TVSF0603
T
RANSIENT
P
ROTECTION
P
RODUCTS
“ FemtoFarad ”聚合物ESD抑制器
描述
主要特点
W W W.
Microsemi的
.COM
在“ FemtoFarad ”系列产品是专门针对ESD
双向
保护
脆弱的电子元件，特别是在IO口。的导通续萎缩
亚微米尺寸的片式元件的几何形状降低了ESD的水平，在这
懊恼和故障发生的范围内，保护是强制性的可靠性
电源和数据线接口。这一系列的子皮法电容提供
无需直线通过6 GHz的优异性能与最小衰减
或谐波失真以及到GHz范围内。在关断状态，这FemtoFarad ，
基于聚合物的技术几乎是不可见的电路性能。其成熟
结构厚膜一个坚固的陶瓷底座，非常适合自动装配。
随后的段落和图表描述了出色的性能和
FemtoFarad组件和许多其他功能的可靠性，使它们的
设计师的选择ESD保护。
超过每IEC 61000-4-2浪涌
小占地面积0603
线性性能MHz的水平
超低电容
超低待机电流
快速响应时间
双向
无铅镀金端子
应用/优势
应用/优势
高速数据线路保护
低信号失真/衰减
移动/细胞ESD保护
手机
保护敏感的高频
组件
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
部分规格及特性
性能特点
连续直流工作电压
3
钳位电压
4
触发电压
5
ESD威胁电压能力
电容（ @ 1兆赫）
待机电流（ @ 12V）
3, 5
峰值电流
工作温度
3
ESD脉冲耐受
注意事项：
民
-
-
-
-
-
0.01
-
-56
20
典型值
-
35
125
8
0.15
<0.1
30
+25
2
>500
最大
24
60
-
15
0.25
-
45
+85
-
单位
V
V
V
kV
pF
nA
A
°C
＃脉冲
1.连续操作电压为12伏或更极端的温度和湿度下，可能会导致增加的泄漏电流和/或移
设备阻力。然而，即使在苛刻的环境测试，该装置的特征并没有达到改变到6伏直流操作。
2.当超过几百ESD脉冲以每秒或更快1脉冲非常快的速率进行测试，可能会出现一些偏移的特性。
3.
符合IEC 61000-4-2 ， 30 A @ 8千伏， 4级，电流钳测量取得了30纳秒脉冲开始后，在接触放电模式下，所有的测试。
利用传输线路脉冲（ TLP ）方法4.触发测量进行。
5.
FemtoFarad器件能够承受高达15千伏， 45一个ESD脉冲。设备额定值为8 kV的给出每注1 ，除非
另有规定ED 。
TVSF0603
TVSF0603
环境特定网络阳离子：
耐湿性，稳定状态： MIL -STD- 883 ，方法1004.7 ， 85％RH ， 85℃ ， 240小时。
热冲击： MIL- STD- 202，方法107G ， -65 ° C至125°C ， 30分钟。周期， 10周期
振动： MIL-STD- 202F ，方法201A， （10至55至10赫兹，1分钟循环，每个在XYZ 2小时）。
耐化学性： ASTM D- 543 ， 4小时@ 40 ℃，3溶液（ H 2 O中，洗涤液，除焊剂）
工作温度特性，测量在+ 25 ° C， + 85 ° C和-56 ℃的
满负荷电压： 14.4 V直流， 1000小时，25°C
焊料浸渍性和终端的附着力：每EIA- 576
可焊性： MIL - STD- 202方法208 （ 95 ％覆盖）
版权
2004
TVSF0603.PDF
2004年2月4日REV A
Microsemi的
瞬态保护产品集团
8700东·托马斯路，邮政信箱1390 ，斯科茨代尔AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
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TVSF0603
T
RANSIENT
P
ROTECTION
P
RODUCTS
“ FemtoFarad ”聚合物ESD抑制器
术语的定义：
W W W.
