TZX系列
威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
非常尖锐的反向特性
低反向电流水平
e2
非常高的稳定性
低噪音
铅（Pb ） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
94 9367
应用
电压稳定
机械数据
案例：
DO35玻璃案例
重量：
约。 125毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每Ammopack TAP / 10千（52毫米磁带） ， 30 K /盒
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
功耗
Z-电流
结温
存储温度范围
测试条件
升= 4毫米，T
L
= 25 °C
符号
P
合计
I
Z
T
j
T
英镑
价值
500
P
合计
/V
Z
175
- 65 + 175
单位
mW
mA
°C
°C
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
测试条件
升= 4毫米，T
L
=常数
符号
R
thJA
价值
300
单位
K / W
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
测试条件
I
F
= 200毫安
符号
V
F
民
典型值。
最大
1.5
单位
V
文档编号85614
2.1版， 27 -MAR -07
www.vishay.com
1
TZX系列
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威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
非常尖锐的反向特性
低反向电流水平
非常高的稳定性
- 低噪声
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
应用
电压稳定
主要特征
参数
V
Z
范围NOM 。
测试电流I
ZT
V
Z
规范
诠释。施工
价值
2.4 36
2; 5
脉冲电流
单身
单位
V
mA
订购信息
设备名称
TZX系列
TZX系列
订购代码
TZX系列-TAP
TZX系列-TR
每卷胶带单位
10 000元ammopack
（52毫米磁带）
每14"卷轴10000
（52毫米磁带）
最小起订量
30 000 /盒
30 000 /盒
包
包名称
DO-35
重量
125毫克
模塑料湿度敏感度
可燃性等级
水平
符合UL 94 V -0
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接
条件
260 ℃/ 10秒，在终端
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
功耗
齐纳电流
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
正向电压（最大）
I
F
= 200毫安
升= 4毫米，T
L
=常数
测试条件
升= 4毫米，T
L
= 25 °C
符号
P
合计
I
Z
R
thJA
T
j
T
英镑
V
F
价值
500
P
合计
/V
Z
300
175
- 65 + 175
1.5
单位
mW
mA
K / W
°C
°C
V
修订版2.3 ， 22 -NOV- 11
文档编号： 85614
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威世半导体
TEST
当前
I
ZT1
mA
马克斯。
2.5
2.6
2.7
2.8
2.9
3
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
3.9
4
4.1
4.2
4.3
4.4
4.5
4.6
4.7
4.8
4.9
5
5.1
5.2
5.3
5.5
5.6
5.7
5.8
5.9
6
6.1
6.3
6.4
6.6
6.7
6.9
7
7.2
5
5
5
5
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μA
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1
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0.5
0.5
0.5
0.5
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1
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1
1.5
1.5
1.5
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2
2
2
2
2
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2
2
2
2
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2
3
3
3
3
3
3.5
3.5
3.5
3.5
动态
阻力
Z
Z
在我
ZT1
Ω
马克斯。
1
1
1
1
1
1
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100
100
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100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
40
40
40
40
40
15
15
15
15
15
15
15
15
15
V
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压范围
产品型号
分钟。
TZX2V4A
TZX2V4B
TZX2V7A
TZX2V7B
TZX2V7C
TZX3V0A
TZX3V0B
TZX3V0C
TZX3V3A
TZX3V3B
TZX3V3C
TZX3V6A
TZX3V6B
TZX3V6C
TZX3V9A
TZX3V9B
TZX3V9C
TZX4V3A
TZX4V3B
TZX4V3C
TZX4V3D
TZX4V7A
TZX4V7B
TZX4V7C
TZX4V7D
TZX5V1A
TZX5V1B
TZX5V1C
TZX5V1D
TZX5V6A
TZX5V6B
TZX5V6C
TZX5V6D
TZX5V6E
TZX6V2A
TZX6V2B
TZX6V2C
TZX6V2D
TZX6V2E
TZX6V8A
TZX6V8B
TZX6V8C
TZX6V8D
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
2.9
3
3.1
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3.5
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3.8
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4
4.1
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4.4
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4.8
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5
5.1
5.2
5.3
5.4
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5.7
5.8
6
6.1
6.3
6.4
6.6
6.7
6.9
V
Z
在我
ZT1
V
喃。
2.4
2.4
2.7
2.7
2.7
3.0
3.0
3.0
3.3
3.3
3.3
3.6
3.6
3.6
3.9
3.9
3.9
4.3
4.3
4.3
4.3
4.7
4.7
4.7
4.7
5.1
5.1
5.1
5.1
5.6
5.6
5.6
5.6
5.6
6.2
6.2
6.2
6.2
6.2
6.8
6.8
6.8
6.8
反向漏电流
I
R
在V
R
V
I
R
在V
R (1)
μA
马克斯。
50
50
10
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威世半导体
TEST
当前
I
ZT1
mA
马克斯。
7.3
7.6
7.7
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9.3
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11.3
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12.4
12.7
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12.9
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13.4
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20.4
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1
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6.8
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7.5
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8.2
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9.5
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11.5
11.5
11.5
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12
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13
13
13
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17
动态
阻力
Z
Z
在我
ZT1
Ω
马克斯。
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6.84
6.94
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7.32
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7.7
7.98
8.08
8.27
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8.84
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10.4
10.5
10.8
11
11.3
11.6
10.9
11.8
12
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12.5
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13.4
13.8
14.2
13.6
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14.9
