LSU406
低噪声，低漂移
单片双
N沟道JFET
线性系统替换停产Siliconix的U406与LSU406
本U406 / LSU406是一款低噪声，低漂移，单片双N沟道JFET
在LSU406是一个高性能的单片双
JFET具有极低的噪声，紧身失调电压
和低温度漂移的规格，并且是
在宽范围的精确定位的使用
仪器仪表应用。该LSU406设有5
mV偏移量和10 μV/°C的漂移。在LSU406是一个直接
替代停产Siliconix的U406 。
该密封TO - 71 & TO- 78封装的
非常适用于军事应用。
（见包装信息） 。
特点是什么？
低漂移
低噪声
LOW夹断
绝对最大额定值
@25°C(unlessotherwisenoted)
|V
GS1‐2
/T|=10V/°CTYP.
e
n
=6nV/Hz@10HzTYP.
V
p
=2.5VTYP.
U406 / LSU406应用：
宽带差分放大器
高速，温度补偿的单
端输入放大器
高速比较器
阻抗转换器和振动
探测器。
ELECTRICALCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特色」
分钟。
BV
GSS
击穿电压
50
BV
GGO
栅栅击穿
±50
跨
Y
FSS
全导
2000
Y
fS
典型的操作
1000
|Y
FS1‐2
/Y
FS
|
不匹配
‐‐
漏电流
I
DSS
全导
0.5
|I
DSS1‐2
/I
DSS
|
错配的全导
‐‐
栅极电压
V
GS
（关闭）或V
p
夹断电压
‐0.5
V
GS
（上）
工作范围
‐‐
栅极电流
‐I
G
马克斯。
经营？
‐‐
‐I
G
马克斯。
高温
‐‐
‐I
GSS
马克斯。
在全导通
‐‐
‐I
GSS
马克斯。
高温
5
输出电导
Y
OSS
全导
‐‐
Y
OS
经营？
‐‐
共模抑制
CMR刀
‐20log|V
GS1‐2
/V
DS
|
95
NOISE
NF
身材
‐‐
e
n
电压是多少？
‐‐
Capacitance
C
国际空间站
输入 -
‐‐
C
RSS
反向传输
‐‐
最高温度
储存温度
‐65°Cto+150°C
工作结温
+150°C
MaximumVoltageandCurrentforEachTransistor–Note1
‐V
GSS
栅极电压漏极或源极
50V
‐V
DSO
漏源极电压
50V
‐I
G（ F）
门正向电流
10mA
最大功率耗散
DeviceDissipation@FreeAir–Total300mW
MATCHINGCHARACTERISTICS@25°CUNLESSOTHERWISENOTED
SYMBOL
特征值单位条件
|V
GS1‐2
/ T | MAX 。
漂移VS.
80
μV/°C V
DG
=10V,I
D
=200A
温度是多少？
T
A
=‐55°Cto+125°C
|V
GS1‐2
|最大。
失调电压
40
mV
V
DG
=10V,I
D
=200A
（典型值） *
60
‐‐
‐‐
‐‐
0.6
‐‐
1
‐‐
‐‐
‐4
‐‐
‐‐
5
‐‐
0.2
‐‐
‐‐
20
‐‐
‐‐
马克斯。
‐‐
‐‐
7000
2000
3
10
5
‐2.5
‐2.3
‐15
‐10
100
5
20
2
‐‐
0.5
‐‐
8
1.5
单位“
V
V
μmho
μmho
%
mA
%
V
V
pA
nA
pA
pA
μmho
μmho
dB
dB
内华达州/ √Hz的
pF
pF
条件“
V
DS
=0I
D
=1nA
I
G
=1nAI
D
=0I
S
=0
V
DG
=10VV
GS
=0Vf=1kHz
V
DG
=15VI
D
=200Af=1kHz
V
DG
=10VV
GS
=0V
V
DS
=15VI
D
=1nA
V
DS
=15VI
D
=200A
V
DG
=15VI
D
=200A
T
A
=+125°C
V
DS
=0
V
DG
=15VT
A
=+125°C
V
DG
=10VV
GS
=0V
V
DG
=15VI
D
=500A
V
DS
=10to20VI
D
=30A
V
DS
=15VV
GS
=0VR
G
=10M
f=100HzNBW=6Hz
V
DS
=15VI
D
=200Af=10HzNBW=1Hz
V
DS
=15VI
D
=200Af=1MHz
点击购买
注1 - 这些额定值的限制值高于其中任何半导体的适用性可能受到损害
TO- 71 / TO- 78 （顶视图）
Micross组件欧洲
可用的软件包：
U406 / LSU406在TO- 71 & TO- 78
U406 / LSU406可以作为裸模
请联系
Micross
全包和模具尺寸
电话：+44 1603 788967
电子邮件：
chipcomponents@micross.com
网址：
http://www.micross.com/distribution
提供的信息线性集成系统和Micross组件被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其使用;也不对任何侵犯专利或
第三方可能导致其使用的其他权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式线性集成系统中的任何专利或专利权。
LSU406
低噪声，低漂移
单片双
N沟道JFET
线性系统替换停产Siliconix的U406与LSU406
本U406 / LSU406是一款低噪声，低漂移，单片双N沟道JFET
在LSU406是一个高性能的单片双
JFET具有极低的噪声，紧身失调电压
和低温度漂移的规格，并且是
在宽范围的精确定位的使用
仪器仪表应用。该LSU406设有5
mV偏移量和10 μV/°C的漂移。在LSU406是一个直接
替代停产Siliconix的U406 。
该密封TO - 71 & TO- 78封装的
非常适用于军事应用。
（见包装信息） 。
特点是什么？
低漂移
低噪声
LOW夹断
绝对最大额定值
@25°C(unlessotherwisenoted)
|V
GS1‐2
/T|=10V/°CTYP.
