TXS0206
www.ti.com
.......................................................................................................................................
SCES697A - 2008年11月 - 修订2008年12月
MMC卡，SD卡，记忆棒电压转换收发器
具有ESD保护和EMI滤波
1
特点
电平转换器
– V
CCA
和V
建行
1.1 V至3.6 V范围
- 快速传播延迟（ 4 ns（最大值）时
翻译在1.8 V和3 V ）
集成EMI滤波与ESD保护
电路
ESD保护超过JESD 22 （A口）
- 2500 -V人体模型（ A114 -B ）
- 250 -V机型号（ A115 -A ）
- 1500 -V带电器件模型（ C101 ）
IEC 61000-4-2 ESD （B端口）
- ± 8 kV接触放电
- ± 4 kV的气隙放电
2
YFP套餐
（ TOP VIEW ）
1 2 3 4
A
B
C
D
E
端子分配
1
A
B
C
D
E
DAT2A
DAT3A
CMDA
DAT0A
DAT1A
2
V
CCA
CD
GND
CLKA
CLK -F
3
WP
V
建行
GND
CLKB
EN
4
DAT2B
DAT3B
CMDB
DAT0B
DAT1B
描述/订购信息
该TXS0206是一个电平移位器，用于连接微处理器，多媒体卡（MMC卡） ，安全数字（SD ）
卡和记忆棒卡。它包括一个高速的电平转换器与ESD保护和EMI
滤波电路。
电压电平转换器具有两个电源电压引脚。 V
CCA
以及V
建行
可以在整个操作
1.1 V至3.6 V的TXS0206范围使系统设计人员能够轻松连接应用处理器或
数字基带内存卡和SDIO外设在不同的I / O电压电平操作。
存储卡标准推荐的高ESD保护对于直接连接到外部存储装置
卡。为了满足这一需要， TXS0206采用± 15 kV的气隙放电和± 8 kV接触放电
保护卡上的一面。
该TXS0206是在一个20焊球晶片芯片级封装（ WCSP ）提供。这个包有尺寸
1.96毫米× 1.56毫米，以有效节省电路板空间，一个0.4毫米焊球间距。存储卡被广泛用于
在移动电话，PDA ，数码相机，个人媒体播放器，摄像机，机顶盒等低静态
功耗和小封装尺寸使TXS0206这些应用的理想选择。
订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
(3)
包
(1) (2)
WCSP - YFP （无铅）
磁带和卷轴
订购型号
TXS0206YFPR
顶部端标记
(3)
_ _ _3T_
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
YFP ：实际的顶部端标记有以下三个在先字符来表示年，月，和序列码，和一个
字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅， =无铅） 。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
2008 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TXS0206
SCES697A - 2008年11月 - 修订2008年12月
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参考设计
V
CCA
V
建行
V
建行
C3
0.1 F
C4
0.1 F
C1
0.1 F
U1A
VDDA
DAT0
DAT1
DAT2
DAT3
CMD
CLK
CLKIN
GND
WP
CD
处理器
SD / SDIO MMC
A2
D1
E1
A1
B1
C1
D2
E2
U2
VCCA
DAT0A
DAT1A
DAT2A
DAT3A
CMDA
CLKA
CLK -F
GND
GND
VCCB
DAT0B
DAT1B E4 DAT1B
DAT2B A4 DAT2B
DAT3B B4 DAT3B
C4 CMDB
CMDB
D3 CLKB
CLKB
A3 WP
WP
B2 CD
CD
TXS0206
CLKB
DAT0B
DAT1B
CD
B3
D4 DAT0B
DAT2B
DAT3B
CMDB
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
J1
DAT2
DAT3
CMD
VSS1
VDD
CLK
VSS2
DAT0
DAT1
WP / CD （物理）
CD （物理）
GND
GND
WP （物理）
54794-0978
SD / SDIO卡
连接器
C2
C3
WP
图1.接口采用SD / SDIO卡
2
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TXS0206
2008 ，德州仪器
TXS0206
