N沟道JFET双
公司
U421 – U426
特点
描述
该Calogic U421系列是一个双N沟道JFET
专为非常高的输入设计，整体结构
阻抗差动放大和阻抗
匹配。该系列具有极低的输入偏置电流
（ 250 fempto安培， U421 ），同时提供在低增益高
工作电流和严格的匹配特性。这些
设备是在芯片的形式提供用于混合动力设计以及
作为密封的TO- 78封装。
订购信息
部分
包
温度范围
U421-U426
TO- 78密封封装-55
o
C至+150
o
C
XU421 - U426排序芯片载体-55
o
C至+150
o
C
超低输入偏置电流。 。 。 。 。 。 。 250 Fempto安培
低工作电流
严格匹配特性
超低漏电FET输入运算放大器
静电
红外探测器
pH计
应用
引脚配置
TO-78
1
2
3
4
5
6
7
源1
排水1
门1
CASE / BODY
源2
排水2
门2
4 5
3
2
1
6
7
底部视图
C
S2
G1
D2
D1
G2
S1
CJ4
U421 – U426
公司
绝对最大额定值
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
栅栅电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±40V
栅极 - 漏极和栅极 - 源极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
设备损耗（每边） ，T
A
= 25
o
C
（减免3.2毫瓦/
o
C至150
o
C） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400毫瓦
o
电气特性
（ 25℃ ，除非另有说明）
电气特性
（ 25℃，除非另有说明）
器件总功耗，T
A
= 25
o
C
（减免6.0毫瓦/
o
C至150
o
C） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 750毫瓦
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
符号
STATIC
BV
GSS
BV
G1G2
I
GSS
特征
U421-3
民
-40
±40
1.0
1.0
典型值
-60
最大
民
-40
±40
U424-6
典型值
-60
最大
单位
测试条件
栅源击穿电压
栅栅击穿电压
门反向电流
(1)
V
3.0
3.0
0.5
-500
pA
nA
pA
I
G
= -1μA ，V
DS
= 0
I
G
= -1μA ，我
D
= 0, I
S
= 0
T = +25
o
C
T = 125
T = +25
o
C
T = 125
o
o
V
GS
= -20V,
V
DS
= 0
V
DG
= 10V,
I
D
= 30A
I
G
V
GS （关闭）
V
GS
I
DSS
动态
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
g
fs
g
os
e
n
NF
门工作电流
(1)
.25
.250
栅源截止电压
栅源电压
饱和漏极电流
-0.4
-2.0
-1.8
-0.4
-2.0
-2.9
V
A
V
DS
= 10V ，我
D
= 1nA的
V
DG
= 10V ，我
D
= 30A
V
DS
= 10V, V
GS
= 0
60
1000
60
1800
共源正向跨导
共源输出电导
共源输入电容
共源反向传输电容
共源正向跨导
共源输出电导
等效短路输入
噪声系数
300
1500
10
3.0
1.5
300
1500
10
3.0
1.5
pF
V
DS
= 10V,
V
GS
= 0
F = 1千赫
F = 1MHz的
120
350
3.0
20
10
1.0
70
120
350
3.0
20
10
1.0
70
纳伏/赫兹
dB
V
DG
= 10V,
I
D
= 30A
F = 1kHz时
F = 10Hz的
F = 1kHz时
F = 10赫兹
R
G
= 10 M
符号
MATCH
特征
U421,4
U422,5
U423,6
最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值
10
10
90
95
80
90
15
25
80
90
25
40
单位
测试条件
| V
GS1
-V
GS2
|差分栅源电压
| V
GS1
-V
GS2
|差分栅源电压
随温度的变化
(2)
T
C
MRR
共模抑制比
(3)
mV
V/
o
C
dB
V
DG
= 10V ，我
D
= 30A
V
DG
= 10V ，我
D
= 30A,
T
A
= -55
o
C，T
B
= 25
o
C,
T
C
= 125
o
C
I
D
= 30μA ，V
DG
= 10到20V
注意事项：
1.大约增加一倍，每10℃升高T中
A
.
2.测得端点牛逼
A
, T
B
和T
C
.
o
3. CMRR = 20log
10
[
V
GS1DDGS2
]
-V
V
V
DD
= 10V.