Microsemi的
.COM
钳位电压=
在该TVSF0603设备在稳定的电压
转变从高分到低阻抗。这是经历了由所述电压
电路，稳定，对于ESD瞬变的持续时间之后。
触发电压 -
的电压在该TVSF0603器件开始导通。
当ESD威胁电压达到这个水平， TVSF0603装置开始
从高阻抗低阻抗过渡，分流ESD能量
地面上。
威胁电压 -
该测试设备设置的电压下操作（即
放电容器两端的电压） 。
峰值电流 -
最大instanteneous当前水平的设备会
领取。 IEC- 61000-4-2规定的峰值电流应为30 A ，在8 kV的ESD
45一15千伏ESD 。
产品外形尺寸
R
T
H
0.6分
（ 0.023分）
1.1参考
（ .043 REF）
推荐焊锡
PAD概要
（根据IPC -SM -782 ）
L
W
IA S I ZE
TVSF0603
mm
（英寸）
1.0 MAX
（ .039 MAX）
L
1.60
±
0.10
(.063
±
.004)
W
0.80
±
0.10
(.031
±
.004)
H
0.50
±
0.10
(.020
±
.004)
T
0.30
±
0.20
(.012
±
.008)
R
0.70 ± .10
(.028 ± .004)
带盘式规格
4.0±0.10
(.157±.004)
B
2.0±0.05
(.079±.002)
3.5±0.05
(.138±.002)
8.0±0.30
(.315±.012)
1.75±0.10
(.069±.004)
21±0.8
(.827±.032)
13.0±0.5
(.512±.020)
2.0±0.75
(.079±.030)
毫米（英寸）
P
ACKAGE
D
ATA
P
ACKAGE
D
ATA
A
2.0±0.5
(.080±.020)
4.0±0.10
(.157±.004)
60.0±1.5
(2.362±.059)
178.0±2.0
(7.008±.080)
1.5±0.10
(.059±.004)
维
A
B
0603
1.80±0.20
(.071±.008)
.90±.20
(.035±.008)
9.0±1.5
(.354±.059)
版权
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8700东·托马斯路，邮政信箱1390 ，斯科茨代尔AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
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P
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“ FemtoFarad ”聚合物ESD抑制器
W W W.
Microsemi的
.COM
零件编号
femtofarad
设备
代号
设备
CON组fi guration
带与卷5000件
零件编号
TVSF设备不单独标示，但标记的带与卷线器本体上。组件是对称双向的，因此，
没有极性标记是必需的。
TVSF
0603
-
TR1
拾放大会
TVSF装置具有略呈圆形顶端中固有的制造。这种轻微的半径并不妨碍标准的接机和 -
放置装配方法。
测试方法
多种试验方法，通常需要对浪涌特性和耐受验证。结果可能会根据测试有所不同
由于电磁对仪表和非屏蔽电路的二次效应（ E和H ）领域的方法可
产生意外的结果。这是低于3千伏特别观察到，其中在100 ps的范围内上升时间的报道产生
电磁条件相当于30千伏/纳秒。
ESD露天/接触放电
这种快速上升的脉冲，其特征在于， IEC 61000-4-2 ，可以产生峰值电流高达45A与15千伏电压等级。联系
放电是因为它的可重复性测试的推荐方法;然而，真实世界的ESD事件是露天的人体
放电。空气放电引入预电晕放电与E和H场，使能量泄漏通过狭窄的通风口，
从隔离电路和外壳部分辐射。一个TVSF设备可能是非常有能力的ESD提供保护，但其
功能不佳电路板布局和屏蔽不足无效。 ESD浪涌上的导体已观察到电 -
磁旁路抑制电路造成扰乱或破坏。屏蔽可能需要补充抑制保护
设备。
D
ESCRIPTION
D
ESCRIPTION
传输线路脉冲（ TLP ）
的传输线路脉冲测试仪实现可控阻抗电缆提供一个方波电流脉冲。的优点
这种技术是该方波的恒定电流使要更准确地研究了保护结构的行为。
这种技术的实际实现产生具有比ESD脉冲稍微较慢的上升时间，但可以是一个波形
相关以提供大致相同的浪涌电流和能量。这个控制阻抗脉冲提供了更准确的
该装置由于引起一个快速上升的瞬态和反应性降低的电压过冲的触发电压的描
测试固定装置的部件。
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“ FemtoFarad ”聚合物ESD抑制器
选定的应用程序数据
ESD瞬态抑制与TVSF
图1.典型器件特性
W W W.
