TXS0206-29
www.ti.com
SCES690 - 2009年12月
MMC卡，SD卡，记忆棒电压转换收发器和LDO
具有ESD保护和EMI滤波稳压器
1
特点
电平转换器
– V
CCA
1.1 V至3.6 V范围
- 快速传播延迟（ 4 ns（最大值）时
翻译1.8 V至2.9 V）
低压差（ LDO ）稳压器
- 200 mA的LDO稳压器启用
- 2.9 V输出电压
- 3.05 V至5.5 V的输入电压范围
- 非常低压差： 200 mV的在200毫安
YFP套餐
（ TOP VIEW ）
ESD保护超过JESD 22 （A口）
- 2000 -V人体模型（ A114 -B ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
± 8 kV接触放电IEC 61000-4-2 ESD
（B端口）
端子分配
1
A
DAT2A
DAT3A
CMDA
DAT0A
DAT1A
B
C
D
E
2
V
CCA
V
BATT
GND
CLKA
CLK -F
3
WP / CD
V
建行
O / P
GND
CLKB
EN
4
DAT2B
DAT3B
CMDB
DAT0B
DAT1B
1 2 3 4
A
B
C
D
E
描述/订购信息
该TXS0206-29是用于连接微处理器，多媒体卡（MMC卡） ，安全的完整解决方案
数字（ SD）卡和记忆棒卡。它包括一个高速的电平转换器，低压差
（ LDO）稳压器，IEC级ESD保护，及EMI滤波电路。
电压电平转换器具有两个电源电压引脚。 V
CCA
可以通过向全方位1.1V的操作
3.6 V. V
建行
被设定在2.9 V和由内部LDO提供。集成的LDO接收来自输入电压
3.05V至高达5.5 V和输出2.9伏， 200毫安到B侧电路和外部存储卡。该
TXS0206-29使系统设计者能够轻松连接低电压微处理器存储卡
在2.9 V.工作
存储卡标准推荐的高ESD保护对于直接连接到外部存储装置
卡。为了满足这一需要， TXS0206-29集成在卡面± 8 kV接触放电保护。
因为存储卡被广泛应用于移动电话，PDA ，数码相机，个人媒体播放器，
摄录一体机，机顶盒等低静态功耗和小尺寸封装使TXS0206-29的
这些应用的理想选择。该TXS0206-29是在一个20焊球晶片芯片级封装（ WCSP ）提供。
这个包有1.96 mm尺寸× 1.56毫米，对有效节省电路板空间0.4毫米焊球间距
订购信息
(1)
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
(3)
包
(2)
WCSP - YFP （无铅）
磁带和卷轴
订购型号
TXS0206-29YFPR
顶部端标记
(3)
___3V2
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
实际的顶端标记有三个在先符号来表示年，月，和顺序码。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2009年，德州仪器
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表1.逻辑表
EN
L
H
LDO
残
活跃
译者的I / O
残疾人，拉至V
CCA
, V
建行
O / P到R
1
和R
2
在70kΩ的上拉电阻分别为
活跃
终端功能
终奌站
号
A1
A2
A3
A4
B1
B2
B3
B4
C1
C2,
C3
C4
D1
D2
D3
D4
E1
E2
E3
E4
名字
DAT2A
V
CCA
WP / CD
DAT2B
DAT3A
V
BATT
V
建行
O / P
DAT3B
CMDA
GND
CMDB
DAT0A
CLKA
CLKB
DAT0B
DAT1A
CLK -F
EN
DAT1B
I / O
I / O
输入
产量
I / O
I / O
产量
输入
I / O
TYPE
I / O
动力
产量
I / O
I / O
输入
产量
I / O
I / O
描述
数据位2连接到主机。参考V
CCA
。中存在R
1
电阻上拉至V
CCA
（见注一） 。
A-端口的电源电压。 V
CCA
权力全部A端口I / O和控制输入。
连接到写保护机械连接器上。 WP引脚有一个内部100 kΩ的上拉
电阻TO V
CCA
.
