ μS ）
80
240
16
300
20
共源正向跨导
与漏电流
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
T
A
= –55_C
12
25_C
8
125_C
60
180
40
r
DS
g
os
20
120
60
4
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
0
0
0.1
1
I
D
- 漏电流（mA ）
10
跨导与栅源电压
30
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
g
fs
- 正向跨导（MS ）
24
T
A
= –55_C
25_C
18
125_C
12
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
g
fs
- 正向跨导（MS ）
40
50
跨导与栅源电压
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
T
A
= –55_C
30
25_C
20
125_C
10
6
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
0
–0.6
–1.2
–1.8
–2.4
–3
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 70249
S- 04031 -REV 。 E， 04军， 01
www.vishay.com
8-3
U430/431
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
16
I
D
- 漏电流（mA ）
V
GS
= 0 V
–0.2 V
I
D
- 漏电流（mA ）
40
–0.4 V
30
–0.8 V
–1.2 V
–1.6 V
10
–2.0 V
–2.4 V
0
2
4
6
8
10
50
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
GS
= 0 V
输出特性
12
–0.4 V
8
–0.6 V
–0.8 V
20
4
–1.0 V
0
0
2
4
6
8
10
0
V
DS
- 漏源电压（ V）
V
DS
- 漏源电压（ V）
输出特性
15
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
12
I
D
- 漏电流（mA ）
–0.2 V
9
–0.4 V
6
–0.6 V
3
–0.8 V
–1.0 V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0
0.2
I
D
- 漏电流（mA ）
V
GS
= 0 V
24
30
输出特性
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
GS
= 0 V
18
–0.4 V
–0.8 V
–1.2 V
12
–1.6 V
6
–2.0 V
–2.4 V
0.4
0.6
0.8
1
V
DS
- 漏源电压（ V）
V
DS
- 漏源电压（ V）
传输特性
30
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
24
I
D
- 漏电流（mA ）
I
D
- 漏电流（mA ）
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
80
100
传输特性
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
18
T
A
= –55_C
25_C
60
T
A
= –55_C
25_C
12
40
6
125_C
20
125_C
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2
0
0
–0.6
–1.2
–1.8
–2.4
–3
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
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8-4
文档编号： 70249
S- 04031 -REV 。 E， 04军， 01
U430/431
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
100
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
T
A
= 25_C
80
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
60
A
V
=电压增益
80
100
1
)
R
L
g
os
假设V
DD
= 15 V, V
DS
= 5 V
R
L
+
60
10 V
I
D
A
V
+
g
fs
R
L
电路的电压增益与漏电流
40
–3 V
20
40
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
20
–3 V
0
1
10
I
D
- 漏电流（mA ）
100
0
0.1
1
I
D
- 漏电流（mA ）
10
共源输入电容
与栅源电压
15
RSS - 逆向反馈电容（pF ）
F = 1 MHz的
ISS - 输入电容（pF ）
12
10
共源反向反馈
电容与栅源电压
F = 1 MHz的
8
9
V
DS
= 0 V
6
V
DS
= 0 V
4
6
3
5V
2
5V
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
100
输入导纳与频率的关系
100
V
DG
= 10 V
I
D
= 10毫安
共栅
转发准入与频率的关系
V
DG
= 10 V
I
D
= 10毫安
共栅
–g
fg
10
g
ig
10
（女士）
（女士）
b
ig
b
fg
1
1
0.1
100
200
500
1000
0.1
100
200
500
1000
的F - 频率（MHz ）
的F - 频率（MHz ）
文档编号： 70249
S- 04031 -REV 。 E， 04军， 01
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8-5
U430/431
Vishay Siliconix公司
匹配的N通道双
产品概述
产品型号
U430
U431
V
GS （ OFF ）
(V)
-1至-4
± 2 ± 6
V
（ BR ） GSS
敏（ V）
–25
–25
g
fs
MIN（ ms）的
10
10
I
G
典型值（PA ）
–15
–15
jV
GS1
– V
GS2
j
典型值（MV ）
