泰科/电子
Raychem公司
308宪法驱动器
门洛帕克，CA 94025
800-227-4856
FAX 800-227-4866
PolySwitch
SIBAR
晶闸管浪涌保护器
产品： TVB170SC
文件： 24273
PCN ： 295555
REV字母： B
版本日期： 2001年8月16日
第2页号： 1
规范状态：已发布
理化性质：
A
民
最大
民
B
最大
民
C
最大
民
D*
最大
民
H
最大
民
J
最大
民
K
最大
P
REF
民
S
最大
mm: 4.06 4.57 3.30 3.81 1.90 2.41 1.96 2.11 .051
中： 0.160 0.180 0.130 0.150 0.075 0.095 0.077 0.083 0.002
* D尺寸应内测量DIMENSION P
其它物理特性
.152
.006
0.15
.006
0.30
.012
0.76
.030
1.27
.050
0.51
.020
5.21
.205
5.59
.220
外形：
导线材料：
封装材料：
可焊性：
焊锡耐热耐压：
耐溶剂性：
机械冲击：
SMB （表面贴装DO- 214封装）
锡/铅涂层
环氧树脂，符合UL94 V- 0要求
每MIL -STD- 750 ，方法2026
每MIL -STD- 750，方法2031
每MIL -STD- 750，方法1022
每MIL -STD- 750，方法2016年
每EIA 481-1磁带和卷轴包装
泰科/电子
Raychem公司
308宪法驱动器
门洛帕克，CA 94025
800-227-4856
FAX 800-227-4866
PolySwitch
SIBAR
晶闸管浪涌保护器
产品： TVB170SC
文件： 24273
PCN ： 295555
REV字母： B
版本日期： 2001年8月16日
第2页NO：2
设备额定值@ 25° C（两极）
参数
断态电压，在最大
ID
= 5 A
非重复性峰值脉冲电流
双指数波形（注1及2 ）
10x1000微秒
五百六十○分之一十微秒
一百六分之一十微秒
2/10微秒
符号
VDM
IPP
1
IPP
2
IPP
3
IPP
4
的di / dt
价值
170
100
100
200
500
单位
V
A
A
A
A
通态电流临界上升率
最大的2×10微秒的波形，
VOC = 2.5kV的， ISC = 500A
PEAK
器件热额定值
存储温度范围
工作温度范围
阻断或导通状态
过载结温
最大;只有导通状态
250
A / μs的
TSTG
TA
TJ
-65到150
-40至125
+175
C
C
C
电气特性两极（T
J
@ 25℃ ，除非另有说明）
特征
符号
民
击穿电压
(+25C)
----
VBO
的dV / dt = 100V /微秒，
I
SC
=1.0A,
V
DC
= 1000V
击穿电压
f=60Hz,
ISC = 1.0Arms ， VOC
= 1000Vrms ，
R = 1.0 kΩ的，T = 0.5周期（注2 ）
击穿电压温度系数
FF-态电流
(+25C)
VBO
----
典型值
230
230
最大
265
265
单位
V
V
通态电压
PW
≤
300微秒，占空比
≤
2 ％ （注2 ）
导通电流
保持电流（注2 ）
断态电压临界上升率
（线性波形，
VD
= 0.8×额定
VBO ， TJ =
+25C)
电容
（ F = 1.0 MHz时， 50V直流偏置， 1 Vrms的）
（ F = 1.0 MHz时， 2VDC偏压， 15mVrms ）
注1.允许测试第二极性冷却前
注2：脉冲条件下测得的，以减少供暖
（ VD1 = 50V ）
(VD2=
VDM ）
(IT=1A)
dVBO / DTJ
ID1
ID2
VT
IBO
IH
dv / dt的
C1
C2
----
----
----
----
----
175
5000
----
----
0.08
-----
-----
-----
230
350
----
60
160
-----
2.0
5.0
5.0
-----
----
----
----
%/C
A
A
V
mA
mA
V / μs的
pF
pF
电压 - 电流特性
选择指南SiBar晶闸管浪涌保护器
第1步。
确定电路的工作参数。
在对电路填写以下信息：
最高环境工作温度______________________
最大直流电源电压（V
DC
马克斯。
.
