【PD - 91607BIRLR/U3410HEXFET功率MOSFET逻辑电平栅极驱动器l超低导通电】,IC型号U3410,U3410 PDF资料,U3410经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 91607B

IRLR/U3410

HEXFET

功率MOSFET

逻辑电平栅极驱动器

l

超低导通电阻

l

表面贴装（ IRLR3410 ）

l

直铅（ IRLU3410 ）

l

先进的工艺技术

l

快速开关

l

全额定雪崩

描述

l

D

V

DSS

= 100V

G

S

R

DS （ ON）

= 0.105

I

D

= 17A

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，实现了

尽可能低的导通电阻每硅片面积。这

益处，结合快速开关速度和

坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率

MOSFET是众所周知的，为设计者提供

以在很宽的一个非常有效的装置，用于使用

各种应用程序。

在D- Pak是专为使用表面安装

气相，红外，或波焊工艺。

直引线型（ IRFU系列）是吞吐量

孔安装的应用程序。功耗水平

达1.5瓦特是可能的典型的表面贴装

应用程序。

-P A K

T O服务-2 52 A A

I-P第k

T O服务-25 1 A A

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量????

雪崩电流

重复性雪崩能量????

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

17

12

60

79

0.53

± 16

150

9.0

7.9

5.0

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

R

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装） **

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

1.9

50

110

单位

° C / W

www.irf.com

1

5/11/98

IRLR/U3410

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

分钟。

100

–––

1.0

7.7

–––

典型值。

–––

0.122

–––

7.2

53

30

26

4.5

7.5

800

160

90

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

0.105

V

GS

= 10V ，我

D

= 10A

0.125 W

V

GS

= 5.0V ，我

D

= 10A

0.155

V

GS

= 4.0V ，我

D

= 9.0A

2.0

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 25V ，我

D

= 9.0A

25

V

DS

= 100V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 80V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 16V

