双N沟道JFET开关
公司
U401 – U406
特点
绝对最大额定值
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
栅极 - 漏极和栅极 - 源极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50V
栅电流（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+200
o
C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+150
o
C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
功率耗散（T
A
= 85 C)
减免上述25
o
C
o
最低系统误差和校准
低漂移带温度
工作在低电源电压
高输出阻抗
引脚配置
一面
300mW
2.6mW/
o
C
两旁
500mW
5mW/
o
C
TO-71
注意：
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些都是
值仅为设备的这些功能操作或
上面的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
订购信息
部分
U401-6
XU401-6
S2
D2
G1
D1
G2
S1
包
密封TO- 71
在运营商排序芯片
温度范围
-55
o
C至+150
o
C
-55
o
C至+150
o
C
CJ2
U401 – U406
公司
电气特性
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
符号
参数
栅极 - 源
击穿电压
门反向电流
（注2 ）
门源截止
电压
栅源电压
（上）
饱和漏极
电流（注3）
经营门
电流（注2 ）
门门
击穿电压
共源
前锋
跨
（注3）
共源
输出电导
共源
前锋
跨
共源
输出电导
共源
输入电容
（注6 ）
共源
反向传输
电容（注6 ）
当量
短路输入
噪声电压
共模
抑制比
迪FF erential
栅源电压
栅源电压
微分漂移（注意
4)
95
5
1000
0.5
-.5
U401
民
BV
GSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
V
GS （ ON）
I
DSS
I
G
-50
-25
-2.5
-2.3
10.0
-15
-10
0.5
-.5
最大
U402
民
-50
-25
-2.5
-2.3
10.0
-15
-10
0.5
-.5
最大
U403
民
-50
-25
-2.5
-2.3
10.0
-15
-10
0.5
-.5
最大
U404
民
-50
-25
-2.5
-2.3
10.0
-15
-10
0.5
-.5
最大
U405
民
-50
-25
-2.5
-2.3
10.0
-15
-10
0.5
-.5
最大
U406
民
-50
-25
-2.5
V
-2.3
10.0
-15
-10
mA
pA
nA
V
V
DG
= 15V ，我
D
= 200
A
V
DS
= 10V, V
GS
= 0
V
DG
= 15V ，我
D
= 200
A
T
A
= 125
o
C
V
DS
= 0, V
GS
= 0,
I
G
=
±
1
A
最大
V
pA
V
DS
= 0, I
G
= -1
A
V
DS
= 0, V
GS
= -30V
V
DS
= 15V ，我
D
= 1nA的
单位
测试条件
BV
G1-G2
±
50
±
50
±
50
±
50
±
50
±
50
g
fs
2000
7000
2000
7000 2000 7000 2000 7000 2000
7000
2000 7000
V
DS
= 10V,
V
GS
= 0
F = 1kHz时
g
os
20
20
20
20
20
20
S
g
fs
2000
1000
2000 1000 2000 1000 2000 1000
2000
1000 2000
F = 1kHz时
V
DG
= 15V,
I
D
= 200
A
g
os
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
C
国际空间站
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
pF
F = 1MHz的
C
RSS
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
e
n
20
20
20
20
20
20
nV
Hz
√
dB
V
DS
= 15V,
V
GS
= 0
F = 10Hz的
（注6 ）
CMRR
|
V
GS1
V
GS2
|
|
V
GS1
V
GS2
|
T
95
10
95
10
95
15
90
20
40
V
DG
= 10 20V ，
I
D
= 200
A（注5,6）
V
DG
= 10V ，我
D
= 200
A
T
A
= -55
o
C
T
B
= +25
o
C
T
C
= +125
o
C
mV
10
10
25
25
40
80
V
DG
= 10V,
V / C
I
D
= 200
A
o
注：1 。
每个晶体管。
2.
大约增加一倍，每10
o
增加T中
A
.
3.
脉冲测试持续时间= 300μS ;占空比
≤3%.
4.
测量结束点T'
A
, T
B
, T
C
.
V
DD
5.
CMRR = 20日志
10
,
V
DD
= 10V.
| V
GS
1
V
GS
2
|
6.