) ________________________
最大振铃交流（AC）电压（V
AC
最大） ______________________
系统电压损伤阈值
最大故障电流和持续时间
系统最大工作电流
适用行业需求
__________________________
__________________________
__________________________
__________________________
步骤2 。
计算你的系统的最大工作电压。
最大工作电压= V
DC
马克斯。 + （ 1.414 x垂直
AC
最大值）
参考表V1选择SiBar晶闸管器件具有最大摘
态电压（V
DM
）分级是接近的，但大于该马克西
您的系统妈妈的工作电压。
步骤3 。
验证系统电压损伤阈值
比额定最大击穿电压大于（V
BO
).
请参考表V1确认的最大导通电压
在步骤2中选择的设备是低于系统电压的损害
门槛。
4
340
SiBar晶闸管浪涌保护器
Raychem电路保护
SiBar晶闸管
选择指南SiBar晶闸管浪涌保护器继续
步骤4 。
验证该系统的最大故障电流和
它的持续时间或在该行业中定义的故障电流
规范（多个）是小于的浪涌电流额定值
设备选择。用于确定哪些行业的帮助
试试规格可申请，是指保护
下页的应用指南。
请参考表V2的适用于SiBar晶闸管浪涌额定电流
TIA 968 -A （ FCC第68部分） ，符合Telcordia GR -1089 ， ITU K.20 ， K.21 ， K.45
行业规范。
步骤5 。
验证系统最大工作电流小于
比最低保持电流额定值（我
H
）表V1的
设备选择。
使用图V4 ，确认我
H
大于最大系统
工作电流在整个工作温度范围。
（正如我
H
, V
DM
和V
BO
也随环境温度下，在较小的
度。附图V2和V3可以被用于确定该设备
选择继续，以满足您的需求超过环境operat-
荷兰国际集团的温度范围内。 ）
步骤6 。
验证表V4的尺寸为SiBar
晶闸管器件是witht应用程序的兼容
空间要求。
4
Raychem电路保护
SiBar晶闸管浪涌保护器
341
保护应用指南SiBar晶闸管浪涌保护器
要使用此向导，按照步骤
如下：
1.选择你的设备类型
从下面的指南。
2.选择保护类型
根据该机构和
区域规格在
第二列。
PolySwitch自复式元件
应用
客户端设备，
IT设备
模拟调制解调器的V.90调制解调器
ISDN调制解调器， xDSL调制解调器，
ADSL分离器，电话机，传真机，
答录机，来电显示，互联网
家电，程控交换机系统， POS终端，
墙壁插座
接入网设备（ * ）
远程终端，线路中继器，
复用器，交叉连接，
广域网设备
地区/
规范
SiBar晶闸管
电涌保护器
1
关键设备选择Citeria
占用空间小
低电阻
TR600-150
TS600-170
TR600-150-RA
TS600-200-RA
快速进入游
TR600-150-RB
TS600-170
北美
TVBxxxSA （ -L ）或
TIA - 968 -A （ FCC第68部分） ， TVAxxxSA （ -L ）与
UL 1950 ，
TR / TS ; TVBxxxSC （ -L ）
UL 1459
与TS / TR或保险丝
欧洲/亚洲/
TVBxxxSA （ -L ）
南美洲
TVAxxxSA （ -L ）
ITU K.21
北美
符合Telcordia GR -1089
欧洲/亚洲/
南美洲
ITU K.45
北美
符合Telcordia GR -1089
欧洲/亚洲/
南美洲
ITU K.20
北美
符合Telcordia GR- 974
欧洲/亚洲/
南美洲
ITU K.20
TVBxxxSC （ -L ）
TVBxxxSA （ -L ）
TVAxxxSA （ -L ）
TR250-120
TR250-145
TS250-130
TSV250-130
TR600-150-RA
TS600-200-RA
TR250-120
TR250-145
TS250-130
TSV250-130
TR600-150-RA
TS600-200-RA
TR250-120
TR250-145
TS250-130
TSV250-130
TR250-180U
TGC250-120T
TR250-120T
TS250-130
TSV250-130
TSL250-080
TR250-120
TS250-130
TSV250-130
TR250-120
TR250-145
TS250-130
TSV250-130
TSL250-080
miniSMDC014
SMD030
TR250-180U
TS250-130-RA
