特点
电源电压5V （典型值）
超低功耗： 150毫瓦（典型值）为-1 dBm的输出电平
很不错的边带抑制与LO的占空比再生手段
输入信号
相位控制环路精确90 °相移
掉电模式
低LO输入电平： -10 dBm的（通常情况下）
50 Ω单端LO和RF端口
从100 MHz到1 GHz的LO频率
SO16封装
好处
无需外部元件的相移
免费的调整，因此节省制造时间
只有三个外部元件的必要，这将导致成本和电路板空间
保存
1000-MHz
QUADRATURE
调制器
U2790B
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
1.描述
该U2790B是采用Atmel的1000 MHz的正交调制器
先进的UHF亲
塞斯。它具有一个频率范围从100 MHz到1000 MHz的低电流
消费，单端RF和LO端口。免调节应用，使得
直接转换器适用于所有的数字无线电系统最高到1000 MHz ，如GSM ，
ADC ， JDC 。
图1-1 。
框图
S
PU
BB
AI
BB
AI
8
7
6
动力
up
PU
1
V
S
5,4
LO
i
Ph
ADJ
BB
Bi
BB
BI
12
15
16
9
10
占空比
再生器
频率
倍
0°
90°
90°/control
环
Σ
3
RF
O
2,11,13,14
GND
4583D–CELL–07/06
U2790B
3.绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
结温
存储温度范围
符号
V
S
V
i
T
j
T
英镑
价值
6
0到V
S
125
-55到+125
单位
V
V
°C
°C
4.工作范围
参数
电源电压范围
环境温度范围
符号
V
S
T
AMB
价值
4.5 5.5
-40至+85
单位
V
°C
5.热阻
参数
交界处的环境SO16
符号
R
thJA
价值
110
单位
K / W
6，电气特性
测试条件（除非另有说明） ： V
S
= 5V ，T
AMB
= 25℃时，称为测试电路，系统阻抗Z
O
= 50, f
LO
= 900兆赫，
P
LO
= -10 dBm时， V
BBI
= 1 V
pp
差。
号
参数
电源电压范围
电源电流
基带输入
输入电压范围
（差分）
输入阻抗
（单端）
输入频率
范围
(5)
内部偏置电压
温度
系数
测试条件
针
4, 5
4, 5
7-8,
9-10
符号
V
S
I
S
分钟。
4.5
24
典型值。
30
马克斯。
5.5
37
单位
V
mA
类型*
A
A
1.1
1.2
2
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
V
BBI
Z
BBI
f
BBI
V
BBb
TC
BB
0
2.35
1000
3.2
1500
mV
pp
k
D
D
D
A
D
250
2.5
0.1
2.65
<1
兆赫
V
毫伏/°C的
* ）类型是指： A = 100 ％测试， B = 100 ％相关测试，C =特点的样本， D =设计参数
注意事项：
1.所要求的本振电平是LO频率的函数。
2.在参照的RF输出电平
≤
400毫伏-1 dBm的和I / Q输入电平
pp
差。
3.边带抑制，无需连接在引脚15和16测试对于更高要求的电位器可以
连接这些引脚。
4.对于T
AMB
= -30 ° C至+ 85°C和V
S
= 4.5V至5.5V 。
5.低阻抗信号源。
3
4583D–CELL–07/06
6，电气特性（续）
测试条件（除非另有说明） ： V
S
= 5V ，T
AMB
= 25℃时，称为测试电路，系统阻抗Z
O
= 50, f
LO
= 900兆赫，
P
LO
= -10 dBm时， V
BBI
= 1 V
pp
差。
号
参数
LO输入
频带
输入电平
(1)
输入阻抗
电压驻波
驻波比
占空比范围
RF输出
输出电平
LO抑制
(2)
边带
抑制
(2, 3)
相位误差
(4)
幅度误差
本底噪声
VSWR
3阶基带
谐波
抑制
RF谐波
抑制
上电模式
电源电流
测试条件
针
12
符号
f
LOI
P
LOI
Z
国际劳工组织
VSWR
LO
DCR
LO
分钟。
50
–12
典型值。
马克斯。
1000
单位
兆赫
DBM
类型*
D
D
D
D
D
3
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
4
4.1
4.2
4.3
4.4
4.5
4.6
4.7
4.8
–10
50
1.4
–5
2
0.6
0.4
–5
30
32
35
30
–1
35
35
40
35
<1
＆ LT ; ±0.25
–132
–144
1.6
35
45
3
f
LO
= 900兆赫
f
LO
= 150 MHz的
f
LO
= 900兆赫
f
LO
= 150 MHz的
P
RFO
LO
RFO
SBS
RFO
P
e
A
e
+2
DBM
dB
dB
度。
dB
dBm / Hz计
B
B
B
D
D
D
D
V
BBI
= 2V, V
BBI
= 3V
V
BBI
= V
BBI
= 2.5V
N
FL
VSWR
RF
S
BBH
S
RFH
2
dB
D
4.9
5
5.1
35
dB
D
V
PU
≤
0.5V
V
PU
= 1V
C
SPU
= 100 pF的
C
LO
= 100 pF的
C
RFO
= 1 nF的
4, 5
I
PU
t
SPU
10
1
A
D
5.2
6
6.1
6.2
注意事项：
建立时间
开关电压
POWER- ON
上电
6 3
10
s
D
1
1
V
PUOn
V
PUdown
4
1
V
V
D
D
* ）类型是指： A = 100 ％测试， B = 100 ％相关测试，C =特点的样本， D =设计参数
1.所要求的本振电平是LO频率的函数。
2.在参照的RF输出电平
≤
400毫伏-1 dBm的和I / Q输入电平
pp
差。
3.边带抑制，无需连接在引脚15和16测试对于更高要求的电位器可以
连接这些引脚。
4.对于T
AMB
= -30 ° C至+ 85°C和V
S
= 4.5V至5.5V 。
5.低阻抗信号源。
4
U2790B
4583D–CELL–07/06
QQ：2880707522 复制