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SCES697A - 2008年11月 - 修订2008年12月
V
CCA
V
建行
V
建行
C3
0.1 F
C4
0.1 F
C1
0.1 F
U1A
VDDA
DAT0
DAT1
DAT2
DAT3
CMD
CLK
CLKIN
GND
CD
内存Stick
调节器
A2
D1
E1
A1
B1
C1
D2
E2
U2
VCCA
DAT0A
DAT1A
DAT2A
DAT3A
CMDA
CLKA
CLK -F
GND
GND
CD
TXS0206
B2 CD
E4 DAT1B
DAT1B
A4 DAT2B
DAT2B
B4 DAT3B
DAT3B
C4 CMDB
CMDB
D3 CLKB
CLKB
VCCB
DAT0B
B3
D4 DAT0B
CMDB
DAT1B
DAT0B
DAT2B
CD
DAT3B
CLKB
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VSS
BS
DATA1 （见注）
DATA0 / SDIO （见注）
DATA2 （见注）
插件
DATA3 （见注）
SCLK
VCC
VSS
内存Stick
连接器
C2
C3
注： TXS0206集成了上拉电阻的值取决于是否低，或会动态变化值
高信号通过该装置被传送。当输出为低电平时， TXS0206内部上拉电阻值是40
千欧，而当输出为高时，内部上拉电阻值变化到4千欧的值。对于MSA和MSH记忆
棒存储卡，以确保有效的V
IH
（即接收器输入电压高）实现时，内部下拉
电阻这些内存卡不超过10 kΩ的值。见
应用信息
本节
数据表，它解释一个下拉电阻的增加过重（即<10 kΩ的值），以将数据线的影响
该TXS0206设备和所得4-千欧的上拉/ 10 - kΩ的下拉电压分压器网络，其具有直接的
在V的影响
IH
该信号被发送到记忆棒 。
图2.接口采用记忆棒卡
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TXS0206
3
TXS0206
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ESD - 2千伏
1.8 V
CLK
反馈的Clk
CMD
中央处理器
数据0-3
EN
WP ，CD
一个侧面
ESD - ± 8 kV接触放电
± 4 kV的气隙放电
B面
CLK
CMD
数据0-3
电平转换器
集成
ASIP
天线
销10 ， 11
2.9 V
MMC卡， SD卡，
或MS卡
WP ， CD 1.8 -V上拉
WP ，CD
集成的上拉/下拉电阻
图3.典型应用电路
逻辑表
EN
L
H
译者的I / O
残疾人，拉至V
CCA
, V
建行
通过40千欧
活跃
4
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终端功能
终奌站
号
A1
A2
A3
A4
B1
B2
B3
B4
C1
C2, C3
C4
D1
D2
D3
D4
E1
E2
E3
E4
名字
DAT2A
V
CCA
WP
DAT2B
DAT3A
CD
V
建行
DAT3B
CMDA
GND
CMDB
DAT0A
CLKA
CLKB
DAT0B
DAT1A
CLK -F
EN
DAT1B
I / O
I / O
I
O
I / O
I / O
O
I
I / O
TYPE
I / O
PWR
O
I / O
I / O
O
PWR
I / O
I / O
描述
数据位2连接到主机。参考V
CCA
。包括一个40 kΩ的上拉电阻到V
CCA 。
A-端口的电源电压。 V
CCA
权力全部A端口I / O和控制输入。
连接到写保护机械连接器上。 WP引脚有一个内部100 kΩ的上拉
电阻TO V
CCA
.
数据位2连接到存储卡中。参考V
建行
。包括一个40 kΩ的上拉电阻到V
建行
.
数据位3连接到主机。参考V
CCA
。包括一个40 kΩ的上拉电阻到V
CCA
.
连接到卡检测机械连接器上。该CD引脚具有内部100 kΩ的上拉电阻
到V
CCA
.
乙端口的电源电压。 V
建行
权力所有的B端口的I / O 。
数据位3连到存储卡中。参考V
建行
。包括一个40 kΩ的上拉电阻到V
建行
.
命令位连接到主机。参考V
CCA
。包括一个40 kΩ的上拉电阻到V
CCA
.
地
命令位连接到存储卡中。参考V
建行
。包括一个40 kΩ的上拉电阻到V
建行
.
数据位0连接到主机。参考V
CCA
。包括一个40 kΩ的上拉电阻到V
CCA
.
时钟信号连接到主机。参考V
CCA
.
时钟信号连接到存储卡中。参考V
建行
.
数据位0连接到存储卡中。参考V
建行
。包括一个40 kΩ的上拉电阻到V
建行
.
数据位1连接到主机。参考V
CCA
。包括一个40 kΩ的上拉电阻到V
CCA
.
时钟反馈到主机的数据重新同步到处理器。悬空如果不使用。
启用/禁用控制。拉EN低放置在高阻状态，所有输出。参考V
CCA
.