TSV250-130
TR600-160-RA
TS600-200-RA
TR250-180U
TS250-130-RA
TSV250-130
TR600-160-RA
TS600-200-RA
TR250-180U
TS250-130-RA
TSV250-130
TR250-180U
TC250-145T
TR250-145-RA
TS250-130-RA
TSV250-130
TR250-145
TR250-180U
TS250-130-RA
TR250-180U
TS250-130-RA
TSV250-130
TSL250-080
SMD030-2018
TR250-120T-R2
TS250-130-RB
TR600-150-RB
TS600-170
TR250-120T-R2
TS250-130-RB
4
中心局交换设备（ * ）
模拟/ POTS线路卡， ISDN线路卡，
xDSL调制解调器， ADSL / VDSL分离器，
T1 / E1线路卡，多路复用器，
CSU / DSU ，服务器
TVBxxxSC （ -L ）
TVBxxxSA （ -L ）
TVAxxxSA （ -L ）
TR600-150-RB
TS600-170
TR250-120T-R2
TS250-130-RB
主保护模块（ * ）
MDF模块，网络接口
设备（ NID ）
不适用
不适用
TR250-180U
TGC250-120T
TR250-120T-R2
TS250-130-RB
TSV250-130
TR250-120T-R2
TSL250-080
TR250-120T-R2
TS250-130-RB
短途/建筑物内的通信
设备（*）
局域网设备，网络电话卡，电缆
电话的机会牛的，无线本地环路
手机
北美
符合Telcordia GR -1089
楼间
欧洲/亚洲/
南美洲
ITU K.21
TVBxxxSA （ -L ）
TVAxxxSA （ -L ）
TVBxxxSA （ -L ）
TVAxxxSA （ -L ）
LAN建筑物内部电源交叉保护
局域网设备，网络电话卡， IP电话
IEEE 802.3供电网络保护
供电的以太网交换机和终端，
IP电话，无线LAN基站，
微蜂窝基站，网络电话卡
有线电话供电系统
动力传递水龙头
1
TVBxxxSA （ -L ）
TVAxxxSA （ -L ）
不适用
TSL250-080
TVAxxxSA
SMD030-2018
不适用
BBR550
BBR750
BBR550
注意事项：
这个列表并不详尽。 Raychem电路保护部欢迎有关其他应用程序的想法我们客户的投入。
有关Raychem电路保护部的PolySwitch自复式元件的更多信息，请参阅电信和网络设备301页。
*对于在这些应用中提高生产线平衡，抵抗匹配的部分建议。看到电信和网络部分，有关详细信息， 301页。
（-L ）无铅引线器件也适用于这些应用。
342
SiBar晶闸管浪涌保护器
Raychem电路保护
SiBar晶闸管
表V1 。产品的电气特性SiBar晶闸管浪涌保护器
（ -L ：无铅含铅器件）
产品型号
TVA270SA
TVA270SA-L
新
V
DM
MAX 。 （V ）
270
270
58
170
170
200
200
270
270
300
200
270
300
170
170
200
200
270
270
300
V
BO
MAX 。 （V ）
365
365
78
265
265
320
320
365
365
400
320
365
400
265
265
320
320
365
365
400
I
H
分钟。 （MA ）
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
V
T
MAX 。 （V ）
3.0
3.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
C
1
典型值。 （PF ）
22
22
43
20
20
20
20
20
20
20
25
25
25
50
50
50
50
50
50
50
新
新
新
新
TVB058SA-L
TVB170SA
TVB170SA-L
TVB200SA
TVB200SA-L
TVB270SA
TVB270SA-L
TVB300SA-L
TVB200SB-L
TVB270SB-L
TVB300SB-L
TVB170SC
TVB170SC-L
TVB200SC
TVB200SC-L
TVB270SC
TVB270SC-L
TVB300SC-L
新
注释：所有的电气特性，在25 ℃下测定。
V
DM
在最大：每UL497B要求的脉冲测量。断态泄漏电流（I
DM
) = 5
A.