e
n
=6nV/Hz@10HzTYP.
V
p
=2.5VTYP.
U406 / LSU406应用：
宽带差分放大器
高速，温度补偿的单
端输入放大器
高速比较器
阻抗转换器和振动
探测器。
ELECTRICALCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特色」
分钟。
BV
GSS
击穿电压
50
BV
GGO
栅栅击穿
±50
跨
Y
FSS
全导
2000
Y
fS
典型的操作
1000
|Y
FS1‐2
/Y
FS
|
不匹配
‐‐
漏电流
I
DSS
全导
0.5
|I
DSS1‐2
/I
DSS
|
错配的全导
‐‐
栅极电压
V
GS
（关闭）或V
p
夹断电压
‐0.5
V
GS
（上）
工作范围
‐‐
栅极电流
‐I
G
马克斯。
经营？
‐‐
‐I
G
马克斯。
高温
‐‐
‐I
GSS
马克斯。
在全导通
‐‐
‐I
GSS
马克斯。
高温
5
输出电导
Y
OSS
全导
‐‐
Y
OS
经营？
‐‐
共模抑制
CMR刀
‐20log|V
GS1‐2
/V
DS
|
95
NOISE
NF
身材
‐‐
e
n
电压是多少？
‐‐
Capacitance
C
国际空间站
输入 -
‐‐
C
RSS
反向传输
‐‐
最高温度
储存温度
‐65°Cto+150°C
工作结温
+150°C
MaximumVoltageandCurrentforEachTransistor–Note1
‐V
GSS
栅极电压漏极或源极
50V
‐V
DSO
漏源极电压
50V
‐I
G（ F）
门正向电流
10mA
最大功率耗散
DeviceDissipation@FreeAir–Total300mW
MATCHINGCHARACTERISTICS@25°CUNLESSOTHERWISENOTED
SYMBOL
特征值单位条件
|V
GS1‐2
/ T | MAX 。
漂移VS.
80
μV/°C V
DG
=10V,I
D
=200A
温度是多少？
T
A
=‐55°Cto+125°C
|V
GS1‐2
|最大。
失调电压
40
mV
V
DG
=10V,I
D
=200A
（典型值） *
60
‐‐
‐‐
‐‐
0.6
‐‐
1
‐‐
‐‐
‐4
‐‐
‐‐
5
‐‐
0.2
‐‐
‐‐
20
‐‐
‐‐
马克斯。
‐‐
‐‐
7000
2000
3
10
5
‐2.5
‐2.3
‐15
‐10
100
5
20
2
‐‐
0.5
‐‐
8
1.5
单位“
V
V
μmho
μmho
%
mA
%
V
V
pA
nA
pA
pA
μmho
μmho
dB
dB
内华达州/ √Hz的
pF
pF
条件“
V
DS
=0I
D
=1nA
I
G
=1nAI
D
=0I
S
=0
V
DG
=10VV
GS
=0Vf=1kHz
V
DG
=15VI
D
=200Af=1kHz
V
DG
=10VV
GS
=0V
V
DS
=15VI
D
=1nA
V
DS
=15VI
D
=200A
V
DG
=15VI
D
=200A
T
A
=+125°C
V
DS
=0
V
DG
=15VT
A
=+125°C
V
DG
=10VV
GS
=0V
V
DG
=15VI
D
=500A
V
DS
=10to20VI
D
=30A
V
DS
=15VV
GS
=0VR
G
=10M
f=100HzNBW=6Hz
V
DS
=15VI
D
=200Af=10HzNBW=1Hz
V
DS
=15VI
D
=200Af=1MHz
点击购买
注1 - 这些额定值的限制值高于其中任何半导体的适用性可能受到损害
TO- 71 / TO- 78 （顶视图）
Micross组件欧洲
可用的软件包：
U406 / LSU406在TO- 71 & TO- 78
U406 / LSU406可以作为裸模
请联系
Micross
全包和模具尺寸
电话：+44 1603 788967
电子邮件：
chipcomponents@micross.com
网址：
http://www.micross.com/distribution
提供的信息线性集成系统和Micross组件被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其使用;也不对任何侵犯专利或
第三方可能导致其使用的其他权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式线性集成系统中的任何专利或专利权。
双N沟道JFET开关
公司
U401 – U406
特点
绝对最大额定值
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
栅极 - 漏极和栅极 - 源极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50V
栅电流（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+200
o
C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+150