25
25
特点
D
D
D
D
D
D
双芯片设计
高转换率
低失调/漂移电压
低栅极漏电流： 15 pA的
低噪音
高CMRR ： 75分贝
好处
D
D
D
D
D
D
紧差分匹配与电流
提高运算放大器的速度，稳定时间精度
最小输入错误/修正要求
微不足道的信号丢失/错误电压
高灵敏度系统
大输入信号的最小误差
应用
D
宽带差分放大器
D
高速，温度补偿的，
单端输入放大器
D
高速比较器
D
阻抗转换器
描述
的U430 / 431匹配装配在TO -78的JFET对
封装。这些器件提供了良好的功率增益，即使在
频率超过250 MHz的。
在TO- 78封装可提供充分的军事处理
（见军事信息） 。
对于类似的产品，见低噪声的U / SST401系列，所述
高增益2N5911 / 5912 ，和低泄漏U421 / 423的数据
床单。
TO-78
S
1
1
7
S
2
G
1
2
6
G
2
3
D
1
4
例
顶视图
5
D
2
绝对最大额定值
栅极 - 漏极，栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25 V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
_C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到200_C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
文档编号： 70249
S- 04031 -REV 。 E， 04军， 01
功耗：
每面
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300毫瓦
总
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫瓦
笔记
一。减免2.4毫瓦/ _C以上25_C
B 。减免4毫瓦/ _C以上25_C
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8-1
U430/431
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
U430
U431
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
符号
测试条件
典型值
b
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
= –1
毫安，
V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1 NA
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= –15 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 150_C
V
DG
= 10 V，I
D
= 5毫安
–35
–25
–1
12
–4
30
–150
–150
–25
V
–2
24
–6
60
–150
–150
mA
pA
nA
pA
nA
1
1
V
–5
–10
–15
–10
0.8
门工作电流
门源正向电压
I
G
V
GS （ F）
T
A
= 150_C
I
G
= 10 mA时， V
DS
= 0 V
动态
共源
正向跨导
b
共源
输出电导
b
共源
输入电容
共源
反向传输电容
等效输入噪声电压
g
fs
V
DS
= 10 V，I
D
= 10 mA时， F = 1千赫
g
os
C
国际空间站
V
GS
= –10 V, V
DS
= 0 V ， F = 1兆赫
C
RSS
e
n
V
DS
= 10 V，I
D
= 10毫安
F = 100赫兹
2
6
2.5
2.5
nV/
√Hz的
100
4.5
250
5
250
5
pF
15
10
10
mS
mS
高频
共源
正向跨导
共源
输出电导
动力匹配
源导纳
g
fs
g
os
g
ig
V
DS
= 10 V，I
D
= 10毫安
F = 100 MHz的
14
0.13
12
mS
匹配
迪FF erential
栅源电压
饱和漏极
流动比率
c
跨比
c
栅极 - 源
截止电压比
c
差动电流门
共模抑制比
|V
GS1
–V
GS2
|
I
DSS1
I
DSS2
g
fs1
g
fs2
V
GS(off)1
V
GS(off)2
|I
G1
–I
G2
|
CMRR
V
DG
= 10 V，I
D
= 10毫安
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 10 mA时， F = 1千赫
V
DS
= 10 V，I
D
= 1 NA
V
DG
= 10 V，I
D
= 5毫安
V
DG
= 5 10V，我
D
= 10毫安
25
0.95
0.95
0.9
0.9
1
1
0.9
0.9
1
1
mV
0.95
–2
75
0.9
1
0.9
1
pA
dB
NZBD
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
。假定在分子中较小的值。
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8-2
文档编号： 70249
S- 04031 -REV 。 E， 04军， 01
U430/431
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
漏电流和跨导
与门源截止电压
100
I
DSS
- 饱和漏极电流（mA ）
I
DSS
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
g
fs
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
50
g
fs
- 正向跨导（MS ）
10 nA的
栅极漏电流
T
A
= 125_C
I
G
@ I
D
= 10毫安
200
mA
80
40
1 nA的
I
G
- 栅极泄漏
60
g
fs
40
I
DSS
30
100 pA的
I
GSS
@ 125_C
200
mA
20
10 pA的
10毫安
T
A
= 25_C
1 pA的
I
GSS
@ 25_C
20
10
0
0
–3
–4
–2
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
–1
–5
0
0.1帕
0
3
4
9
12
15
V
DG
- 漏极 - 栅极电压（V ）
导通电阻和输出电导
与门源截止电压
100
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
r
DS
@ I
D
= 1毫安， V
GS