V
BO
在100V / μs的测量。
C
1
在1 MHz与50 V测量
DC
偏见。
4
的di / dt
（ A / μs）内
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
dv / dt的
（ V / μs）内
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
表V2 。浪涌电流额定值为SiBar晶闸管浪涌保护器
（ -L ：无铅含铅器件）
部分
描述
TVA270SA
TVA270SA-L
新
IEC 61000-4-5 * ITU K.20 / 21/ 45 *我
TSM
TIA - 968 -A （ FCC第68部分） *
符合Telcordia GR -1089 *
I
pp
(A)
I
pp
(A)
I
pp
(A)
I
pp
(A)
I
pp
(A)
I
pp
(A)
I
pp
(A)
分钟。
5× 320微秒10× 560微秒10× 160微秒10 ×1000微秒2 ×10微秒
8 ×20微秒
5× 310微秒
(A)
90
70
100
50
150
150
90
22
90
70
100
50
150
150
90
22
55
90
90
90
90
90
90
90
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
55
70
70
70
70
70
70
70
100
100
100
150
150
150
150
150
150
150
70
100
100
100
100
100
100
100
150
150
150
200
200
200
200
200
200
200
50
50
50
50
50
50
50
50
80
80
80
100
100
100
100
100
100
100
150
150
150
150
150
150
150
150
250
250
250
500
500
500
500
500
500
500
150
150
150
150
150
150
150
150
250
250
250
400
400
400
400
400
400
400
55
90
90
90
90
90
90
90
100
100
100
150
150
150
150
150
150
150
22
22
22
22
22
22
22
22
30
30
30
60
60
60
60
60
60
60
新
新
新
新
TVB058SA-L
TVB170SA
TVB170SA-L
TVB200SA
TVB200SA-L
TVB270SA
TVB270SA-L
TVB300SA-L
TVB200SB-L
TVB270SB-L
TVB300SB-L
TVB170SC
TVB170SC-L
TVB200SC
TVB200SC-L
TVB270SC
TVB270SC-L
TVB300SC-L
新
注：*雷电流波形适用的行业规范。
I
TSM
，峰值通态浪涌电流的测量是在60赫兹，一个周期。
的di / dt ：临界导通态电流上升率的（脉冲功率放大器的Vmax = 600V ; C = 30
F).