数据位2连接到存储卡中。参考V
建行
O / P 。中存在R
2
上拉电阻
V
建行
O / P （见注一） 。
数据位3连接到主机。参考V
CCA
。中存在R
1
电阻上拉至V
CCA
（见注一） 。
由电池供电的LDO的输入电压
LDO的输出电压和B端口的电源电压。 V
建行
O / P权力，所有的B端口的I / O 。
数据位3连到存储卡中。参考V
建行
O / P 。中存在R
2
上拉电阻
V
建行
O / P （见注一） 。
命令位连接到主机。参考V
CCA
。中存在R
1
电阻上拉至V
CCA
（见注
A).
地
命令位连接到存储卡中。参考V
建行
O / P 。中存在R
2
上拉电阻
V
建行
O / P （见注一） 。
数据位0连接到主机。参考V
CCA
。中存在R
1
电阻上拉至V
CCA
（见注一） 。
时钟信号连接到主机。参考V
CCA
.
时钟信号连接到存储卡中。参考V
建行
O / P 。
数据位0连接到存储卡中。参考V
建行
O / P 。中存在R
2
上拉电阻
V
建行
O / P （见注一） 。
数据位1连接到主机。参考V
CCA
。中存在R
1
电阻上拉至V
CCA
（见注一） 。
时钟反馈到主机的数据重新同步到处理器。悬空如果不使用。
启用/禁用控制。拉EN低放置在高阻状态，所有输出和禁用LDO 。
参考V
CCA
.
数据位1连接到存储卡中。参考V
建行
O / P 。中存在R
2
上拉电阻
V
建行
O / P （见注一） 。
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V
CCA
EN
（见注B）
CLKA
V
建行
CLKB
CLK -F
V
CCA
V
建行
R1
（见注一）
翻译者
单稳
R2
（见注一）
单稳
CMDA
门控制
CMDB
单稳
翻译者
单稳
V
CCA
V
建行
R1
（见注一）
翻译者
单稳
R2
（见注一）
单稳
DAT0A
门控制
DAT0B
单稳
翻译者
单稳
V
CCA
V
建行
R1
（见注一）
翻译者
单稳
R2
（见注一）
单稳
DAT1A
门控制
DAT1B
单稳
翻译者
单稳
V
CCA
V
建行
R1
（见注一）
翻译者
单稳
R2
（见注一）
单稳
DAT2A
门控制
DAT2B
单稳
翻译者
单稳
V
CCA
V
建行
R1
（见注一）
翻译者
单稳
R2
（见注一）
单稳
DAT3A
门控制
DAT3B
单稳
翻译者
单稳
V
CCA
100千瓦
WP / CD
A.
R
1
和R
2
电阻值的确定基于施加到A端口和B端口的逻辑电平如下所示：
R
1
和R
2
=当一个逻辑低电平被施加到A端口和B端口40千欧。
R
1
和R
2
= 4千欧时一个逻辑高电平加到A端口和B端口。
R
1
和R
2
= 70 kΩ的当口被取消（或高Z或三态） 。
EN控制所有的输出缓冲器。当EN =低电平时，所有输出高阻。
B.
图3.逻辑图
4
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MMC卡，SD卡，记忆棒电压转换收发器和LDO
具有ESD保护和EMI滤波稳压器
1
特点
电平转换器
– V
CCA
1.1 V至3.6 V范围
- 快速传播延迟（ 4 ns（最大值）时
翻译1.8 V至2.9 V）
低压差（ LDO ）稳压器
- 200 mA的LDO稳压器启用
- 2.9 V输出电压
- 3.05 V至5.5 V的输入电压范围
- 非常低压差： 200 mV的在200毫安
YFP套餐
（ TOP VIEW ）
ESD保护超过JESD 22 （A口）
- 2000 -V人体模型（ A114 -B ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
± 8 kV接触放电IEC 61000-4-2 ESD
（B端口）
端子分配
1
A
DAT2A
DAT3A
CMDA
DAT0A
DAT1A
B
C
D
E
2
V
CCA
V
BATT
GND
CLKA
CLK -F
3
WP / CD
V
建行
O / P
GND
CLKB
EN
4
DAT2B
DAT3B
CMDB
DAT0B
DAT1B
1 2 3 4
A
B
C
D
E
描述/订购信息
该TXS0206-29是用于连接微处理器，多媒体卡（MMC卡） ，安全的完整解决方案
数字（ SD）卡和记忆棒卡。它包括一个高速的电平转换器，低压差