nA

-100

V

GS

= -16V

34

I

D

= 9.0A

4.8

NC V

DS

= 80V

20

V

GS

= 5.0V ，见图。 6和13

–––

V

DD

= 50V

–––

I

D

= 9.0A

ns

–––

R

G

= 6.0, V

GS

= 5.0V

–––

R

D

= 5.5Ω ，见图。 10

铅之间，

–––

nH

6毫米（0.25英寸）。

G

从包

–––

与模具接触中心？

–––

V

GS

= 0V

–––

pF

V

DS

= 25V

–––

= 1.0MHz的，见图。 5 ？

D

S

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

17

––– –––

展示

A

G

整体反转

––– –––

60

p-n结二极管。

S

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 9.0A ，V

GS

= 0V

––– 140 210

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

=9.0A

--- 740 1100 NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

V

DD

= 25V ，起始物为

J

= 25℃时，L = 3.1mH

R

G

= 25, I

AS

= 9.0A 。（参见图12）

T

J

≤

175°C

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%

使用IRL530N数据和测试条件

I

SD

≤

9.0A ， di / dt的

≤

540A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

这个被施加用于I -PAK ，L-

S

D- PAK的是铅和测量之间

模具联络中心

**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。

对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994

2

www.irf.com

IRLR/U3410

100

I

D

，D雨来-S环境允许光凭目前（A ）

I

D

，D雨来-S环境允许光凭目前（A ）

VGS

15V

12V

10V

8.0V

6.0V

4.0V

3.0V

BOTTOM 2.5V

顶部

100

VGS

15V

12V

10V

8.0V

6.0V

4.0V

3.0V

BOTTOM 2.5V

顶部

10

2.5V

1

2.5V

20μ S·P ü LS东西TH ID

T

J

= 25°C

0.1

1

10

0.1

A

0.1

1

20μ S·P ü LS东西TH ID

T

J

= 175°C

10

A

100

V

S

，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）

V

S

，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

3.0

T

J

= 2 5 °C

R

S（上）

，D雨来-S环境允许 n个R esistance

（N ORM alized ）

I

D

= 15A

I

D

，D RA在-to -S URC式C urren T（A ）

2.5

T

J

= 1 7 5 °C

10

2.0

1.5

1

1.0

0.5

0.1

2

3

4

5

6

V

DS

= 5 0V

2 0 μ S·P ü L南东西ID牛逼

7

8

9

10

A

0.0

-60 -40 -20

0

20

40

60

80

V

的s

= 10V

100 120 140 160 180

A

V

的s

，G一德以诚-S ü RC è V LTA克E（ V）

T

J

，结牛逼EM perature （ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRLR/U3410

1400

1200

V

的s

，G吃了对-S环境允许的V oltage （ V）

V

GS

C

国际空间站

C

RSS

C

OSS

=

0V ,

F = 1M ^ h

C

gs

+ C

gd

, C

ds

中文 TE

C

gd

C

ds

+ C

gd

15

I

D

= 9.0A

V

S

= 8 0V

V

S

= 5 0V

V

S

= 2 0V

12

C，C apacitanc E（ pF）的

1000

C

为s

800

9

600

C

OSS

400

6

C

RS s

200

3

0

1

10

100

A

0

10

20

FO 释T C IR ú IT

性S E ê图ú 13

30

40

50

A

V

S

，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）

Q

G

，共有摹吃哈耶（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

1000

I

S.D。

，R EVERSE 雨光凭目前（A ）

P·E R A TIO N IN TH IS A R E A LIM ITE

B Y形

S（上）

T

J

= 175°C

I

D

，D雨光凭目前（A ）

100

10

10 s

T

J

= 25°C

10

10 0 s

1

0.4

0.6

0.8

1.0

V

的s

= 0V

1.2

A

1

T

C

= 25°C

T

J

= 175°C

S英格尔P ulse

10

1米s

10米s

100

A

1000

1.4

V

S.D。

，S环境允许的模 - 数雨V oltage （Ⅴ）

V

S

，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.irf.com

IRLR/U3410

20

V

DS

V

GS

R

D

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

15

R

G

-

V

DD

5.0V

10

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

5

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（ ° C）

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

P

DM

单脉冲

（热反应）

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

0.1

0.02

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

www.irf.com

5

PD - 91607B

IRLR/U3410

HEXFET

功率MOSFET

逻辑电平栅极驱动器

l

超低导通电阻

l

表面贴装（ IRLR3410 ）

l

直铅（ IRLU3410 ）

l

先进的工艺技术

l

快速开关

l

全额定雪崩

描述

l

D

V

DSS

= 100V

G

S

R

DS （ ON）

= 0.105

I

D

= 17A

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，实现了

尽可能低的导通电阻每硅片面积。这

益处，结合快速开关速度和

坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率

MOSFET是众所周知的，为设计者提供

以在很宽的一个非常有效的装置，用于使用

各种应用程序。

在D- Pak是专为使用表面安装

气相，红外，或波焊工艺。

直引线型（ IRFU系列）是吞吐量

孔安装的应用程序。功耗水平

达1.5瓦特是可能的典型的表面贴装

应用程序。

-P A K

T O服务-2 52 A A

I-P第k

T O服务-25 1 A A

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量????

雪崩电流

重复性雪崩能量????

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

17

12

60

79

0.53

± 16

150

9.0

7.9

5.0

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

R

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装） **

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

1.9

50

110

单位

° C / W

www.irf.com

1

5/11/98

IRLR/U3410

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

分钟。

100

–––

1.0

7.7

–––

典型值。

–––

0.122

–––

7.2

53

30

26

4.5

7.5

800

160

90

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

0.105

V

GS

= 10V ，我

D

= 10A

0.125 W

V

GS

= 5.0V ，我

D

= 10A

0.155

V

GS

= 4.0V ，我

D

= 9.0A

2.0

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 25V ，我

D

= 9.0A

25

V

DS

= 100V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 80V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 16V

