TUSB6015
SLLS937
版本1.4 2008年9月12日
TUSB6015 USB 2.0高速外设控制器数据表
特点
USB 2.0高速（ HS ）标准外设
控制器核心
USB -IF TID ＃ 40630005
集成的USB 2.0 PHY
NOR FLASH - 如外部主机接口
DP / DM线路是高阻抗时，该设备是
没有动力
六物理端点
每个端点可以配置为IN或OUT
用专用的缓冲1K
NOR闪存接口访问模式：
异步16位的单一访问
异步32位的单次访问
16×16异步突发访问瓦特/ DMA
同步16x16的突发存取与DMA
（ GPMC最大时钟为65 MHz的）
中断对DP / DM线状态变化CEA- 936 -A
检测
VBUS最大额定电压将是6V的USB
充电
符合RoHS标准80端子BGA MICROSTAR
JUNIOR包
描述
该TUSB6015是一个USB 2.0 HS外设控制器
专为无缝接口，可外接主机
处理器通过NOR FLASH状界面。
该NOR FLASH的界面是一个16位，多路
地址/数据，以用于同步支持接口
脉冲串和单异步读/写访问。
配置寄存器都可以通过访问
异步芯片只选择;结束点FIFO的
是通过两个同步和访问
异步芯片的选择。
该器件还具有八个用户可配置的通用
通用I / 0接口引脚。在GPIO可配置
作为一个中断或唤醒源。有些GPIO有
二次NOR闪存DMA请求的功能。
该装置是完全符合通用串行
巴士特定网络阳离子2.0版本。
ESD保护等级为2KV HBM （ JESD22-
A114D ） ， 500V CDM （ JESD22 - C101C ） 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
产品预览资料涉及产品的
发展形成或设计阶段。特性数据
和其他规格的设计目标。德州仪器
保留随时更改或终止这些产品的权利
恕不另行通知。
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版权
2008年，德州仪器
1
TUSB6015ZQE
SLLS937
版本1.4 2008年9月12日
订购信息
1
包装设备
包
2
记号
TUSB6015IZQE
TUSB6015IZQER
1
3
ZQE
ZQE
TUSB6015I
TUSB6015I
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本月底
文档，或参阅TI的网站
www.ti.com 。
2
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计准则
可在
www.ti.com/sc/package 。
3
磁带和卷轴选项可用于TUSB6015IZQE加入的R后缀。
2
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TUSB6015ZQE
SLLS937
版本1.4 2008年9月12日
电气特性
绝对最大额定值
1
3.3V电源电压， VDDA3P3...................................................................................................-0.5 V至4.2V的
1.8V电源电压VDD18.........................................................................................................-0.5 V到2.1 V
1.5V电源电压， VDD15 ， VDDD1P5 ， VDDCM1P5 ， VDDA1P5 ...................................... .......- 0.5 V至2.1 V
2
USB VBUS电源电压............................................................................................................ 0 V至6.0 V
3
输入电压V
I
， 3.3V USB .............................................. ...................................... -0.5 V至VDDA3P3 + 0.5 V
输出电压V
O
， 3.3V USB .............................................. .................................... -0.5 V至VDDA3P3 + 0.5 V
输入钳位电流，I
IK
........................................................................................................................... ±20 mA内
输出钳位电流，I
OK
........................................................................................................................ ±20 mA内
存储温度范围， TSTG ...............................................................................................-65°C至150℃下
推荐工作条件
参数
民
典型值
最大
单位
VDDA3P3
VDD18
VDD15
VDDD1P5
VDDCM1P5
VDDA1P5
T
A
电源电压模拟PHY
电源电压的数字I / O
电源电压数字内核
电源电压PHY数字
电源电压为PHY通用模块
电源电压模拟PHY
工作温度
TUSB6015I （工业级）
3
1.62
3.3
1.8
3.6
1.98
V
V
1.35
1.5
1.65
V
-40
85
°C
1
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
VBUS可以容忍6V的器件的寿命。它可以处理6.5V进行36小时。
TUSB6015符合短路，如USB 2.0规范的第7.1.1承受描述和交流应力条件下。
2
3
4
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TUSB6015ZQE
SLLS937
版本1.4 2008年9月10日
电气特性的数字I / O
T
A
= -30 °C - 85°C ，V
DD18
= 1.8 V
±10%,
V
SS
= 0 V（除非另有说明）
参数
TEST
条件
民
典型值
最大
单位
VI
V
O
V
IH
V
IL
V
OH
输入电压
输出电压
高层
输入电压
低级别
输入电压
高层
输出电压
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS漏极开路
I
OH
= 8毫安
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
I
OL
=为100uA
V
I
= V
I
最大
V
I
= V
I
民
V
I
= V
I
MAX或
V
SS
0
0
0.7 x
VDD18
0
0.8 ×
VDD18
VDD18
VDD18
VDD18
0.3 x
VDD18
V
V
V
V
V
0.22 x
VDD18
0.22 x
VDD18
10
±1
±1
±20
2.43
0
25
V
V
OL
低电平输出LVCMOS
电压
LVCMOS
（ 1.5V_SWEN ， 3.3V_SWEN只）
高电平输入
当前
低电平输入
当前
LVCMOS
LVCMOS
mV
uA
uA
uA
pF
ns
I
IH
I
IL
I
OZ
C
i
t
r
, t
f
输出漏电流（高阻）
输入电容（ 1.8V NOR接口）
输入的上升/下降时间
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5
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