（ LDO）稳压器，IEC级ESD保护，及EMI滤波电路。
电压电平转换器具有两个电源电压引脚。 V
CCA
可以通过向全方位1.1V的操作
3.6 V. V
建行
被设定在2.9 V和由内部LDO提供。集成的LDO接收来自输入电压
3.05V至高达5.5 V和输出2.9伏， 200毫安到B侧电路和外部存储卡。该
TXS0206-29使系统设计者能够轻松连接低电压微处理器存储卡
在2.9 V.工作
存储卡标准推荐的高ESD保护对于直接连接到外部存储装置
卡。为了满足这一需要， TXS0206-29集成在卡面± 8 kV接触放电保护。
因为存储卡被广泛应用于移动电话，PDA ，数码相机，个人媒体播放器，
摄录一体机，机顶盒等低静态功耗和小尺寸封装使TXS0206-29的
这些应用的理想选择。该TXS0206-29是在一个20焊球晶片芯片级封装（ WCSP ）提供。
这个包有1.96 mm尺寸× 1.56毫米，对有效节省电路板空间0.4毫米焊球间距
订购信息
(1)
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
(3)
包
(2)
WCSP - YFP （无铅）
磁带和卷轴
订购型号
TXS0206-29YFPR
顶部端标记
(3)
___3V2
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
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包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
实际的顶端标记有三个在先符号来表示年，月，和顺序码。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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表1.逻辑表
EN
L
H
LDO
残
活跃
译者的I / O
残疾人，拉至V
CCA
, V
建行
O / P到R
1
和R
2
在70kΩ的上拉电阻分别为
活跃
终端功能
终奌站
号
A1
A2
A3
A4
B1
B2
B3
B4
C1
C2,
C3
C4
D1
D2
D3
D4
E1
E2
E3
E4
名字
DAT2A
V
CCA
WP / CD
DAT2B
DAT3A
V
BATT
V
建行
O / P
DAT3B
CMDA
GND
CMDB
DAT0A
CLKA
CLKB
DAT0B
DAT1A
CLK -F
EN
DAT1B
I / O
I / O
输入
产量
I / O
I / O
产量
输入
I / O
TYPE
I / O
动力
产量
I / O
I / O
输入
产量
I / O
I / O
描述
数据位2连接到主机。参考V
CCA
。中存在R
1
电阻上拉至V
CCA
（见注一） 。
A-端口的电源电压。 V
CCA
权力全部A端口I / O和控制输入。
连接到写保护机械连接器上。 WP引脚有一个内部100 kΩ的上拉
电阻TO V
CCA
.
数据位2连接到存储卡中。参考V
建行
O / P 。中存在R
2
上拉电阻
V
建行
O / P （见注一） 。
数据位3连接到主机。参考V
CCA
。中存在R
1
电阻上拉至V
CCA
（见注一） 。
由电池供电的LDO的输入电压
LDO的输出电压和B端口的电源电压。 V
建行
O / P权力，所有的B端口的I / O 。
数据位3连到存储卡中。参考V
建行
O / P 。中存在R
2
上拉电阻
V
建行
O / P （见注一） 。
命令位连接到主机。参考V
CCA
。中存在R
1
电阻上拉至V
CCA
（见注
A).
地
命令位连接到存储卡中。参考V
建行
O / P 。中存在R
2
上拉电阻
V
建行
O / P （见注一） 。
数据位0连接到主机。参考V
CCA
。中存在R
1
电阻上拉至V
CCA
（见注一） 。
时钟信号连接到主机。参考V
CCA
.
时钟信号连接到存储卡中。参考V
建行
O / P 。
数据位0连接到存储卡中。参考V
建行
O / P 。中存在R
2
上拉电阻
V
建行
O / P （见注一） 。
数据位1连接到主机。参考V
CCA
。中存在R
1
电阻上拉至V
CCA
（见注一） 。
时钟反馈到主机的数据重新同步到处理器。悬空如果不使用。
启用/禁用控制。拉EN低放置在高阻状态，所有输出和禁用LDO 。
参考V
CCA
.