nA

-100

V

GS

= -16V

34

I

D

= 9.0A

4.8

NC V

DS

= 80V

20

V

GS

= 5.0V ，见图。 6和13

–––

V

DD

= 50V

–––

I

D

= 9.0A

ns

–––

R

G

= 6.0, V

GS

= 5.0V

–––

R

D

= 5.5Ω ，见图。 10

铅之间，

–––

nH

6毫米（0.25英寸）。

G

从包

–––

与模具接触中心？

–––

V

GS

= 0V

–––

pF

V

DS

= 25V

–––

= 1.0MHz的，见图。 5 ？

D

S

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

17

––– –––

展示

A

G

整体反转

––– –––

60

p-n结二极管。

S

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 9.0A ，V

GS

= 0V

––– 140 210

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

=9.0A

--- 740 1100 NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

V

DD

= 25V ，起始物为

J

= 25℃时，L = 3.1mH

R

G

= 25, I

AS

= 9.0A 。（参见图12）

T

J

≤

175°C

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%

使用IRL530N数据和测试条件

I

SD

≤

9.0A ， di / dt的

≤

540A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

这个被施加用于I -PAK ，L-

S

D- PAK的是铅和测量之间

模具联络中心

**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。

对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994

2

www.irf.com

IRLR/U3410

100

I

D

，D雨来-S环境允许光凭目前（A ）

I

D

，D雨来-S环境允许光凭目前（A ）

VGS

15V

12V

10V

8.0V

6.0V

4.0V

3.0V

BOTTOM 2.5V

顶部

100

VGS

15V

12V

10V

8.0V

6.0V

4.0V

3.0V

BOTTOM 2.5V

顶部

10

2.5V

1

2.5V

20μ S·P ü LS东西TH ID

T

J

= 25°C

0.1

1

10

0.1

A

0.1

1

20μ S·P ü LS东西TH ID

T

J

= 175°C

10

A

100

V

S

，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）

V

S

，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

3.0

T

J

= 2 5 °C

R

S（上）

，D雨来-S环境允许 n个R esistance

（N ORM alized ）

I

D

= 15A

I

D

，D RA在-to -S URC式C urren T（A ）

2.5

T

J

= 1 7 5 °C

10

2.0

1.5

1

1.0

0.5

0.1

2

3

4

5

6

V

DS

= 5 0V

2 0 μ S·P ü L南东西ID牛逼

7

8

9

10

A

0.0

-60 -40 -20

0

20

40

60

80

V

的s

= 10V

100 120 140 160 180

A

V

的s

，G一德以诚-S ü RC è V LTA克E（ V）

T

J

，结牛逼EM perature （ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRLR/U3410

1400

1200

V

的s

，G吃了对-S环境允许的V oltage （ V）

V

GS

C

国际空间站

C

RSS

C

OSS

=

0V ,

F = 1M ^ h

C

gs

+ C

gd

, C

ds

中文 TE

C

gd

C

ds

+ C

gd

15

I

D

= 9.0A

V

S

= 8 0V

V

S

= 5 0V

V

S

= 2 0V

12

C，C apacitanc E（ pF）的

1000

C

为s

800

9

600

C

OSS

400

6

C

RS s

200

3

0

1

10

100

A

0

10

20

FO 释T C IR ú IT

性S E ê图ú 13

30

40

50

A

V

S

，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）

Q

G

，共有摹吃哈耶（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

1000

I

S.D。

，R EVERSE 雨光凭目前（A ）

P·E R A TIO N IN TH IS A R E A LIM ITE

B Y形

S（上）

T

J

= 175°C

I

D

，D雨光凭目前（A ）

100

10

10 s

T

J

= 25°C

10

10 0 s

1

0.4

0.6

0.8

1.0

V

的s

= 0V

1.2

A

1

T

C

= 25°C

T

J

= 175°C

S英格尔P ulse

10

1米s

10米s

100

A

1000

1.4

V

S.D。

，S环境允许的模 - 数雨V oltage （Ⅴ）

V

S

，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.irf.com

IRLR/U3410

20

V

DS

V

GS

R

D

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

15

R

G

-

V

DD

5.0V

10

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

5

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（ ° C）

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

P

DM

单脉冲

（热反应）

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

0.1

0.02

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

www.irf.com

5