的dV / dt ：关键台下电压（线性波形，V的上升率的
D
=额定V
BO
， TJ = 25 ° C） 。
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SiBar晶闸管浪涌保护器
343
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传真： 800-227-4866
SiBar
晶闸管浪涌保护器
产品： TVB170SC
文档： SCD 24273
PCN ： 295555
REV字母：C
版本日期： 2004年8月24日
第2页号： 1
规范状态：已发布
理化性质：
标记：
RCBD
日期代码
器件代码
瑞侃徽标
A
B
民
1.90
(0.075)
C
D**
H
J
K
民
最大
民
最大
mm:
4.06
4.57
3.30
3.81
在*： （ 0.160 ） （ 0.180 ） （ 0.130 ） （ 0.150 ）
最大
民
最大
民
最大
民
最大
民
最大
2.41
1.96
2.11
0.051 0.152
0.15
0.30
0.76
1.27
(0.095) (0.077) (0.083) (0.002) (0.006) (0.006) (0.012) (0.030) (0.050)
P
S
REF
民
最大
mm:
0.51
5.21
5.59
在*： （ 0.020 ） （ 0.205 ） （ 0.220 ）
*四舍五入逼近
** D尺寸应内测量DIMENSION P
其它物理特性
外形：
导线材料：
封装材料：
可焊性：
焊锡耐热耐压：
耐溶剂性：
机械冲击：
振动：
SMB （表面贴装， JEDEC DO- 214AA封装）
锡/铅涂层
环氧树脂，符合UL94 V- 0要求
每MIL -STD- 750 ，方法2026
每MIL -STD- 750，方法2031
每MIL -STD- 750，方法1022
每MIL -STD- 750，方法2016年
每MIL -STD- 750，方法2056
每EIA 481-1磁带和卷轴包装
机构认证：
优先级：
注意事项：
材料信息
符合ELV标准
UL
本规范优先于此处引用的文件。
操作超出额定电压或电流可能会导致破裂，电弧或火焰。
2004泰科电子公司。版权所有。
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REV字母：C
版本日期： 2004年8月24日
第2页NO：2
设备额定值@ 25° C（两极）
参数
重复关闭状态电压，最大为ID = 5 μA
非重复性峰值
符合Telcordia GR -1089 CORE 10x1000微秒
冲击电流
TIA- 968防雷型金属五百六十○分之一十微秒
双指数
TIA- 968闪电A型Longit 。一百六分之一十微秒
波形
符合Telcordia GR -1089建筑物内部的2/10微秒
（注1及2 ）
IEC61000-4-5 （VOC 1.2 / 50微秒） 8/20微秒
ITU -T K.20 / K.21 （VOC 10 / 700us ）三百一分之五微秒
TIA- 968闪电B型（VOC 9 / 720us ）三百二十○分之五微秒
通态电流临界上升率
功率脉冲放大器，C = 30μF ，的Vmax = 600V
最大的2×10微秒的波形，V
OC
= 2.5kV的，我
SC
= 500A的峰值
器件热额定值
存储温度范围
工作温度范围
阻断或导通状态
过载结温
最大;只有导通状态
最大无铅焊接温度的目的; 10秒
符号
VDM
IPP
1
IPP
2
IPP
3
IPP
4
IPP
5
IPP
6
IPP
7
的di / dt
的di / dt
价值
170
100
150
200
500
400
150
150
500
330
单位
V
A
A
A
A
A
A
A
A / μs的
A / μs的
TSTG
TA
TJ
TL
-55到150
-40至125
+150
+260
C
C
C
C
电气特性两极（T
J
@ 25℃ ，除非另有说明）
特征
符号
民
VBO
----
击穿电压
(+25C)
（ dv / dt的= 0.4kV的/微秒，我
SC
= 900A ，V
DC
= 500V （两极） ）
击穿电压温度系数
FF-态电流
(VD1=50V)
(VD2=VDM)
(IT=1A)
dVBO / DTJ
ID1
ID2=IDM
VT
IBO
IH
ITSM
dv / dt的
C1
C2
----
----
----
----
----
150
60
5000
----
----
典型值
230
0.1
-----
-----
-----
-----
-----
----
----
60
125
最大
265
-----
2.0
5.0
4.0
800
----
----
----
----
单位
V
%/C
A
A
V
mA
mA
A
V / μs的
pF
pF
通态电压
（ PW
≤
300微秒，占空比
≤
2％ （注2） ）
导通电流
保持电流（注2 ）
巅峰舞台上浪涌电流
（测量@ 60Hz的， 1个周期， 600V ）
断态电压临界上升率
（线性波形，V
D
= 0.8 ×额定V
BO
, T
J
= +25C)
电容
（ F = 1.0 MHz时， 50V直流偏置， 1VRMS ）
（ F = 1.0 MHz时， 2VDC偏压， 1VRMS ）
注1.允许测试第二极性冷却前
注2：脉冲条件下测得的，以减少供暖
电压 - 电流特性
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