【TSUS5200 ， TSUS5201 ， TSUS5202威世半导体红外发光二极管，符合RoHS 】,IC型号TSUS5200,TSUS5200 PDF资料,TSUS5200经销商,ic,电子元器件-51电子网

TSUS5200 ， TSUS5201 ， TSUS5202

威世半导体

红外发光二极管，符合RoHS ， 950纳米，砷化镓

特点

包装类型：含铅

包装形式： T- 1.75

尺寸（单位：mm）： 5

与对峙信息

峰值波长：

λ

p

= 950 nm的

高可靠性

半强度角：

= ± 15°

94

8390

低正向电压

适用于高脉冲电流操作

与硅光电探测器良好的光谱匹配

描述

TSUS5200是红外线， 950 nm的发光的砷化镓二极管

技术成型为蓝灰色色调的塑料封装。

铅（Pb ）按照-free组件

RoHS指令2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC

同

应用

红外遥控和自由的空气传输系统

具有低正向电压和小包装的要求

发射器传输的传感器

发射器的反射型传感器

产品概述

部件

I

e

（毫瓦/ SR）

（度）

± 15

λ

P

（纳米）

950

t

r

（纳秒）

800

TSUS5200

20

TSUS5201

25

TSUS5202

30

记

测试条件见附表“基本特征”

订购信息

订购代码

TSUS5200

TSUS5201

TSUS5202

记

最小起订量：最小起订量

包装

体积

备注

最小起订量： 4000件， 4000件/散装

包装形式

T-1

绝对最大额定值

参数

反向电压

正向电流

最大正向电流

正向电流浪涌

功耗

结温

工作温度范围

存储温度范围

焊接温度

热阻结/环境

记

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

测试条件

符号

V

R

I

F

I

FM

I

FSM

P

V

T

j

T

AMB

T

英镑

T

sd

R

thJA

价值

5

150

300

2.5

170

100

- 40至+ 85

- 40至+ 100

260

230

单位

V

mA

A

mW

°C

K / W

t

p

/T = 0.5, t

p

= 100 s

t

p

= 100 s

t

≤

5秒2毫米的情况下

J- STD- 051 ，导致7毫米，焊接在PCB

www.vishay.com

280

如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com

文档编号： 81055

2.1版， 05月， 08

TSUS5200 ， TSUS5201 ， TSUS5202

红外发光二极管，符合RoHS ，

威世半导体

950纳米，砷化镓

180

120

100

80

60

P

V

- 功耗（MW ）

160

140

120

100

80

60

40

20

0

10

20 30

40

50

60

70

80

90

100

21314

R

thJA

= 230 K / W

I

F

- 正向电流（mA ）

R

thJA

= 230 K / W

40

20

0

10

20 30 40

50 60 70

80

90 100

21313

T

AMB

- 环境温度（ ° C）

T

AMB

- 环境温度（ ° C）

图。 1 - 功耗极限 - 环境温度

图。 2 - 正向电流限制与环境温度

基本特征

参数

正向电压

V温度COEF网络cient

F

反向电流

结电容

温度COEF网络cient

φ

e

半强度角

峰值波长

光谱带宽

温度COEF网络cient

λ

p

上升时间

下降时间

虚拟源直径

记

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

I

F

= 100毫安

I

F

= 100毫安

I

F

= 100毫安

I

F

= 100毫安

I

F

= 1.5 A

I

F

= 100毫安

I

F

= 1.5 A

测试条件

I

F

= 100毫安，吨

p

= 20毫秒

I

F

= 100毫安

V

R

= 5 V

V

R

= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0

I

F

= 20毫安

符号

V

F

TK

VF

I

R

C

j

TK =

e

λ

p

Δλ

TK =

p

t

r

t

r

t

f

t

f

d

30

- 0.8

± 15

950

50

0.2

800

400

800

400

3.8

分钟。

典型值。

1.3

- 1.3

100

马克斯。

1.7

单位

V

毫伏/ K

A

pF

%/K

度

nm

纳米/ K

ns

mm

文档编号： 81055

2.1版， 05月， 08

如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com

www.vishay.com

281

TSUS5200 ， TSUS5201 ， TSUS5202

威世半导体

红外发光二极管，符合RoHS ，

950纳米，砷化镓

专用型特点

参数

正向电压

测试条件

I

F

= 1.5 A，T

p

= 100 s

部分

TSUS5200

TSUS5201

TSUS5202

TSUS5200

I

F

= 100毫安，吨

p

= 20毫秒

辐射强度

I

F

= 1.5 A，T

p

= 100 s

TSUS5201

TSUS5202

TSUS5200

TSUS5201

TSUS5202

TSUS5200

辐射功率

I

F

= 100毫安，吨

p

= 20毫秒

TSUS5201

TSUS5202

记

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

符号

V

F

V

F

V

F

I

e

I

e

I

e

I

e

I

e

I

e

φ

e

φ

e

φ

e

10

15

20

95

120

170

分钟。

典型值。

2.2

20

25

30

180

230

280

13

14

15

马克斯。

3.4

2.7

50

单位

V

毫瓦/ SR

mW

基本特征

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

10

1

V

F REL

- 相对正向

电压

(V)