= 0 V
g
os
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1千赫
g
fs
- 正向跨导（MS ）
g
os
- 输出电导（ μS ）
80
240
16
300
20
共源正向跨导
与漏电流
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
T
A
= –55_C
12
25_C
8
125_C
60
180
40
r
DS
g
os
20
120
60
4
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
0
0
0.1
1
I
D
- 漏电流（mA ）
10
跨导与栅源电压
30
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
g
fs
- 正向跨导（MS ）
24
T
A
= –55_C
25_C
18
125_C
12
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
g
fs
- 正向跨导（MS ）
40
50
跨导与栅源电压
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
T
A
= –55_C
30
25_C
20
125_C
10
6
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
0
–0.6
–1.2
–1.8
–2.4
–3
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 70249
S- 04031 -REV 。 E， 04军， 01
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U430/431
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
16
I
D
- 漏电流（mA ）
V
GS
= 0 V
–0.2 V
I
D
- 漏电流（mA ）
40
–0.4 V
30
–0.8 V
–1.2 V
–1.6 V
10
–2.0 V
–2.4 V
0
2
4
6
8
10
50
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
GS
= 0 V
输出特性
12
–0.4 V
8
–0.6 V
–0.8 V
20
4
–1.0 V
0
0
2
4
6
8
10
0
V
DS
- 漏源电压（ V）
V
DS
- 漏源电压（ V）
输出特性
15
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
12
I
D
- 漏电流（mA ）
–0.2 V
9
–0.4 V
6
–0.6 V
3
–0.8 V
–1.0 V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0
0.2
I
D
- 漏电流（mA ）
V
GS
= 0 V
24
30
输出特性
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
GS
= 0 V
18
–0.4 V
–0.8 V
–1.2 V
12
–1.6 V
6
–2.0 V
–2.4 V
0.4
0.6
0.8
1
V
DS
- 漏源电压（ V）
V
DS
- 漏源电压（ V）
传输特性
30
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
24
I
D
- 漏电流（mA ）
I
D
- 漏电流（mA ）
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
80
100
传输特性
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
18
T
A
= –55_C
25_C
60
T
A
= –55_C
25_C
12
40
6
125_C
20
125_C
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2
0
0
–0.6
–1.2
–1.8
–2.4
–3
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
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文档编号： 70249
S- 04031 -REV 。 E， 04军， 01
U430/431
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
100
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
T
A
= 25_C
80
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
60
A
V
=电压增益
80
100
1
)
R
L
g
os
假设V
DD
= 15 V, V
DS
= 5 V
R
L
+
60
10 V
I
D
A
V
+
g
fs
R
L
电路的电压增益与漏电流
40
–3 V
20
40
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
20
–3 V
0
1
10
I
D
- 漏电流（mA ）
100
0
0.1
1
I
D
- 漏电流（mA ）
10
共源输入电容
与栅源电压
15
RSS - 逆向反馈电容（pF ）
F = 1 MHz的
ISS - 输入电容（pF ）
12
10
共源反向反馈
电容与栅源电压
F = 1 MHz的
8
9
V
DS
= 0 V
6
V
DS
= 0 V
4
6
3
5V
2
5V
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
100
输入导纳与频率的关系
100
V
DG
= 10 V
I
D
= 10毫安
共栅
转发准入与频率的关系
V
DG
= 10 V
I
D
= 10毫安
共栅
–g
fg
10
g
ig
10
（女士）
（女士）
b
ig
b
fg
1
1
0.1
100
200
500
1000
0.1
100
200
500
1000
的F - 频率（MHz ）
的F - 频率（MHz ）
文档编号： 70249
S- 04031 -REV 。 E， 04军， 01
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8-5
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