4.案例铅未连接。
U423
高输入阻抗
单片双
N沟道JFET
线性系统替换停产Siliconix的U423
在U423是一款高输入阻抗的单片双N沟道JFET
在U423单片双N沟道JFET设计
以提供差动非常高的输入阻抗
放大和阻抗匹配。在其
许多独特的功能，该系列提供了操作门
目前，在-250 fA的规定。在U423是一个直接
替代停产Siliconix的U423 。
该密封TO - 71 & TO- 78封装的
非常适用于军事应用。 8引脚P- DIP
和8引脚SOIC提供便于制造，并且
对称的引出线防止不正当的方向。
（见包装信息） 。
特点是什么？
高输入阻抗
高增益
低功耗工作
绝对最大额定值
@25°C(unlessotherwisenoted)
I
G
=0.25pAMAX
gfs=120mhoMIN
V
GS （关闭）
=2VMAX
U423的应用：
超低输入电流差动放大器
高速比较器
阻抗转换器
最高温度
储存温度
‐65°Cto+150°C
工作结温
+150°C
MaximumVoltageandCurrentforEachTransistor–Note1
‐V
GSS
栅极电压漏极或源极
40V
‐V
DSO
漏源极电压
40V
‐I
G（ F）
门正向电流
10mA
最大功率耗散
DeviceDissipation@FreeAir–Total400mW@+125°C
MATCHINGCHARACTERISTICS@25°CUNLESSOTHERWISENOTED
SYMBOL
特征值单位条件
|V
GS1‐2
/ ΔT |最大。
漂移VS.
40
μV/°C V
DG
=10V,I
D
=30A
温度是多少？
T
A
=‐55°Cto+125°C
|V
GS1‐2
|最大。
失调电压
25
mV
V
DG
=10V,I
D
=30A
（典型值） *
60
‐‐
‐‐
200
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
0.1
90
90
‐‐
20
10
‐‐
‐‐
马克斯。
‐‐
‐‐
1500
350
1000
2.0
1.8
.25
250
1.0
1.0
10
3.0
‐‐
‐‐
1
70
‐‐
3.0
1.5
单位“
V
V
μmho
μmho
A
V
V
pA
pA
pA
nA
μmho
μmho
dB
dB
dB
内华达州/ √Hz的
pF
pF
条件“
V
DS
=0I
G
=1nA
I
G
=1AI
D
=0I
S
=0
V
DS
=10VV
GS
=0Vf=1kHz
V
DG
=10VI
D
=30Af=1kHz
V
DS
=10VV
GS
=0V
V
DS
=10VI
D
=1nA
V
DG
=10VI
D
=30A
V
DG
=10VI
D
=30A
T
A
=+125°C
V
DS
=0VV
GS
=20V
T
A
=+125°C
V
DS
=10VV
GS
=0V
V
DG
=10VI
D
=30A
V
DS
=10to20VI
D
=30A
V
DS
=5to10VI
D
=30A
V
DG
=10VI
D
=30AR
G
=10MΩ
f=10Hz
V
DG
=10VI
D
=30Af=10Hz
V
DG
=10VI
D
=30Af=1KHz
V
DS
=10VV
GS
=0f=1MHz
P- DIP / SOIC （顶视图）
ELECTRICALCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特色」
分钟。
BV
GSS
击穿电压
40
BV
GGO
栅栅击穿
40
跨
Y
FSS
全导
300
Y
fS
典型的操作
120
漏电流
I
DSS
全导
60
栅极电压
V
GS （ OFF ）
夹断电压
‐‐
V
GS
工作范围
‐‐
栅极电流
I
G
马克斯。
经营？
‐‐
‐I
G
马克斯。
高温
‐‐
I
GSS
马克斯。
在全导通
‐‐
‐I
GSS
马克斯。
高温
‐‐
输出电导
Y
OSS
全导
‐‐
Y
OS
经营？
‐‐
共模抑制
CMR刀
‐20log|V
GS1‐2
/V
DS
|
‐‐
‐20log|V
GS1‐2
/V
DS
|
‐‐
NOISE
NF
身材
‐‐
e
n
电压是多少？
‐‐
‐‐
Capacitance
C
国际空间站
输入 -
‐‐
C
RSS
反向传输
‐‐
点击购买
注1 - 这些额定值的限制值高于其中任何半导体的适用性可能受到损害
TO- 71 / TO- 78 （顶视图）
可用的软件包：
U423采用TO- 71 & TO- 78
U423在PDIP & SOIC
U423作为裸模
请联系
Micross
全包和模具尺寸
电子邮件：
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