仅供设计参考，未经100％测试。
LSU401
低噪声，低漂移
单片双
N沟道JFET
线性系统替换停产Siliconix的U401与LSU401
本U401 / LSU401是一款低噪声，低漂移，单片双N沟道JFET
在LSU401是一个高性能的单片双
JFET具有极低的噪声，紧身失调电压
和低温度漂移的规格，并且是
在宽范围的精确定位的使用
仪器仪表应用。该LSU401设有5
mV偏移量和10 μV/°C的漂移。在LSU401是一个直接
替代停产Siliconix的U401 。
该密封TO - 71 & TO- 78封装的
非常适用于军事应用。
（见包装信息） 。
特点是什么？
低漂移
低噪声
LOW夹断
绝对最大额定值
@25°C(unlessotherwisenoted)
|V
GS1‐2
/T|=10V/°CTYP.
e
n
=6nV/Hz@10HzTYP.
V
p
=2.5VTYP.
U401 / LSU401应用：
宽带差分放大器
高速，温度补偿的单
端输入放大器
高速比较器
阻抗转换器和振动
探测器。
ELECTRICALCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特色」
分钟。
BV
GSS
击穿电压
50
BV
GGO
栅栅击穿
±50
跨
Y
FSS
全导
2000
Y
fS
典型的操作
1000
|Y
FS1‐2
/Y
FS
|
不匹配
‐‐
漏电流
I
DSS
全导
0.5
|I
DSS1‐2
/I
DSS
|
错配的全导
‐‐
栅极电压
V
GS
（关闭）或V
p
夹断电压
‐0.5
V
GS
（上）
工作范围
‐‐
栅极电流
‐I
G
马克斯。
经营？
‐‐
‐I
G
马克斯。
高温
‐‐
‐I
GSS
马克斯。
在全导通
‐‐
‐I
GSS
马克斯。
高温
5
输出电导
Y
OSS
全导
‐‐
Y
OS
经营？
‐‐
共模抑制
CMR刀
‐20log|V
GS1‐2
/V
DS
|
95
NOISE
NF
身材
‐‐
e
n
电压是多少？
‐‐
Capacitance
C
国际空间站
输入 -
‐‐
C
RSS
反向传输
‐‐
最高温度
储存温度
‐65°Cto+150°C
工作结温
+150°C
MaximumVoltageandCurrentforEachTransistor–Note1
‐V
GSS
栅极电压漏极或源极
50V
‐V
DSO
漏源极电压
50V
‐I
G（ F）
门正向电流
10mA
最大功率耗散
DeviceDissipation@FreeAir–Total300mW
MATCHINGCHARACTERISTICS@25°CUNLESSOTHERWISENOTED
SYMBOL
特征值单位条件
|V
GS1‐2
/ T | MAX 。
漂移VS.
10
μV/°C V
DG
=10V,I
D
=200A
温度是多少？
T
A
=‐55°Cto+125°C
|V
GS1‐2
|最大。
失调电压
5
mV
V
DG
=10V,I
D
=200A
（典型值） *
60
‐‐
‐‐
‐‐
0.6
‐‐
1
‐‐
‐‐
‐4
‐‐
‐‐
5
‐‐
0.2
‐‐
‐‐
20
‐‐
‐‐
马克斯。
‐‐
‐‐
7000
2000
3
10
5
‐2.5
‐2.3
‐15
‐10
100
5
20
2
‐‐
0.5
‐‐
8
1.5
单位“
V
V
μmho
μmho
%
mA
%
V
V
pA
nA
pA
pA
μmho
μmho
dB
dB
内华达州/ √Hz的
pF
pF
条件“
V
DS
=0I
D
=1nA
I
G
=1nAI
D
=0I
S
=0
V
DG
=10VV
GS
=0Vf=1kHz
V
DG
=15VI
D
=200Af=1kHz
V
DG
=10VV
GS
=0V
V
DS
=15VI
D
=1nA
V
DS
=15VI
D
=200A
V
DG
=15VI
D
=200A
T
A
=+125°C
V
DS
=0
V
DG
=15VT
A
=+125°C
V
DG
=10VV
GS
=0V
V
DG
=15VI
D
=500A
V
DS
=10to20VI
D
=30A
V
DS
=15VV
GS
=0VR
G
=10M
f=100HzNBW=6Hz
V
DS
=15VI
D
=200Af=10HzNBW=1Hz
V
DS
=15VI
D
=200Af=1MHz
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注1 - 这些额定值的限制值高于其中任何半导体的适用性可能受到损害
TO- 71 / TO- 78 （顶视图）
Micross组件欧洲
可用的软件包：
U401 / LSU401在TO- 71 & TO- 78
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