1.2

1.1

I

F

= 10毫安

I

F

- 正向电流（ A）

I

FSM

= 2.5 A（单脉冲）

t

p

/T = 0.01

10

0

0.05

0.1

0.5

1.0

10

-1

10

-2

1.0

0.9

0.8

0.7

10

-1

10

0

10

1

10

2

94 7990

0

20

40

60

80

100

94 7989

t

p

- 脉冲持续时间（毫秒）

T

AMB

- 环境温度（ ° C）

图。 3 - 脉冲正向电流与脉冲持续时间

图。 5 - 相对正向电压与环境温度

10

4

10

3

10

2

10

1

10

0

10

-1

94 7996

1000

I

e

- 辐射强度（毫瓦/ SR ）

I

F

- 正向电流（mA ）

100

TSUS 5202

TSUS5200

10

0

1

2

3

4

94 7991

1

10

0

TSUS 5201

10

1

10

2

10

3

I

F

- 正向电流（mA ）

10

4

V

F

- 前进

电压

(V)

图。 4 - 正向电流与正向电压

图。 6 - 辐射强度与正向电流

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282

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文档编号： 81055

2.1版， 05月， 08

TSUS5200 ， TSUS5201 ， TSUS5202

红外发光二极管，符合RoHS ，

威世半导体

950纳米，砷化镓

1000

Φ

- 辐射功率（mW ）

e

Φ

ê相对

- 相对辐射功率

TSUS 5202

100

TSUS5200

10

1.25

1.0

0.75

0.5

1

0.25

I

F

= 100毫安

0

900

950

1000

0.1

10

0

94 7992

10

1

10

2

10

3

I

F

- 正向电流（mA ）

10

4

94 7994

λ

-

波长

（纳米）

0°

10°

20°

30°

图。 7 - 辐射功率与正向电流

1.6

图。 9 - 相对辐射功率与波长

1.2

I

ê相对

;

Φ

ê相对

I

F

= 20毫安

0.8

I

ê相对

- 相对辐射强度

40°

1.0

0.9

0.8

0.7

50°

60°

70°

80°

0.4

0

- 10 0 10

94 7993

50

100

140

94 7995

T

AMB

- 环境温度（ ° C）

0.6

0.4

0.2

0

0.2

0.4

0.6

图。 8 - 相对辐射强度/功率随环境温度

图。 10 - 相对辐射强度对比角位移

包装尺寸

以毫米为单位

A

C

± 0.15

8.7

± 0.3

7.7

± 0.15

± 0.3

(4.7)

5.8

2.49 （球）

12.5

< 0.7

35.5

± 0.55

区域

不

飞机

0.2

1.2

+ 0.1

-

5

± 0.15

± 0.25

1.5

0.5

+ 0.15

- 0.05

技术图纸

根据DIN

规范

6.544-5258.02-4

问题： 5 ; 98年3月8日

95 10916

0.5

+ 0.15

- 0.05

2.54喃。

文档编号： 81055

2.1版， 05月， 08

如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com

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283

法律免责声明

日前，Vishay

放弃

所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。

日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人

（统称为“Vishay ” ），对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任

或在任何其他公开内容有关的任何产品。

日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述

本文提供的，在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者

以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修

其中，适用于这些产品。

没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本

文档或任何Vishay的行为。

本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非

另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用

应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏

从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件

产品专为此类应用。

产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。

文档编号： 91000

修订： 18 -JUL- 08

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1

TSUS520.