数据位1连接到存储卡中。参考V
建行
。包括一个40 kΩ的上拉电阻到V
建行
.
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TXS0206
5
TXS0206
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SCES697C - 2009年8月 - 修订2010年1月
MMC卡，SD卡，记忆棒电压转换收发器
具有ESD保护和EMI滤波
检查样品：
TXS0206
1
特点
电平转换器
– V
CCA
和V
建行
1.1 V至3.6 V范围
- 快速传播延迟（ 4 ns（最大值）时
翻译在1.8 V和3 V ）
集成EMI滤波与ESD保护
电路
ESD保护超过JESD 22 （A口）
- 2500 -V人体模型（ A114 -B ）
- 250 -V机型号（ A115 -A ）
- 1500 -V带电器件模型（ C101 ）
± 8 kV接触放电IEC 61000-4-2 ESD
（B端口）
2
YFP套餐
（ TOP VIEW ）
1 2 3 4
A
B
C
D
E
端子分配
1
A
B
C
D
E
DAT2A
DAT3A
CMDA
DAT0A
DAT1A
2
V
CCA
CD
GND
CLKA
CLK -F
3
WP
V
建行
GND
CLKB
EN
4
DAT2B
DAT3B
CMDB
DAT0B
DAT1B
描述/订购信息
该TXS0206是一个电平移位器，用于连接微处理器，多媒体卡（MMC卡） ，安全数字（SD ）
卡和记忆棒卡。它包括一个高速的电平转换器与ESD保护和EMI
滤波电路。
电压电平转换器具有两个电源电压引脚。 V
CCA
以及V
建行
可以在整个操作
1.1 V至3.6 V的TXS0206范围使系统设计人员能够轻松连接应用处理器或
数字基带内存卡和SDIO外设在不同的I / O电压电平操作。
存储卡标准推荐的高ESD保护对于直接连接到外部存储装置
卡。为了满足这一需要， TXS0206集成在卡面± 8 kV接触放电保护。
该TXS0206是在一个20焊球晶片芯片级封装（ WCSP ）提供。这个包有尺寸
1.96毫米× 1.56毫米，以有效节省电路板空间，一个0.4毫米焊球间距。存储卡被广泛用于
在移动电话，PDA ，数码相机，个人媒体播放器，摄像机，机顶盒等低静态
功耗和小封装尺寸使TXS0206这些应用的理想选择。
订购信息
(1)
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
(3)
包
(2)
WCSP - YFP （无铅）
磁带和卷轴
订购型号
TXS0206YFPR
顶部端标记
(3)
_ _ _3T_
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
YFP ：实际的顶部端标记有以下三个在先字符来表示年，月，和序列码，和一个
字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅， =无铅） 。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有2009-2010，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TXS0206
SCES697C - 2009年8月 - 修订2010年1月
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参考设计
V
CCA
V
建行
V
建行
C3
0.1 F
C4
0.1 F
C1
0.1 F
U1A
VDDA
DAT0
DAT1
DAT2
DAT3
CMD
CLK
CLKIN
GND
WP
CD
处理器
SD / SDIO MMC
A2
D1
E1
A1
B1
C1
D2
E2
U2
VCCA
DAT0A
DAT1A
DAT2A
DAT3A
CMDA
CLKA
CLK -F
GND
GND
VCCB
DAT0B
DAT1B E4 DAT1B
DAT2B A4 DAT2B
DAT3B B4 DAT3B
C4 CMDB
CMDB
D3 CLKB
CLKB
A3 WP
WP
B2 CD
CD
TXS0206
CLKB
DAT0B
DAT1B
CD
B3
D4 DAT0B
DAT2B
DAT3B
CMDB
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
J1
DAT2
DAT3
CMD
VSS1
VDD
CLK
VSS2
DAT0
DAT1
WP / CD （物理）
CD （物理）
GND
GND
WP （物理）
54794-0978
SD / SDIO卡
连接器
C2
C3
WP
图1.接口采用SD / SDIO卡
2
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V
CCA
V
建行
