订购数量： ENN7551
TT2190LS
NPN型三重扩散平面硅晶体管
TT2190LS
彩色电视水平偏转
输出的应用
特点
包装尺寸
单位：mm
2079D
[TT2190LS]
10.0
3.2
3.5
7.2
4.5
2.8
高速。
高击穿电压（ VCBO = 1500V ） 。
可靠性高（采用HVP过程） 。
通过MBIT过程。
片上的阻尼二极管。
16.1
16.0
3.6
0.9
1.2
14.0
1.2
0.75
0.7
1 2 3
2.4
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
三洋： TO- 220FI （ LS ）
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
TSTG
Tc=25°C
条件
2.55
2.55
0.6
评级
1500
800
6
8
20
2.0
35
150
--55到150
单位
V
V
V
A
A
W
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
收藏家维持电压
发射Cuto FF电流
符号
ICBO
冰
VCEO （ SUS）
IEBO
条件
VCB = 800V ， IE = 0
VCE = 1500V ， RBE = 0
IC = 100mA时IB = 0
VEB = 4V ， IC = 0
800
40
130
评级
民
典型值
最大
10
1.0
单位
A
mA
V
mA
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
31504 TS IM TA- 100589 No.7551-1 / 4
TT2190LS
从接下页。
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
二极管的正向电压
下降时间
符号
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
hFE1
hFE2
VF
tf
条件
IC = 4.5A ， IB = 0.9A
IC = 4.5A ， IB = 0.9A
VCE = 5V ， IC = 1A
VCE = 5V ， IC = 5A
IEC=7A
IC = 3A ， IB1 = 0.6A ， IB2 = - 1.2A
10
5
8
2
0.3
V
s
评级
民
典型值
最大
3
1.5
单位
V
V
开关时间测试电路
PW=20s
D.C.≤1%
输入
IB1
IB2
VR
50
+
100F
VBE = --5V
+
470F
VCC=200V
RB
产量
RL
66.7
8
7
IC - VCE
A
2.0
9
8
IC - VBE
VCE=5V
1.8A
集电极电流， IC - 一个
集电极电流， IC - 一个
6
5
4
3
2
1.6A
1.4A
1.2A
1.0A
0.8A
0.6A
0.4A
0.2A
7
6
5
4
3
TA
12
0
0.2
0.4
0.6
0.05A
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
1
IB=0
9
10
0
0.8
1.0
1.2
1.4
IT01801
集电极 - 发射极电压VCE - V
5
3
2
IT01800
5
的hFE - IC
基极发射极电压VBE - V
VCE （SAT） - IC
25
°
C
-40
°
C
2
0
°
C
VCE=5V
集电极 - 发射极
饱和电压VCE （SAT） - V
IC / IB = 5
C
Ta=--40
°
直流电流增益， hFE参数
=
Ta
1
2
1.0
7
5
3
2
10
7
5
3
2
-40
°
C
0.1
7
5
25
°
C
TA
--
40
°
C
120
°
C
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
IT01803
1.0
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
集电极电流， IC - 一个
10
IT01802
7
3
0.1
集电极电流， IC - 一个
No.7551-2/4
25
°
C
25
°
C
120
°
C
°
C
20
3
TT2190LS
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，
这样的产品在没有从当局取得出口许可证出口
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
或以其他方式，而不三洋电机有限公司的事先书面许可，
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品，你打算使用。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠，但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
该目录规定的3月， 2004年规范和信息此处如有
更改，恕不另行通知。
PS No.7551-4 / 4
订购数量： ENN7551
TT2190LS
NPN型三重扩散平面硅晶体管
TT2190LS
彩色电视水平偏转
输出的应用
特点
包装尺寸
单位：mm
2079D
[TT2190LS]
10.0
3.2
3.5
7.2
4.5
2.8
高速。
高击穿电压（ VCBO = 1500V ） 。
可靠性高（采用HVP过程） 。
通过MBIT过程。
片上的阻尼二极管。
16.1
16.0
3.6
0.9
1.2
14.0
1.2
0.75
0.7
1 2 3
2.4
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
三洋： TO- 220FI （ LS ）
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
TSTG
Tc=25°C
条件
2.55
2.55
0.6
评级
1500
800
6
8
20
2.0
35
150
--55到150
单位
V
V
V
A
A
W
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
收藏家维持电压
发射Cuto FF电流
符号
ICBO
冰
VCEO （ SUS）
IEBO
条件
VCB = 800V ， IE = 0
VCE = 1500V ， RBE = 0
IC = 100mA时IB = 0
VEB = 4V ， IC = 0
800
40
130
评级
民
典型值
最大
10
1.0
单位
A
mA
V
mA
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
31504 TS IM TA- 100589 No.7551-1 / 4
TT2190LS
从接下页。
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
二极管的正向电压
下降时间
符号
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
hFE1
hFE2
VF
tf
条件
IC = 4.5A ， IB = 0.9A
IC = 4.5A ， IB = 0.9A
VCE = 5V ， IC = 1A
VCE = 5V ， IC = 5A
IEC=7A
IC = 3A ， IB1 = 0.6A ， IB2 = - 1.2A
10
5
8
2
0.3
V
s
评级
民
典型值
最大
3
1.5
单位
V
V
开关时间测试电路
PW=20s
D.C.≤1%
输入
IB1
IB2
VR
50
+
100F
VBE = --5V
+
470F
VCC=200V
RB
产量
RL
66.7
8
7
IC - VCE
A
2.0
9
8
IC - VBE
VCE=5V
1.8A
集电极电流， IC - 一个
集电极电流， IC - 一个
6
5
4
3
2
1.6A
1.4A
1.2A
1.0A
0.8A
0.6A
0.4A
0.2A
7
6
5
4
3
TA
12
0
0.2
0.4
0.6
0.05A
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
1
IB=0
9
10
0
0.8
1.0
1.2
1.4
IT01801
集电极 - 发射极电压VCE - V
5
3
2
IT01800
5
的hFE - IC
基极发射极电压VBE - V
VCE （SAT） - IC
25
°
C
-40
°
C
2
0
°
C
VCE=5V
集电极 - 发射极
饱和电压VCE （SAT） - V
IC / IB = 5
C
Ta=--40
°
直流电流增益， hFE参数
=
Ta
1
2
1.0
7
5
3
2
10
7
5
3
2
-40
°
C
0.1
7
5
25
°
C
TA
--
40
°
C
120
°
C
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
IT01803
1.0
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
集电极电流， IC - 一个
10
IT01802
7
3
0.1
集电极电流， IC - 一个
No.7551-2/4
25
°
C
25
°
C
120
°
C
°
C
20
3
TT2190LS
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，
这样的产品在没有从当局取得出口许可证出口
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
或以其他方式，而不三洋电机有限公司的事先书面许可，
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品，你打算使用。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠，但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
该目录规定的3月， 2004年规范和信息此处如有
更改，恕不另行通知。
PS No.7551-4 / 4
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