TXS02612
www.ti.com
...............................................................................................................................................................
SCES682A - 2008年5月 - 修订2008年7月
与电压电平转换SDIO端口扩展
1
特点
ESD性能的一个端口
- 2000 -V人体模型（ A114 -B ）
- 100 -V机型号（ A115 -A ）
- 1500 -V带电器件模型（ C101 ）
ESD性能的B端口
- ± 6千伏IEC 61000-4-2 ESD ，
气隙放电
- ± 8 kV的IEC 61000-4-2 ESD ，
接触放电
6到12复用/解复用器允许SDIO
端口扩展
内置电平转换器消除电压
基带和SD卡或不匹配
SDIO外设
V
CCA
, V
CCB0
和V
CCB1
每一个工作在全
1.1 V至3.6 V范围
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
2
描述/订购信息
该TXS02612的设计界面上的手机基带与外部SDIO外设。该装置
包括一个6通道单刀双掷开关，电压电平转换功能。这允许一个单一的SDIO端口是
接口有两个SDIO外设。该TXS02612都有工作在整整三个独立的电源轨
1.1 V至3.6 V.这个范围允许的基带和SDIO外设在不同的电源电压，如果工作
所需。
选择（ SEL ）输入所使用的端口B0和B1端口之间进行选择。当SEL =低， B0端口
选择;当SEL =高， B1口被选中。 SEL是参考V
CCA
。对于未被选择的B端口的时钟
输出保持低电平，而数据和命令的I / O被拉高各自V
建行
通过一个70 kΩ的
电阻（ ± 30 ％容限） 。
订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
包
(1) (2)
微星少年 BGA
（ VFBGA ） - ZQS
QFN - RTW
(1)
(2)
3000卷
3000卷
订购型号
TXS02612ZQSR
TXS02612RTWR
顶部端标记
YJ612
YJ612
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
RTW包装
（ TOP VIEW ）
DAT2
B0
DAT3
B0
VCC
B0
CMD
B0
CLK
B0
SEL
ZQS包终端分配
ZQS包
（ TOP VIEW ）
1 2 3 4 5
A
18
17
DAT0
B0
VCC
B1
DAT1
B0
DAT1
B1
DAT0
B1
CLK
B1
1
A
B
C
D
E
DAT2A
DAT3A
CMDA
DAT0A
DAT1A
2
SEL
V
CCA
CLKA
DAT2
B1
3
DAT3
B0
DAT2
B0
GND
GND
DAT3
B1
4
CMD
B0
V
CCB0
V
CCB1
DAT1
B1
CMD
B1
5
CLK
B0
DAT0
B0
DAT1
B0
DAT0
B1
CLK
B1
24 23 22 21 20 19
DAT2A
GND
DAT3A
CMDA
V
CCA
DAT0A
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12
裸露
中心垫
B
C
D
E
对于RTW ，如果暴露
中心垫的情况下，它必须
被连接到地
或电气开路。
16
15
14
13
DAT2
B1
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
微星少年是德州仪器的商标。
2008 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
DAT3
B1
CMD
B1
DAT1A
CLKA
GND
TXS02612
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...............................................................................................................................................................
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应用框图
V
CCA
V
CCB0
V
CCA
V
CCB1
DAT0
B0
DAT0A
DAT0
B1
DAT1
B0
DAT1A
DAT1
B1
DAT2
B0
DAT2A
DAT2
B1
DAT3
B0
SDIO端口
DAT3A
DAT3
B1
CMD
B0
CMDA
CMD
B1
SD / MMC卡
存储卡
V
CCB0
CLK
B0
CLKA
时钟
逻辑
CLK
B1
TXS02612
V
CCB1
数字基带
或应用程序
处理器
SEL
注意：
在此显示开关位置
图是用于当所述壳体
SEL =低
SDIO外设
（蓝牙，
无线局域网，数字电视等）的
2
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引脚分配
RTW包装
PIN号
1
3
4
6
7
24
5
9
8
22
23
2
11
10
20
21
17
15
12
19
18
16
14
13
ZQS包
球NO 。
A1
B1
C1
D1
E1
A2
B2
C2
D2
E2
A3
B3
C3
D3
E3
A4
B4
C4
D4
E4
A5
B5
C5
D5
E5
V
CCA
CLKA
DAT2
B1
DAT3
B0
DAT2
B0
GND
GND
DAT3
B1
CMD
B0
V
CCB0
V
CCB1
DAT1
B1
CMD
B1
CLK
B0
DAT0
B0
DAT1
B0
DAT0
B1
CLK
B1
名字
DAT2A
DAT3A
CMDA
DAT0A
DAT1A
SEL
功能
数据位2，参考V
CCA
.
