【TN8 ， TS8和TYNx08系列8A可控硅敏感&标准主要特点：符号IT（ RMS ）VD】,IC型号TYN808RG,TYN808RG PDF资料,TYN808RG经销商,ic,电子元器件-51电子网

TN8 ， TS8和TYNx08系列

8A可控硅

敏感&标准

主要特点：

符号

I

T（ RMS ）

V

DRM

/V

RRM

I

GT

价值

8

600至1000

0.2-15

单位

G

A

K

V

mA

K A

G

A

描述

可无论是在敏感（ TS8 ）或标准

（ TN8 / TYN ）门触发电平，可控硅8A

系列适合适合控制所有模式，发现

中的应用，如过压保护电路

保护，电动工具电机控制电路

和厨房助剂，浪涌电流限制电路，

电容放电点火电压

调节电路...

可在通孔或表面贴装

封装，提供了优化的性能

在有限的空间区域。

绝对额定值

（限制值）

符号

I

T（ RMS ）

IT

（AV）

参数

通态电流有效值（ 180 °导通角）

通态平均电流（ 180 °导通角）

K

DPAK

(TS8-B)

(TN8-B)

A

G

IPAK

(TS8-H)

(TN8-H)

A

K

A

K

G

A

G

TO-220AB

(TS8-T)