数据位1连接到存储卡中。参考V
建行
O / P 。中存在R
2
上拉电阻
V
建行
O / P （见注一） 。
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V
CCA
EN
（见注B）
CLKA
V
建行
CLKB
CLK -F
V
CCA
V
建行
R1
（见注一）
翻译者
单稳
R2
（见注一）
单稳
CMDA
门控制
CMDB
单稳
翻译者
单稳
V
CCA
V
建行
R1
（见注一）
翻译者
单稳
R2
（见注一）
单稳
DAT0A
门控制
DAT0B
单稳
翻译者
单稳
V
CCA
V
建行
R1
（见注一）
翻译者
单稳
R2
（见注一）
单稳
DAT1A
门控制
DAT1B
单稳
翻译者
单稳
V
CCA
V
建行
R1
（见注一）
翻译者
单稳
R2
（见注一）
单稳
DAT2A
门控制
DAT2B
单稳
翻译者
单稳
V
CCA
V
建行
R1
（见注一）
翻译者
单稳
R2
（见注一）
单稳
DAT3A
门控制
DAT3B
单稳
翻译者
单稳
V
CCA
100千瓦
WP / CD
A.
R
1
和R
2
电阻值的确定基于施加到A端口和B端口的逻辑电平如下所示：
R
1
和R
2
=当一个逻辑低电平被施加到A端口和B端口40千欧。
R
1
和R
2
= 4千欧时一个逻辑高电平加到A端口和B端口。
R
1
和R
2
= 70 kΩ的当口被取消（或高Z或三态） 。
EN控制所有的输出缓冲器。当EN =低电平时，所有输出高阻。
B.
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MMC卡，SD卡，记忆棒电压转换收发器和LDO
具有ESD保护和EMI滤波稳压器
1
特点
电平转换器
– V
CCA
1.1 V至3.6 V范围
- 快速传播延迟（ 4 ns（最大值）时
翻译1.8 V至2.9 V）
低压差（ LDO ）稳压器
- 200 mA的LDO稳压器启用
- 2.9 V输出电压
- 3.05 V至5.5 V的输入电压范围
- 非常低压差： 200 mV的在200毫安
YFP套餐
（ TOP VIEW ）
ESD保护超过JESD 22 （A口）
- 2000 -V人体模型（ A114 -B ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
± 8 kV接触放电IEC 61000-4-2 ESD
（B端口）
端子分配
1
A
DAT2A
DAT3A
CMDA
DAT0A
DAT1A
B
C
D
E
2
V
CCA
V
BATT
GND
CLKA
CLK -F
3
WP / CD
V
建行
O / P
GND
CLKB
EN
4
DAT2B
DAT3B
CMDB
DAT0B
DAT1B
1 2 3 4
A
B
C
D
E
描述/订购信息
该TXS0206-29是用于连接微处理器，多媒体卡（MMC卡） ，安全的完整解决方案
数字（ SD）卡和记忆棒卡。它包括一个高速的电平转换器，低压差
（ LDO）稳压器，IEC级ESD保护，及EMI滤波电路。
电压电平转换器具有两个电源电压引脚。 V
CCA
可以通过向全方位1.1V的操作
3.6 V. V
建行
被设定在2.9 V和由内部LDO提供。集成的LDO接收来自输入电压
3.05V至高达5.5 V和输出2.9伏， 200毫安到B侧电路和外部存储卡。该
TXS0206-29使系统设计者能够轻松连接低电压微处理器存储卡
在2.9 V.工作
存储卡标准推荐的高ESD保护对于直接连接到外部存储装置
卡。为了满足这一需要， TXS0206-29集成在卡面± 8 kV接触放电保护。
因为存储卡被广泛应用于移动电话，PDA ，数码相机，个人媒体播放器，
摄录一体机，机顶盒等低静态功耗和小尺寸封装使TXS0206-29的
这些应用的理想选择。该TXS0206-29是在一个20焊球晶片芯片级封装（ WCSP ）提供。
这个包有1.96 mm尺寸× 1.56毫米，对有效节省电路板空间0.4毫米焊球间距
订购信息
(1)
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
(3)
包
(2)
WCSP - YFP （无铅）
磁带和卷轴
订购型号
TXS0206-29YFPR
顶部端标记
(3)
___3V2
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
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包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
实际的顶端标记有三个在先符号来表示年，月，和顺序码。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2009年，德州仪器
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残
活跃
译者的I / O
残疾人，拉至V
CCA
, V
建行
O / P到R
1
和R
2
在70kΩ的上拉电阻分别为
活跃
终端功能
终奌站
号
A1
A2
A3
A4
B1
B2
B3
B4
C1
C2,
C3
C4
D1
D2
D3
D4
E1
E2
E3
E4
名字
DAT2A
V
CCA
WP / CD
DAT2B
DAT3A
V
BATT
V
建行
O / P
DAT3B
CMDA
GND
CMDB
DAT0A
CLKA
CLKB
DAT0B
DAT1A
CLK -F
EN
DAT1B
I / O
I / O
输入
产量
I / O
I / O
产量
输入
I / O
TYPE
I / O
动力
产量
I / O
I / O
输入
产量
I / O
I / O
描述
数据位2连接到主机。参考V
CCA
。中存在R
1
电阻上拉至V
CCA
（见注一） 。
A-端口的电源电压。 V
CCA
权力全部A端口I / O和控制输入。
连接到写保护机械连接器上。 WP引脚有一个内部100 kΩ的上拉
电阻TO V
CCA
.