o
C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
功率耗散（T
A
= 85 C)
减免上述25
o
C
o
最低系统误差和校准
低漂移带温度
工作在低电源电压
高输出阻抗
引脚配置
一面
300mW
2.6mW/
o
C
两旁
500mW
5mW/
o
C
TO-71
注意：
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些都是
值仅为设备的这些功能操作或
上面的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
订购信息
部分
U401-6
XU401-6
S2
D2
G1
D1
G2
S1
包
密封TO- 71
在运营商排序芯片
温度范围
-55
o
C至+150
o
C
-55
o
C至+150
o
C
CJ2
U401 – U406
公司
电气特性
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
符号
参数
栅极 - 源
击穿电压
门反向电流
（注2 ）
门源截止
电压
栅源电压
（上）
饱和漏极
电流（注3）
经营门
电流（注2 ）
门门
击穿电压
共源
前锋
跨
（注3）
共源
输出电导
共源
前锋
跨
共源
输出电导
共源
输入电容
（注6 ）
共源
反向传输
电容（注6 ）
当量
短路输入
噪声电压
共模
抑制比
迪FF erential
栅源电压
栅源电压
微分漂移（注意
4)
95
5
1000
0.5
-.5
U401
民
BV
GSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
V
GS （ ON）
I
DSS
I
G
-50
-25
-2.5
-2.3
10.0
-15
-10
0.5
-.5
最大
U402
民
-50
-25
-2.5
-2.3
10.0
-15
-10
0.5
-.5
最大
U403
民
-50
-25
-2.5
-2.3
10.0
-15
-10
0.5
-.5
最大
U404
民
-50
-25
-2.5
-2.3
10.0
-15
-10
0.5
-.5
最大
U405
民
-50
-25
-2.5
-2.3
10.0
-15
-10
0.5
-.5
最大
U406
民
-50
-25
-2.5
V
-2.3
10.0
-15
-10
mA
pA
nA
V
V
DG
= 15V ，我
D
= 200
A
V
DS
= 10V, V
GS
= 0
V
DG
= 15V ，我
D
= 200
A
T
A
= 125
o
C
V
DS
= 0, V
GS
= 0,
I
G
=
±
1
A
最大
V
pA
V
DS
= 0, I
G
= -1
A
V
DS
= 0, V
GS
= -30V
V
DS
= 15V ，我
D
= 1nA的
单位
测试条件
BV
G1-G2
±
50
±
50
±
50
±
50
±
50
±
50
g
fs
2000
7000
2000
7000 2000 7000 2000 7000 2000
7000
2000 7000
V
DS
= 10V,
V
GS
= 0
F = 1kHz时
g
os
20
20
20
20
20
20
S
g
fs
2000
1000
2000 1000 2000 1000 2000 1000
2000
1000 2000
F = 1kHz时
V
DG
= 15V,
I
D
= 200
A
g
os
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
C
国际空间站
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
pF
F = 1MHz的
C
RSS
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
e
n
20
20
20
20
20
20
nV
Hz
√
dB
V
DS
= 15V,
V
GS
= 0
F = 10Hz的
（注6 ）
CMRR
|
V
GS1
V
GS2
|
|
V
GS1
V
GS2
|
T
95
10
95
10
95
15
90
20
40
V
DG
= 10 20V ，
I
D
= 200
A（注5,6）
V
DG
= 10V ，我
D
= 200
A
T
A
= -55
o
C
T
B
= +25
o
C
T
C
= +125
o
C
mV
10
10
25
25
40
80
V
DG
= 10V,
V / C
I
D
= 200
A
o
注：1 。
每个晶体管。
2.
大约增加一倍，每10
o
增加T中
A
.
3.
脉冲测试持续时间= 300μS ;占空比
≤3%.
4.
测量结束点T'
A
, T
B
, T
C
.
V
DD
5.
CMRR = 20日志
10
,
V
DD
= 10V.
| V
GS
1
V
GS
2
|
6.
仅供设计参考，未经100％测试。
QQ：2880707522 复制