TO-220AB

（ TYNx ）

价值

TC = 110℃

8

5

TS8/TN8

TYN

100

95

45

单位

A

I

TSM

不重复浪涌峰值通态

当前

I

为融合吨价

通态电流临界上升率

I

G

= 2×我

GT

， TR

≤

100纳秒

栅极峰值电流

平均门功耗

存储结温范围

工作结温范围

TP = 8.3毫秒

TP = 10毫秒

F = 60赫兹

TP = 20微秒

TJ = 25°C

TJ = 125°C

73

70

24.5

50

4

1

A

2

S

A / μs的

A

W

°C

V

I

t

的di / dt

I

GM

P

G（ AV ）

T

英镑

Tj

V

RGM

- 40 + 150

- 40至+ 125

5

最大峰值反向栅极电压（ TN8 & TYN只）

2002年4月 - 埃德： 4A

1/9

TN8 ， TS8和TYNx08系列

电气特性

（ TJ = 25 ° C，除非另有规定）

s

敏感

符号

I

GT

V

GT

V

GD

V

RG

I

H

I

L

dv / dt的

V

TM

V

t0

R

d

I

DRM

I

RRM

V

D

= V

DRM

I

RG

= 10

A

I

T

= 50毫安

I

G

= 1毫安

I

TM

= 16 A

R

GK

= 1 k

R

GK

= 1 k

R

GK

= 220

TJ = 125°C

TJ = 25°C

TJ = 125°C

TJ = 25°C

TJ = 125°C

TP = 380微秒

R

L

= 3.3 k

R

GK

= 220

TJ = 125°C

V

D

= 12 V

R

L

= 140

测试条件

马克斯。

分钟。

马克斯。

分钟。

马克斯。

TS820

200

0.8

0.1

8

5

6

5

1.6

0.85

46

5

1

单位

A

V

mA

V / μs的

V

m

A

mA

V

D

= 65 % V

DRM

阈值电压

动态电阻

V

DRM

= V

RRM

R

GK

= 220

s

标准

符号

I

GT

V

D

= 12 V

V

GT

V

GD

I

H

I

L

dv / dt的

V

TM

V

t0

R

d

I

DRM

I

RRM

V

D

= V

DRM

I

T

= 100毫安

I

G

= 1.2 I

GT

V

D

= 67 % V

DRM

I

TM

= 16 A

门打开

TJ = 125°C

TJ = 25°C

TJ = 125°C

TJ = 25°C

TJ = 125°C

R

L

= 3.3 k

门打开

TJ = 125°C

R

L

= 33

测试条件

分钟。

马克斯。

分钟。

马克斯。

分钟。

马克斯。

25

30

50

TN805 TN815 TYNx08

0.5

5

2

15

1.3

0.2

40

50

150

1.6

0.85

46

5

2

30

70

150

2

15

V

mA

V / μs的

V

m

A

mA

单位

mA

TP = 380微秒

阈值电压

动态电阻

V

DRM

= V

RRM

热阻

符号

R

日（J -C ）

R

号（j -a）的

结到外壳（ DC ）

结到环境（ DC ）

S = 0.5厘米

选项卡下的S =铜表面

参数

价值

20

TO-220AB

IPAK

DPAK

60

100

70

单位

° C / W

2/9

/T

TN8 ， TS8和TYNx08系列

产品选择

电压（ XXX ）

产品型号

600 V

TN805-xxxB

TN805-xxxH

TN815-xxxB

TN815-xxxH

TS820-xxxB

TS820-xxxH

TS820-xxxT

TYNx08

X

700 V

800 V

X

1000 V

5毫安

15毫安

0.2毫安

15毫安

DPAK

IPAK

DPAK

IPAK

DPAK

IPAK

TO-220AB

灵敏度

包

订购信息

TN

标准

SCR

系列

电流： 8A

8

05

-

600

B（ -TR ）

包装：

B： DPAK

H： IPAK

包装方式：

空白：管

-TR ： DPAK带卷&

灵敏度：

05 ： 5毫安

15 ： 15毫安

电压：

600: 600V

800: 800V

TS

敏感

SCR

系列

电流： 8A

8 20 -

600 B（ -TR ）

包装：

B： DPAK

H： IPAK

T： TO- 220AB

包装方式：

空白：管

-TR ： DPAK带卷&

灵敏度：

20: 200A

电压：

600: 600V

700: 700V

TYN

标准

SCR

系列

电压：

6: 600V

8: 800V

10: 1000V

6

08

（RG）

包装方式

空白：散装

RG ：管

电流： 8A

3/9

TN8 ， TS8和TYNx08系列

其他信息

产品型号

TN805-x00B

TN805-x00B-TR

TN805-x00H

TN815-x00B

TN815-x00B-TR

TN815-x00H

TS820-x00B

TS820-x00B-TR

TS820-x00H

TS820-x00T

TYNx08

TYNx08RG

注意：

X =电压

记号

TN805x00

TN815x00

TS820x00

TS820x00T

TYNx08

重量

0.3 g

0.4 g

0.3 g

0.4 g

0.3 g

0.4 g

2.3 g

基地数量

75

2500

75

2500

75

2500

75

50

250

50

包装方式

管

磁带&卷轴

管

磁带&卷轴

管

磁带&卷轴

管

体积

管

图。 1 ：

最大平均功耗

与平均通态电流。

P（ W）的

8

7

6

5

4

3

2

1

0

1

2

IT （ AV ）（A ）

3

4

α

360°

图。 2-1 ：

平均和直流通态电流

与外壳温度。

IT （ AV ）（A ）

10.0

9.0

8.0

7.0

6.0

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

0.0

α

= 180°

DC

α

= 180°

温度上限（ ℃）

0

25

50

75

100

125

5

6

图。 2-2 ：

平均和直流通态电流

相对于环境温度（装置安装在

FR4与建议焊盘布局）（ DPAK ）。

IT （ AV ）（A ）

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

图。 3-1 ：

热阻抗的相对变化

结到外壳与脉冲持续时间。

K = [第Z （J -C ） / Rth的（J -C ） ]

1.0

DC

α

=180°

0.5

0.2

TAMB （ ° C）

0

25

50

75

100

125

0.1

1E-3

1E-2

TP （多个）

1E-1

1E+0

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TN8 ， TS8和TYNx08系列

图。 3-2 ：

热阻抗的相对变化

结点到环境与脉冲持续时间

（推荐焊盘布局， FR4 PC板

DPAK ）。

K = [ Zth时第（j-一） / Rth的第（j- a）所示

1.00

图。 4-1 ：

门极触发电流的相对变化

和保持电流与结温

为TS8系列。

IGT ，IH， IL [ TJ ] / IGT ，IH， IL 〔环境温度为25 ℃]

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

-40

IGT

DPAK

0.10

TO-220AB

IH & IL

RGK = 1K

TP （多个）

0.01

1E-2

1E-1

1E+0

1E+1

1E+2

5E+2

TJ （ ° C）

-20

0

20

40

60

80

100

120

140

图。 4-2 ：

门极触发电流的相对变化

和保持电流与结温

对于TN8 & TYN系列。

IGT ，IH， IL [ TJ ] / IGT ，IH， IL 〔环境温度为25 ℃]

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

-40

图。 5 ：

保持电流的相对变化

与门极 - 阴极电阻（典型值）的

为TS8系列。

IH [ RGK ] / IH [ RGK = 1K

]

IGT

IH & IL

TJ （ ° C）

-20

0

20

40

60

80

100

120

140

RGK （K

)

图。 6 ：

中的dV / dt抗扰性相对变化

与门极 - 阴极电阻（典型值）的

为TS8系列。

的dV / dt [ RGK ] / DV / DT [ RGK = 220

]

图。 7 ：

中的dV / dt抗扰性相对变化

相对于栅极 - 阴极电容（典型值）的

为TS8系列。

15.0

12.5

10.0

7.5

5.0

的dV / dt [ CGK ] / DV / DT [ RGK = 220

]

VD = 0.67 X VDRM

TJ = 125°C

RGK = 220

RGK （K

)

2.5

CGK （ NF）

0.0

0

20

40

60

80 100 120 140 160 180 200 220

5/9