Microsemi的
.COM
图1
描绘了典型的TVSF
设备响应8 kV接触
ESD脉冲。在引发聚合
TSVF进行多余的能量以
地面和防止系统
损害ESD瞬态威胁。
顶级示波器轨迹的电流，
底部示波器轨迹是电压。
TVSF信号衰减
该TVSF0603 ESD过电压
保护器件具有超低
<0.25 pF的电容。当
通常从信号线安装
到地面上，它有一个可忽略的影响
的信号。
图2
显示了测试结果时
用精密的网络进行
在50分析器
电路多达6
千兆赫。只有0.2 dB最大
图2.信号衰减与频率的关系
dB的衰减
图3.典型待机电流
温度
平均漏电流与
与温度的关系
100
80
典型待机电流（泄漏）
TVSF
StandbyCurrent （ nA的）
在图3中， TVSF聚合物的漏电流
是典型的非常低，远低于1 nA的，即使上面
12 V直流工作电压。增加泄漏
电流可以在更高的工作电压可以预期
和升高的温度。
参考温度
图的
图的
60
40
20
24VDC
12VDC
6VDC
0
-60
-40
-20
0
20 25
40
60
80
1
00
温度（℃）
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“ FemtoFarad ”聚合物ESD抑制器
W W W.
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通过许多一致的ESD钳位电压
脉冲
As
图4
所示， TVSF聚合物器件
可靠和超过几百的持续时间稳定
脉冲。
该TVSF设备已经过测试，速度快ESD
脉冲8kV接触放电。钳位电压
经过500脉冲相对一致。这是远
超过大多数的设备将看到一生。
70
图4. ESD钳位电压与8 kV的ESD脉冲数
ESD钳位电压与8 kV的ESD脉冲数
60
ESD钳位电压（ V）
50
40
30
20
10
0
0
100
200
300
400
500
600
8 kV的ESD脉冲数
触发电压保持一致，通过
许多ESD脉冲
TLP触发电压（ V）
图5.典型的触发电压与ESD脉冲数
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
100
200
300
400
500
600
8 kV的ESD
作为静电放电脉冲的数目增加时，触发
电压保持在规定范围内以最小的
改变。
ESD脉冲的非常高的速度可能会影响
数百次后触发电压（例如， 1
每秒脉冲）。 TVSF被设计为随机
事件。
图的
图的
ESD脉冲的数目
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“ FemtoFarad ”聚合物ESD抑制器
描述
主要特点
W W W.
Microsemi的
.COM
在“ FemtoFarad ”系列产品是专门针对ESD
双向
保护
脆弱的电子元件，特别是在IO口。的导通续萎缩
亚微米尺寸的片式元件的几何形状降低了ESD的水平，在这
懊恼和故障发生的范围内，保护是强制性的可靠性
电源和数据线接口。这一系列的子皮法电容提供
无需直线通过6 GHz的优异性能与最小衰减
或谐波失真以及到GHz范围内。在关断状态，这FemtoFarad ，
基于聚合物的技术几乎是不可见的电路性能。其成熟
结构厚膜一个坚固的陶瓷底座，非常适合自动装配。
随后的段落和图表描述了出色的性能和
FemtoFarad组件和许多其他功能的可靠性，使它们的
设计师的选择ESD保护。
超过每IEC 61000-4-2浪涌
小占地面积0603
线性性能MHz的水平
超低电容
超低待机电流
快速响应时间
双向
无铅镀金端子
应用/优势
应用/优势
高速数据线路保护
低信号失真/衰减
移动/细胞ESD保护
手机
保护敏感的高频
组件
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
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部分规格及特性
性能特点
连续直流工作电压
3
钳位电压
4
触发电压
5
ESD威胁电压能力
电容（ @ 1兆赫）
待机电流（ @ 12V）
3, 5
峰值电流
工作温度
3
ESD脉冲耐受
注意事项：
民
-
-
-
-
-
0.01
-
-56
20
典型值
-
35
125
8
0.15
<0.1
30
+25
2
>500
最大
24
60
-
15
0.25
-
45
+85
-
单位
V
V
V
kV
pF
nA
A
°C
＃脉冲
1.连续操作电压为12伏或更极端的温度和湿度下，可能会导致增加的泄漏电流和/或移
设备阻力。然而，即使在苛刻的环境测试，该装置的特征并没有达到改变到6伏直流操作。
2.当超过几百ESD脉冲以每秒或更快1脉冲非常快的速率进行测试，可能会出现一些偏移的特性。
3.
符合IEC 61000-4-2 ， 30 A @ 8千伏， 4级，电流钳测量取得了30纳秒脉冲开始后，在接触放电模式下，所有的测试。
利用传输线路脉冲（ TLP ）方法4.触发测量进行。
5.