15.5
16.1
16.6
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17.9
18.5
19.2
19.9
15
15
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15
20
20
20
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20
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25
25
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35
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35
35
35
35
35
35
35
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40
40
40
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45
45
45
55
55
55
60
60
60
65
V
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压范围
产品型号
分钟。
TZX7V5A
TZX7V5B
TZX7V5C
TZX7V5D
TZX7V5X
TZX8V2A
TZX8V2B
TZX8V2C
TZX8V2D
TZX9V1A
TZX9V1B
TZX9V1C
TZX9V1D
TZX9V1E
TZX10A
TZX10B
TZX10C
TZX10D
TZX11A
TZX11B
TZX11C
TZX11D
TZX12A
TZX12B
TZX12C
TZX12D
TZX12X
TZX13A
TZX13B
TZX13C
TZX14A
TZX14B
TZX14C
TZX15A
TZX15B
TZX15C
TZX15X
TZX16A
TZX16B
TZX16C
TZX18A
TZX18B
TZX18C
TZX20A
TZX20B
TZX20C
TZX22A
修订版2.3 ， 22 -NOV- 11
7
7.2
7.3
7.5
7.07
7.7
7.9
8.1
8.3
8.5
8.7
8.9
9.1
9.3
9.5
9.7
9.9
10.2
10.4
10.7
10.9
11.1
11.4
11.6
11.9
12.2
11.44
12.4
12.6
12.9
13.2
13.5
13.8
14.1
14.5
14.9
14.35
15.3
15.7
16.3
16.9
17.5
18.1
18.8
19.5
20.2
20.9
V
Z
在我
ZT1
V
喃。
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
8.2
8.2
8.2
8.2
9.1
9.1
9.1
9.1
9.1
10
10
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11
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12
12
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13
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14
14
15
15
15
15
16
16
16
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18
18
20
20
20
22
反向漏电流
I
R
在V
R
V
I
R
在V
R (1)
μA
马克斯。
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30
30
30
30
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0.1
0.1
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0.04
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0.04
0.04
0.04
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0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
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威世半导体
TEST
当前
I
ZT1
mA
马克斯。
22.6
23.3
24
24.7
25.5
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26.6
27.6
28.6
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31.6
30.51
32.6
33.6
34.5
35.7
36.8
38
37.19
2
2
2
2
2
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马克斯。
1
1
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19
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23
25
25
25
27
27
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27
动态
阻力
Z
Z
在我
ZT1
Ω
马克斯。
20.5
21.2
21.8
22.4
23.1
21.5
23.9
24.9
25.8
25.6
26.8
27.7
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34.6
33.6
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65
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70
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80
80
80
80
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100
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120
120
140
140
140
140
V
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压范围
产品型号
分钟。
TZX22B
TZX22C
TZX24A
TZX24B
TZX24C
TZX24X
TZX27A
TZX27B
TZX27C
TZX27X
TZX30A
TZX30B
TZX30C
TZX30X
TZX33A
TZX33B
TZX33C
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TZX36B
TZX36C
TZX36X
21.6
22.3
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25.2
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30.2
29.02
31.2
32.2
33.2
34.2
35.3
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V
Z
在我
ZT1
V
喃。
22
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24
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36
36
36
反向漏电流
I
R
在V
R
V
I
R
在V
R (1)
μA
马克斯。
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
笔记
电压组TZM9V1到TZX36附加的测量，我
R
在95 ％的V
ZMIN 。
≤
40 nA的在T
j
= 25 °C
(1)
其他测量
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
R
thJA
- 千卡。抗拒。交界处的环境（K / W）
500
400
300
l
200
100
T
L
=常数
0
0
5
10
15
20
95 9611
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
600
500
400
300
200
100
0
0
80
120 160 200
40
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
l
我 - 引线长度（mm ）
95 9602
图。 1 -
热敏电阻与导线长度
图。 2 -
总功率耗散与环境温度
修订版2.3 ， 22 -NOV- 11
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TZX系列
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威世半导体
200
1000
T
j
= 25 °C
100
C
D
- 二极管电容（pF ）
V
Z
-
电压
CHANGE （MV ）
150
V
R
= 2
V
T
j
= 25 °C
100
I
Z
= 5毫安
10
50
1
0
95 9598
0
5
10
15
20
25
95 9601
0
5
10
15
20
25
V
Z
- z - 电压（V）
V
Z
- z - 电压（V）
图。 3 -
典型的变化
工作
在工作电压
在T条件
AMB
= 25 °C
图。 6 -
二极管电容与Z-电压
1.3
100
V
ZTN
- 相对电压变化
V
ZTN
= V
Zt
/V
Z
(25 °C)
I
F
- 正向电流（mA ）
1.2
TK
VZ
= 10 x 10
-4
/K
8 x 10
-4
/K
6 x 10
-4
/K
4 x 10
-4
/K
2 x 10
-4
/K
10
1.1
1
T
j
= 25 °C
1.0
0.9
0
- 2 x 10
-4
/K
- 4 x 10
-4
/K
0.1
0.01
0.8
- 60
95 9599
0.001
0
60
120
180
240
95 9605
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T
j
- 结温（ ° C）
V
F
- 前进
电压
(V)
图。 4 - 工作电压与典型的变化
结温
图。 7 -
正向电流与正向电压
100
15
TK
VZ
- 温度系数
of
V
Z
(10
-4
/K)
80
10
I
Z
- Z-电流（mA ）
P
合计
= 500毫瓦
T
AMB
= 25 °C
60
5
I
Z
= 5毫安
0
40
20
0
-5
0
4
6
8
12
20
0
95 9600
10
20
30
40
50
95 9604
V
Z
- z - 电压（V）
V
Z
- z - 电压（V）
图。 8 -
Z-电流与Z-电压
图。 5 -
Vz的温度系数与Z-电压
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