V
建行
C3
0.1 F
C4
0.1 F
C1
0.1 F
U1A
VDDA
DAT0
DAT1
DAT2
DAT3
CMD
CLK
CLKIN
GND
CD
内存Stick
调节器
A2
D1
E1
A1
B1
C1
D2
E2
U2
VCCA
DAT0A
DAT1A
DAT2A
DAT3A
CMDA
CLKA
CLK -F
GND
GND
CD
TXS0206
B2 CD
E4 DAT1B
DAT1B
A4 DAT2B
DAT2B
B4 DAT3B
DAT3B
C4 CMDB
CMDB
D3 CLKB
CLKB
VCCB
DAT0B
B3
D4 DAT0B
CMDB
DAT1B
DAT0B
DAT2B
CD
DAT3B
CLKB
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VSS
BS
DATA1 （见注）
DATA0 / SDIO （见注）
DATA2 （见注）
插件
DATA3 （见注）
SCLK
VCC
VSS
内存Stick
连接器
C2
C3
注： TXS0206集成了上拉电阻的值取决于是否低，或会动态变化值
高信号通过该装置被传送。当输出为低电平时， TXS0206内部上拉电阻值是
40千欧，而当输出为高时，内部上拉电阻值变化到4千欧的值。对于MSA和MSH记忆
棒存储卡，以确保有效的V
IH
（即接收器输入电压高）实现时，内部下拉
电阻这些内存卡不超过10 kΩ的值。见
应用信息
本节
数据表，它解释一个下拉电阻的增加过重（即<10 kΩ的值），以将数据线的影响
该TXS0206设备和所得4-千欧的上拉/ 10 - kΩ的下拉电压分压器网络，其具有直接的
在V的影响
IH
该信号被发送到记忆棒 。
图2.接口采用记忆棒卡
版权所有2009-2010，德州仪器
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ESD - 2千伏
1.8 V
CLK
反馈的Clk
CMD
中央处理器
数据0-3
EN
WP ，CD
一个侧面
ESD - ± 8 kV接触放电
B面
CLK
CMD
数据0-3
电平转换器
集成
ASIP
天线
销10 ， 11
2.9 V
MMC卡， SD卡，
或MS卡
WP ， CD 1.8 -V上拉
WP ，CD
集成的上拉/下拉电阻
图3.典型应用电路
逻辑表
EN
L
H
译者的I / O
残疾人，拉至V
CCA
, V
建行
通过40千欧
活跃
4
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终端功能
终奌站
号
A1
A2
A3
A4
B1
B2
B3
B4
C1
C2, C3
C4
D1
D2
D3
D4
E1
E2
E3
E4
名字
DAT2A
V
CCA
WP
DAT2B
DAT3A
CD
V
建行
DAT3B
CMDA
GND
CMDB
DAT0A
CLKA
CLKB
DAT0B
DAT1A
CLK -F
EN
DAT1B
I / O
I / O
I
O
I / O
I / O
O
I
I / O
TYPE
I / O
PWR
O
I / O
I / O
O
PWR
I / O
I / O
描述
数据位2连接到主机。参考V
CCA
。包括一个40 kΩ的上拉电阻到V
CCA 。
A-端口的电源电压。 V
CCA
权力全部A端口I / O和控制输入。
连接到写保护机械连接器上。 WP引脚有一个内部100 kΩ的上拉
电阻TO V
CCA
.
数据位2连接到存储卡中。参考V
建行
。包括一个40 kΩ的上拉电阻到V
建行
.
数据位3连接到主机。参考V
CCA
。包括一个40 kΩ的上拉电阻到V
CCA
.
连接到卡检测机械连接器上。该CD引脚具有内部100 kΩ的上拉电阻
到V
CCA
.
乙端口的电源电压。 V
建行
权力所有的B端口的I / O 。
数据位3连到存储卡中。参考V
建行
。包括一个40 kΩ的上拉电阻到V
建行
.
命令位连接到主机。参考V
CCA
。包括一个40 kΩ的上拉电阻到V
CCA
.
地
命令位连接到存储卡中。参考V
建行
。包括一个40 kΩ的上拉电阻到V
建行
.
数据位0连接到主机。参考V
CCA
。包括一个40 kΩ的上拉电阻到V
CCA
.
时钟信号连接到主机。参考V
CCA
.
时钟信号连接到存储卡中。参考V
建行
.
数据位0连接到存储卡中。参考V
建行
。包括一个40 kΩ的上拉电阻到V
建行
.
数据位1连接到主机。参考V
CCA
。包括一个40 kΩ的上拉电阻到V
CCA
.
时钟反馈到主机的数据重新同步到处理器。悬空如果不使用。
启用/禁用控制。拉EN低放置在高阻状态，所有输出。参考V
CCA
.
数据位1连接到存储卡中。参考V
建行
。包括一个40 kΩ的上拉电阻到V
建行
.
版权所有2009-2010，德州仪器
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QQ：2881677436 复制