数据位3，参考V
CCA
.
命令位。参考V
CCA
.
数据位0，参考V
CCA
.
数据位1，参考V
CCA
.
选择引脚B0和B1之间做出选择。参考V
CCA
.
无人
A-端口的电源电压。 1.1 V
≤
V
CCA
≤
3.6 V.
时钟输入A.参考V
CCA
.
数据位2，参考V
CCB1
.
数据位3，参考V
CCB0
.
数据位2，参考V
CCB0
.
地
地
数据位3，参考V
CCB1
.
命令位。参考V
CCB0
.
B0端口的电源电压。 1.1 V
≤
V
CCB0
≤
3.6 V.
B1-端口的电源电压。 1.1 V
≤
V
CCB1
≤
3.6 V.
数据位1，参考V
CCB1
.
命令位。参考V
CCB1
.
时钟输出。参考V
CCB0
.
数据位0，参考V
CCB0
.
数据位1，参考V
CCB0
.
数据位0，参考V
CCB1
.
时钟输出。参考V
CCB1
.
I / O
I / O
动力
动力
I / O
I / O
产量
I / O
I / O
I / O
产量
动力
输入
I / O
I / O
I / O
TYPE
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
输入
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TXS02612
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简化内部结构
V
CCA
V
CCBx
加速
CIRCUITRY A到B
R
1
（见注一）
A-端口
（数据或
命令）
门
R
2
（见注一）
BX-端口
（数据或
命令）
加速
CIRCUITRY B-到-A
命令简化体系结构和每个数据路径
V
CCB0
V
CCB0
P沟道
CLKA
翻译者
N沟道
CLK
B0
GND
V
CCB1
V
CCB1
P沟道
翻译者
SEL
N沟道
CLK
B1
GND
在时钟路径的简化架构
A.
R
1
和R
2
电阻值基于施加到A端口和B端口的逻辑电平来确定，如下所示：
R
1
和R
2
=当一个逻辑低电平被施加到A端口和B端口40千欧。
R
1
和R
2
= 4千欧时一个逻辑高电平加到A端口和B端口。
R
1
和R
2
=当端口取消选择70 kΩ的。
4
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功能表
时钟通道
SEL
L
H
SEL
L
H
CLKB0
活跃
低
DATxB0或CMDxB0
活跃
残疾人，拉至V
CCB0
通过70千欧
CLKB1
低
活跃
数据和命令通道
DATxB1或CMDxB1
残疾人，拉至V
CCB1
通过70千欧
活跃
手术
DATxA到DATxB0 ， CMDA到CMDB0
DATxA到DATxB1 ， CMDA到CMDB1
手术
CLKA到CLKB0
CLKA到CLKB1
绝对最大额定值
(1) (2)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CCA
V
CCB0
V
CCB1
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
CC
/
I
GND
T
英镑
(1)
(2)
电源电压范围
(2)
输入电压范围
电压范围应用于任何输出的高阻抗或
电源关闭状态
输入钳位电流
输出钳位电流
连续电流通过V
CCA
, V
CCB0
, V
CCB1
或GND
存储温度范围
–65
端口， B0口，
B1口，控制输入
端口， B0口，
B1口
V
I
＆ LT ; 0
V
O
＆ LT ; 0
–0.5
–0.5
–0.5
最大
4.6
V
CCx中
+ 0.5
V
CCx中
+ 0.5
–50
–50
±100
150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
封装的热阻抗
参数
θ
JA
封装的热阻抗
RTW包装
ZQS包
66
171.6
单位
° C / W
2008 ，德州仪器
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TXS02612
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SCES682C - 2008年12月 - 修订2009年2月
与电压电平转换SDIO端口扩展
1
特点
6到12复用/解复用器允许SDIO
端口扩展
内置电平转换器消除电压
基带和SD卡或不匹配
SDIO外设
V
CCA
, V
CCB0
和V
CCB1
每一个工作在全
1.1 V至3.6 V范围