FemtoFarad器件能够承受高达15千伏， 45一个ESD脉冲。设备额定值为8 kV的给出每注1 ，除非
另有规定ED 。
TVSF0603
TVSF0603
环境特定网络阳离子：
耐湿性，稳定状态： MIL -STD- 883 ，方法1004.7 ， 85％RH ， 85℃ ， 240小时。
热冲击： MIL- STD- 202，方法107G ， -65 ° C至125°C ， 30分钟。周期， 10周期
振动： MIL-STD- 202F ，方法201A， （10至55至10赫兹，1分钟循环，每个在XYZ 2小时）。
耐化学性： ASTM D- 543 ， 4小时@ 40 ℃，3溶液（ H 2 O中，洗涤液，除焊剂）
工作温度特性，测量在+ 25 ° C， + 85 ° C和-56 ℃的
满负荷电压： 14.4 V直流， 1000小时，25°C
焊料浸渍性和终端的附着力：每EIA- 576
可焊性： MIL - STD- 202方法208 （ 95 ％覆盖）
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“ FemtoFarad ”聚合物ESD抑制器
术语的定义：
W W W.
Microsemi的
.COM
钳位电压=
在该TVSF0603设备在稳定的电压
转变从高分到低阻抗。这是经历了由所述电压
电路，稳定，对于ESD瞬变的持续时间之后。
触发电压 -
的电压在该TVSF0603器件开始导通。
当ESD威胁电压达到这个水平， TVSF0603装置开始
从高阻抗低阻抗过渡，分流ESD能量
地面上。
威胁电压 -
该测试设备设置的电压下操作（即
放电容器两端的电压） 。
峰值电流 -
最大instanteneous当前水平的设备会
领取。 IEC- 61000-4-2规定的峰值电流应为30 A ，在8 kV的ESD
45一15千伏ESD 。
产品外形尺寸
R
T
H
0.6分
（ 0.023分）
1.1参考
（ .043 REF）
推荐焊锡
PAD概要
（根据IPC -SM -782 ）
L
W
IA S I ZE
TVSF0603
mm
（英寸）
1.0 MAX
（ .039 MAX）
L
1.60
±
0.10
(.063
±
.004)
W
0.80
±
0.10
(.031
±
.004)
H
0.50
±
0.10
(.020
±
.004)
T
0.30
±
0.20
(.012
±
.008)
R
0.70 ± .10
(.028 ± .004)
带盘式规格
4.0±0.10
(.157±.004)
B
2.0±0.05
(.079±.002)
3.5±0.05
(.138±.002)
8.0±0.30
(.315±.012)
1.75±0.10
(.069±.004)
21±0.8
(.827±.032)
13.0±0.5
(.512±.020)
2.0±0.75
(.079±.030)
毫米（英寸）
P
ACKAGE
D
ATA
P
ACKAGE
D
ATA
A
2.0±0.5
(.080±.020)
4.0±0.10
(.157±.004)
60.0±1.5
(2.362±.059)
178.0±2.0
(7.008±.080)
1.5±0.10
(.059±.004)
维
A
B
0603
1.80±0.20
(.071±.008)
.90±.20
(.035±.008)
9.0±1.5
(.354±.059)
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W W W.