数据位2连接到存储卡中。参考V
建行
O / P 。中存在R
2
上拉电阻
V
建行
O / P （见注一） 。
数据位3连接到主机。参考V
CCA
。中存在R
1
电阻上拉至V
CCA
（见注一） 。
由电池供电的LDO的输入电压
LDO的输出电压和B端口的电源电压。 V
建行
O / P权力，所有的B端口的I / O 。
数据位3连到存储卡中。参考V
建行
O / P 。中存在R
2
上拉电阻
V
建行
O / P （见注一） 。
命令位连接到主机。参考V
CCA
。中存在R
1
电阻上拉至V
CCA
（见注
A).
地
命令位连接到存储卡中。参考V
建行
O / P 。中存在R
2
上拉电阻
V
建行
O / P （见注一） 。
数据位0连接到主机。参考V
CCA
。中存在R
1
电阻上拉至V
CCA
（见注一） 。
时钟信号连接到主机。参考V
CCA
.
时钟信号连接到存储卡中。参考V
建行
O / P 。
数据位0连接到存储卡中。参考V
建行
O / P 。中存在R
2
上拉电阻
V
建行
O / P （见注一） 。
数据位1连接到主机。参考V
CCA
。中存在R
1
电阻上拉至V
CCA
（见注一） 。
时钟反馈到主机的数据重新同步到处理器。悬空如果不使用。
启用/禁用控制。拉EN低放置在高阻状态，所有输出和禁用LDO 。
参考V
CCA
.
数据位1连接到存储卡中。参考V
建行
O / P 。中存在R
2
上拉电阻
V
建行
O / P （见注一） 。
版权所有 2009年，德州仪器
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（见注B）
CLKA
V
建行
CLKB
CLK -F
V
CCA
V
建行
R1
（见注一）
翻译者
单稳
R2
（见注一）
单稳
CMDA
门控制
CMDB
单稳
翻译者
单稳
V
CCA
V
建行
R1
（见注一）
翻译者
单稳
R2
（见注一）
单稳
DAT0A
门控制
DAT0B
单稳
翻译者
单稳
V
CCA
V
建行
R1
（见注一）
翻译者
单稳
R2
（见注一）
单稳
DAT1A
门控制
DAT1B
单稳
翻译者
单稳
V
CCA
V
建行
R1
（见注一）
翻译者
单稳
R2
（见注一）
单稳
DAT2A
门控制
DAT2B
单稳
翻译者
单稳
V
CCA
V
建行
R1
（见注一）
翻译者
单稳
R2
（见注一）
单稳
DAT3A
门控制
DAT3B
单稳
翻译者
单稳
V
CCA
100千瓦
WP / CD
A.
R
1
和R
2
电阻值的确定基于施加到A端口和B端口的逻辑电平如下所示：
R
1
和R
2
=当一个逻辑低电平被施加到A端口和B端口40千欧。
R
1
和R
2
= 4千欧时一个逻辑高电平加到A端口和B端口。
R
1
和R
2
= 70 kΩ的当口被取消（或高Z或三态） 。
EN控制所有的输出缓冲器。当EN =低电平时，所有输出高阻。
B.
图3.逻辑图
4
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