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD性能的一个端口
- 2000 -V人体模型（ A114 -B ）
- 100 -V机型号（ A115 -A ）
- 1500 -V带电器件模型（ C101 ）
± 8 kV接触放电IEC 61000-4-2 ESD
性能（ B端口）
描述/订购信息
该TXS02612设计成可以连接手机基带与外部SDIO外设。该装置
包括一个6通道单刀双掷开关，电压电平转换功能。这允许一个单一的SDIO端口是
接口有两个SDIO外设。该TXS02612都有工作在整整三个独立的电源轨
1.1 V至3.6 V.这个范围允许的基带和SDIO外设在不同的电源电压，如果工作
所需。
选择（ SEL ）输入所使用的端口B0和B1端口之间进行选择。当SEL =低， B0端口
选择;当SEL =高， B1口被选中。 SEL是参考V
CCA
。对于未被选择的B端口的时钟
输出保持低电平，而数据和命令的I / O被拉高各自V
建行
通过一个70 kΩ的
电阻（ ± 30 ％容限） 。
订购信息
(1)
T
A
-40 ° C至85°C
包
(2)
微星少年 BGA
（ VFBGA ） - ZQS
QFN - RTW
(1)
(2)
3000卷
3000卷
订购型号
TXS02612ZQSR
TXS02612RTWR
顶部端标记
YJ612
YJ612
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
RTW包装
（ TOP VIEW ）
DAT2
B0
DAT3
B0
CMD
B0
VCC
B0
CLK
B0
SEL
ZQS包
（ TOP VIEW ）
1 2 3 4 5
A
表1. ZQS包装TERMINAL
任务
1
A
B
C
D
E
DAT2A
DAT3A
CMDA
DAT0A
DAT1A
V
CCA
CLKA
DAT2
B1
2
SEL
3
DAT3
B0
DAT2
B0
GND
GND
DAT3
B1
4
CMD
B0
V
CCB0
V
CC B1
DAT1
B1
CMD
B1
5
CLK
B0
DAT0
B0
DAT1
B0
DAT0
B1
CLK
B1
24 23 22 21 20 19
DAT2A
GND
DAT3A
CMDA
V
CCA
DAT0A
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12
裸露
中心垫
18
17
16
15
14
13
DAT0
B0
VCC
B1
DAT1
B0
DAT1
B1
DAT0
B1
CLK
B1
B
C
D
E
对于RTW ，如果暴露
中心垫的情况下，它必须
被连接到地
或电气开路。
DAT2
B1
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
DAT3
B1
CMD
B1
DAT1A
CLKA
GND
版权所有2008-2009 ，德州仪器
TXS02612
SCES682C - 2008年12月 - 修订2009年2月
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应用框图
V
CCA
V
CCB0
V
CCA
V
CCB1
DAT0
B0
DAT0A
DAT0
B1
DAT1
B0
DAT1A
DAT1
B1
DAT2
B0
DAT2A
DAT2
B1
DAT3
B0
SDIO端口
DAT3A
DAT3
B1
CMD
B0
CMDA
CMD
B1
SD / MMC卡
存储卡
V
CCB0
CLK
B0
CLKA
时钟
逻辑
CLK
B1
TXS02612
V
CCB1
数字基带
或应用程序
处理器
SEL
注意：
在此显示开关位置
图是用于当所述壳体
SEL =低
SDIO外设
（蓝牙，
无线局域网，数字电视等）的
2
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引脚分配
RTW包装
PIN号
1
3
4
6
7
24
5
9
8
22
23
2
11
10
20
21
17
15
12
19
18
16
14
13
ZQS包
球NO 。
A1
B1
C1
D1
E1
A2
B2
C2
D2
E2
A3
B3
C3
D3
E3
A4
B4
C4
D4
E4
A5
B5
C5
D5
E5
V
CCA
CLKA
DAT2
B1
DAT3
B0
DAT2
B0
GND
GND
DAT3
B1
CMD
B0
V
CCB0
V
CCB1
DAT1
B1
CMD
B1
CLK
B0
DAT0
B0
DAT1
B0
DAT0
B1
CLK
B1
名字
DAT2A
DAT3A
CMDA
DAT0A
DAT1A
SEL
功能
数据位2，参考V
CCA
.