Microsemi的
.COM
零件编号
femtofarad
设备
代号
设备
CON组fi guration
带与卷5000件
零件编号
TVSF设备不单独标示，但标记的带与卷线器本体上。组件是对称双向的，因此，
没有极性标记是必需的。
TVSF
0603
-
TR1
拾放大会
TVSF装置具有略呈圆形顶端中固有的制造。这种轻微的半径并不妨碍标准的接机和 -
放置装配方法。
测试方法
多种试验方法，通常需要对浪涌特性和耐受验证。结果可能会根据测试有所不同
由于电磁对仪表和非屏蔽电路的二次效应（ E和H ）领域的方法可
产生意外的结果。这是低于3千伏特别观察到，其中在100 ps的范围内上升时间的报道产生
电磁条件相当于30千伏/纳秒。
ESD露天/接触放电
这种快速上升的脉冲，其特征在于， IEC 61000-4-2 ，可以产生峰值电流高达45A与15千伏电压等级。联系
放电是因为它的可重复性测试的推荐方法;然而，真实世界的ESD事件是露天的人体
放电。空气放电引入预电晕放电与E和H场，使能量泄漏通过狭窄的通风口，
从隔离电路和外壳部分辐射。一个TVSF设备可能是非常有能力的ESD提供保护，但其
功能不佳电路板布局和屏蔽不足无效。 ESD浪涌上的导体已观察到电 -
磁旁路抑制电路造成扰乱或破坏。屏蔽可能需要补充抑制保护
设备。
D
ESCRIPTION
D
ESCRIPTION
传输线路脉冲（ TLP ）
的传输线路脉冲测试仪实现可控阻抗电缆提供一个方波电流脉冲。的优点
这种技术是该方波的恒定电流使要更准确地研究了保护结构的行为。
这种技术的实际实现产生具有比ESD脉冲稍微较慢的上升时间，但可以是一个波形
相关以提供大致相同的浪涌电流和能量。这个控制阻抗脉冲提供了更准确的
该装置由于引起一个快速上升的瞬态和反应性降低的电压过冲的触发电压的描
测试固定装置的部件。
版权
2004
TVSF0603.PDF
2004年2月4日REV A
Microsemi的
瞬态保护产品集团
8700东·托马斯路，邮政信箱1390 ，斯科茨代尔AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
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第3页
TVSF0603
T
RANSIENT
P
ROTECTION
P
RODUCTS
“ FemtoFarad ”聚合物ESD抑制器
选定的应用程序数据
ESD瞬态抑制与TVSF
图1.典型器件特性
W W W.
Microsemi的
.COM
图1
描绘了典型的TVSF
设备响应8 kV接触
ESD脉冲。在引发聚合
TSVF进行多余的能量以
地面和防止系统
损害ESD瞬态威胁。
顶级示波器轨迹的电流，
底部示波器轨迹是电压。
TVSF信号衰减
该TVSF0603 ESD过电压
保护器件具有超低
<0.25 pF的电容。当
通常从信号线安装
到地面上，它有一个可忽略的影响
的信号。
图2
显示了测试结果时
用精密的网络进行
在50分析器
电路多达6
千兆赫。只有0.2 dB最大
图2.信号衰减与频率的关系
dB的衰减
图3.典型待机电流
温度
平均漏电流与
与温度的关系
100
80
典型待机电流（泄漏）
TVSF
StandbyCurrent （ nA的）
在图3中， TVSF聚合物的漏电流
是典型的非常低，远低于1 nA的，即使上面
12 V直流工作电压。增加泄漏
电流可以在更高的工作电压可以预期
和升高的温度。
参考温度
图的
图的
60
40
20
24VDC
12VDC
6VDC
0
-60
-40
-20
0
20 25
40
60
80
1
00
温度（℃）
版权
2004
TVSF0603.PDF
2004年2月4日REV A
Microsemi的
瞬态保护产品集团
8700东·托马斯路，邮政信箱1390 ，斯科茨代尔AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
http://www.microsemi.com/tvs
第4页
TVSF0603
T
RANSIENT
P
ROTECTION
P
RODUCTS
“ FemtoFarad ”聚合物ESD抑制器
W W W.
Microsemi的
.COM
通过许多一致的ESD钳位电压
脉冲
As
图4
所示， TVSF聚合物器件
可靠和超过几百的持续时间稳定
脉冲。
该TVSF设备已经过测试，速度快ESD
脉冲8kV接触放电。钳位电压
经过500脉冲相对一致。这是远
超过大多数的设备将看到一生。
70
图4. ESD钳位电压与8 kV的ESD脉冲数
ESD钳位电压与8 kV的ESD脉冲数
60
ESD钳位电压（ V）
50
40
30
20
10
0
0
100
200
300
400
500
600
8 kV的ESD脉冲数
触发电压保持一致，通过
许多ESD脉冲
TLP触发电压（ V）
图5.典型的触发电压与ESD脉冲数
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
100
200
300
400
500
600
8 kV的ESD
作为静电放电脉冲的数目增加时，触发
电压保持在规定范围内以最小的
改变。
ESD脉冲的非常高的速度可能会影响
数百次后触发电压（例如， 1
每秒脉冲）。 TVSF被设计为随机
事件。
图的
图的
ESD脉冲的数目
版权
2004
TVSF0603.PDF
2004年2月4日REV A
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