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数据表
1.5V驱动P沟道+ P沟道MOSFET
TT8J13
结构
硅P沟道MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
TSST8
(8)
(7)
(6)
(5)
■特点
1）低导通电阻。
2 ）小型高功率封装。
3 ）低电压驱动（ 1.5V驱动器） 。
(1)
(2)
(3)
(4)
缩写符号： J13
应用
开关
Inner
电路
(8)
(7)
(6)
(5)
包装规格
TYPE
TT8J13
包
CODE
基本订购单位（件）
TAPING
TCR
3000
（1） Tr1的源
（2） Tr1的栅极
（3） Tr2的源
（4） Tr2的栅
（ 5 ） Tr2的漏
（ 6 ） Tr2的漏
（ 7 ） Tr1的漏
（ 8 ） Tr1的漏
2
2
1
1
(1)
(2)
(3)
(4)
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
功耗
通道温度
储存温度范围
* 1 Pw10s ，职务cycle1 ％
* 2装在一个陶瓷基板。
1
ESD保护二极管
2
体二极管
符号
V
DSS
V
GSS
范围
12
0
8
2.5
单位
V
V
A
A
A
A
W / TOTAL
W /元
C
C
连续
脉冲
连续
脉冲
I
D
I
DP
I
s
I
sp
P
D
总胆固醇
TSTG
*1
5
0.8
5
1.25
1
150
55
to
150
*1
*2
热阻
参数
渠道环境
*安装在陶瓷板上。
符号
RTH （ CH -A ）
*
范围
100
125
单位
C
/ W /总
C
/ W /元
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2011.03 - Rev.A的
TT8J13
电气特性
（ TA = 25°C ）
<It是Tr1和Tr2.>相同评级
参数
栅源漏
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
　
数据表
符号
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
分钟。
-
12
-
0.3
-
-
-
-
3.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
44
55
75
90
-
2000
130
120
11
40
160
60
16
2.4
2.2
马克斯。
10
-
10
1.0
62
77
110
180
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
A
V
A
V
条件
V
GS
=8V, V
DS
=0V
I
D
= ± 1mA时， V
GS
=0V
V
DS
=12V, V
GS
=0V
V
DS
= 6V ，我
D
=1mA
I
D
= 2.5A ，V
GS
=4.5V
I
D
= 1.2A ，V
GS
=2.5V
I
D
= 1.2A ，V
GS
=1.8V
I
D
= -0.5A ，V
GS
=1.5V
I
D
= 2.5A ，V
DS
=6V
V
DS
=6V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
= 1.2A ，V
DD
6V
V
GS
=4.5V
R
L
=5
R
G
=10
I
D
=2.5A
V
DD
6V
V
GS
=4.5V
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
m
升
fs
l*
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
*
t
r
*
t
D（关闭）
*
t
f
*
Q
g
*
Q
gs
*
Q
gd
*
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Body
二极管的特性
（源极 - 漏极时）（Ta = 25C ）
<It是Tr1和Tr2.>相同评级
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
*
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
s
= 2.5A ，V
GS
=0V
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TT8J13
ⅵELECTRICAL
特性曲线
(Ta=25C)
图1典型的输出特性（ Ⅰ ）
2.5
V
GS
=
-4.5V
V
GS
=
-2.5V
V
GS
=
-1.8V
V
GS
=
-1.5V
T
a
=25°C
脉冲
　
数据表
图2典型的输出特性（ Ⅱ ）
2.5
T
a
=25°C
脉冲
2
漏电流：
-I
D
[A]
2
漏电流：
-I
D
[A]
V
GS
=
-1.2V
1.5
V
GS
=
-1.2V
1
1.5
V
GS
=
-4.5V
V
GS
=
-2.5V
V
GS
=
-1.8V
V
GS
=
-1.5V
1
0.5
V
GS
=
-1.0V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
漏源电压：
-V
DS
[V]
0.5
V
GS
=
-1.0V
0
0
2
4
6
8
10
漏源电压：
-V
DS
[V]
图3典型的传输特性
10
V
DS
=
-6V
脉冲
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
(
ON
)[m]
1
漏电流：
-I
D
[A]
1000
图4静态漏源导通状态
电阻与漏电流（ Ⅰ ）
T
a
=25°C
脉冲
V
GS
=
-1.5V
V
GS
=
-1.8V
V
GS
=
-2.5V
V
GS
=
-4.5V
100
T
a
=125°C
T
a
=75°C
T
a
=25°C
T
a
=-25°C
0.1
0.01
0.001
0
0.5
1
1.5
栅源电压：
-V
GS
[V]
图5静态漏源导通状态
电阻与漏电流（ Ⅰ ）
1000
V
GS
=
-4.5V
脉冲
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
(
ON
)[m]
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
(
ON
)[m]
T
a
=125°C
T
a
=75°C
T
a
=25°C
T
a
=-25°C
10
0.1
1
漏电流：
-I
D
[A]
10
图6静态漏源导通状态
电阻与漏电流（ Ⅰ ）
1000
V
GS
=
-2.5V
脉冲
T
a
=125°C
T
a
=75°C
T
a
=25°C
T
a
=-25°C
100
100
10
0.1
1
漏电流：
-I
D
[A]
10
10
0.1
1
漏电流：
-I
D
[A]
10
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图7静态漏源导通状态
电阻与漏电流（ Ⅰ ）
图8静态漏源导通状态
电阻与漏电流（ Ⅰ ）
1000
V
GS
=
-1.8V
脉冲
T
a
=125°C
T
a
=75°C
T
a
=25°C
T
a
=-25°C
V
GS
=
-1.5V
脉冲
T
a
=125°C
T
a
=75°C
T
a
=25°C
T
a
=-25°C
100
数据表
1000
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
(
ON
)[m]
100
10
0.1
1
漏电流：
-I
D
[A]
10
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
(
ON
)[m]
10
0.1
1
漏电流：
-I
D
[A]
10
图9正向转移导纳
与漏电流
100
正向转移导纳： | YFS |
V
DS
=
-6V
脉冲
10
V
GS
=0V
脉冲
反向漏电流：
-I
s
[A]
1
图10反向漏电流
与水稻源极 - 漏极电压
10
0.1
1
T
a
=125°C
T
a
=75°C
T
a
=25°C
T
a
=-25°C
T
a
=125°C
T
a
=75°C
T
a
=25°C
T
a
=-25°C
0.01
0.1
0.1
1
漏电流：
-I
D
[A]
图11静态漏源导通状态
电阻与栅源电压
150
T
a
=25°C
脉冲
切换时间： T [ NS ]
I
D
=
-1.25A
100
I
D
=
-2.5A
10
0.001
0
0.5
1
1.5
源极 - 漏极电压：
-V
SD
[V]
图12开关特性
1000
t
D（关闭）
Ta=25°C
V
DD
=
-6V
V
GS
=-4.5V
R
G
=10W
脉冲
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS （ ON）
[m]
100
t
f
10
50
t
D（上）
t
r
0
0
2
4
6
8
栅源电压：
-V
GS
[V]
1
0.01
0.1
1
10
100
漏电流：
-I
D
[A]
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图14典型电容
与漏源电压
10000
C
国际空间站
数据表
图13动态输入特性
5
栅源电压：
-V
GS
[V]
4
电容： C [ pF的]
1000
3
2
100
C
OSS
C
RSS
T
a
=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
1
10
100
1
T
a
=25°C
V
DD
=
-6V
I
D
=
-2.5A
脉冲
10
0
5
10
15
20
0.01
0.1
总栅极电荷：的Qg [ NC ]
0
漏源电压：
-V
DS
[V]
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    TT8J13
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