数据位3，参考V
CCA
.
命令位。参考V
CCA
.
数据位0，参考V
CCA
.
数据位1，参考V
CCA
.
选择引脚B0和B1之间做出选择。参考V
CCA
.
无人
A-端口的电源电压。 1.1 V
≤
V
CCA
≤
3.6 V.
时钟输入A.参考V
CCA
.
数据位2，参考V
CCB1
.
数据位3，参考V
CCB0
.
数据位2，参考V
CCB0
.
地
地
数据位3，参考V
CCB1
.
命令位。参考V
CCB0
.
B0端口的电源电压。 1.1 V
≤
V
CCB0
≤
3.6 V.
B1-端口的电源电压。 1.1 V
≤
V
CCB1
≤
3.6 V.
数据位1，参考V
CCB1
.
命令位。参考V
CCB1
.
时钟输出。参考V
CCB0
.
数据位0，参考V
CCB0
.
数据位1，参考V
CCB0
.
数据位0，参考V
CCB1
.
时钟输出。参考V
CCB1
.
I / O
I / O
动力
动力
I / O
I / O
产量
I / O
I / O
I / O
产量
动力
输入
I / O
I / O
I / O
TYPE
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
输入
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简化内部结构
V
CCA
V
CCBx
加速
CIRCUITRY A到B
R
1
（见注一）
A-端口
（数据或
命令）
门
R
2
（见注一）
BX-端口
（数据或
命令）
加速
CIRCUITRY B-到-A
命令简化体系结构和每个数据路径
V
CCB0
V
CCB0
P沟道
CLKA
翻译者
N沟道
CLK
B0
GND
V
CCB1
V
CCB1
P沟道
翻译者
SEL
N沟道
CLK
B1
GND
在时钟路径的简化架构
A.
R
1
和R
2
电阻值基于施加到A端口和B端口的逻辑电平来确定，如下所示：
R
1
和R
2
=当一个逻辑低电平被施加到A端口和B端口40千欧。
R
1
和R
2
= 4千欧时一个逻辑高电平加到A端口和B端口。
R
1
和R
2
=当端口取消选择70 kΩ的。
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功能表
时钟通道
SEL
L
H
SEL
L
H
CLKB0
活跃
低
DATxB0或CMDxB0
活跃
残疾人，拉至V
CCB0
通过70千欧
CLKB1
低
活跃
数据和命令通道
DATxB1或CMDxB1
残疾人，拉至V
CCB1
通过70千欧
活跃
手术
DATxA到DATxB0 ， CMDA到CMDB0
DATxA到DATxB1 ， CMDA到CMDB1
手术
CLKA到CLKB0
CLKA到CLKB1
绝对最大额定值
(1)
(2)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CCA
V
CCB0
V
CCB1
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
CC
/
I
GND
T
英镑
(1)
(2)
电源电压范围
(2)
输入电压范围
电压范围应用于任何输出的高阻抗或
电源关闭状态
输入钳位电流
输出钳位电流
连续电流通过V
CCA
, V
CCB0
, V
CCB1
或GND
存储温度范围
–65
端口， B0口，
B1口，控制输入
端口， B0口，
B1口
V
I
＆ LT ; 0
V
O
＆ LT ; 0
–0.5
–0.5
–0.5
最大
4.6
V
CCx中
+ 0.5
V
CCx中
+ 0.5
–50
–50
±100
150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
封装的热阻抗
参数
q
JA
封装的热阻抗
RTW包装
ZQS包
66
171.6
单位
° C / W
版权所有2008-2009 ，德州仪器
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5
QQ：2880707522 复制