威世半导体

红外发光二极管， 950纳米，砷化镓

描述

TSUS520 。系列红外发光二极管标

准的GaAs砷化镓（GaAs）技术，在成型清晰，

蓝灰色的有色塑料封装。该装置是

光谱匹配的硅光电二极管和光子

totransistors 。

94

8389

特点

低成本发射器

低正向电压

高辐射功率和辐射强度

e2

适用于DC和高脉冲电流

手术

标准T - 1.75 （ 5毫米）的封装

半强度角

= ± 15°

峰值波长

λ

p

= 950 nm的

高可靠性

良好的光谱匹配Si光电探测器

铅（Pb ） -free组件

按照RoHS 2002/95 / EC成分

和WEEE 2002/96 / EC

应用

红外遥控和自由的空气传播

具有低正向电压和低成本的系统

结合需求与PIN光电二极管

或光电晶体管。

绝对最大额定值

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

参数

反向电压

正向电流

最大正向电流

正向电流浪涌

功耗

结温

工作温度范围

存储温度范围

焊接温度

热阻结/

环境

t

≤

5秒，2毫米的情况下

t

p

/T = 0.5, t

p

= 100 s

t

p

= 100 s

测试条件

符号

V

R

I

F

I

FM

I

FSM

P

V

T

j

T

AMB

T

英镑

T

sd

R

thJA

价值

5

150

300

2.5

210

100

- 55至+ 100

260

375

单位

V

mA

A

mW

°C

K / W

文档编号81055

2.0版本， 23 -FEB -07

www.vishay.com

1

TSUS520.

威世半导体

电气特性

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

参数

正向电压

温度。 V系数

F

反向电流

结电容

测试条件

I

F

= 100毫安，吨

p

= 20毫秒

I

F

= 100毫安

V

R

= 5 V

V

R

= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0

符号

V

F

TK

VF

I

R

C

j

30

民

典型值。

1.3

- 1.3

100

最大

1.7

单位

V

毫伏/ K

A

pF

光学特性

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

参数

温度。系数

φ

e

半强度角

峰值波长

光谱带宽

温度。系数

λ

p

上升时间

下降时间

虚拟源直径

I

F

= 100毫安

I

F

= 100毫安

I

F

= 100毫安

I

F

= 100毫安

I

F

= 1.5 A

I

F

= 100毫安

I

F

= 1.5 A

测试条件

I

F

= 20毫安

符号

TK =

e

λ

p

Δλ

TK =

p

t

r

t

r

t

f

t

f

民

典型值。

- 0.8

± 15

950

50

0.2

800

400

800

400

3.8

最大

单位

%/K

度

nm

纳米/ K

ns

mm

专用型特点

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

参数

正向电压

测试条件

I

F

= 1.5 A，T

p

= 100 s

部分

TSUS5200

TSUS5201

TSUS5202

辐射强度

I

F

= 100毫安，吨

p

= 20毫秒

TSUS5200

TSUS5201

TSUS5202

I

F

= 1.5 A，T

p

= 100 s

TSUS5200

TSUS5201

TSUS5202

辐射功率

I

F

= 100毫安，吨

p

= 20毫秒

TSUS5200

TSUS5201

TSUS5202

符号

V

F

V

F

V

F

I

e

I

e

I

e

I

e

I

e

I

e

φ

e

φ

e

φ

e

10

15

20

95

120

170

民

典型值。

2.2

20

25

30

180

230

280

13

14

15

最大

3.4

2.7

50

单位

V

毫瓦/ SR

mW

www.vishay.com

2

文档编号81055

2.0版本， 23 -FEB -07

TSUS520.

威世半导体

典型特征

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

250

10

4

10

3

10

2

10

1

10

0

10

-1

94 7996

P

V

- 功耗（MW ）

150

R

thJA

100

50

0

20

40

60

80

100

I

F

- 正向电流（mA ）

200

0

1

2

3

4

94 7957

T

AMB

- 环境温度（ ° C）

V

F

- 前进

电压

(V)

图1.功耗与环境温度

图4.正向电流与正向电压

200

V

Frel

- 相对正向

电压

(V)

250

1.2

1.1

I

F

= 10毫安

1.0

0.9

I

F

- 正向电流（mA ）

150

100

R

thJA

50

0

20

40

60

80

100

0.8

0.7

0

20

40

60

80

100

94 7988

T

AMB

- 环境温度（ ° C）

94 7990

T

AMB

- 环境温度（ ° C）

图2.正向电流与环境温度

图5.相对正向电压与环境温度

10

1

I

e

- 辐射强度（毫瓦/ SR ）

1000

I

F

- 正向电流（ A）

I

FSM

= 2.5 A（单脉冲）

t

p

/T = 0.01

10

0

0.05

0.1

0.5

1.0

10

-1

10

-2

100

TSUS 5202

TSUS5200

10

1

TSUS 5201

10

0

10

1

10

2

10

3

I

F

- 正向电流（mA ）

10

4

94 7989

10

-1

10

0

10

1

t

p

- 脉冲持续时间（毫秒）

10

2

94 7991

图3.脉冲正向电流与脉冲持续时间

图6.辐射强度与正向电流

文档编号81055

2.0版本， 23 -FEB -07

www.vishay.com

3

TSUS520.

威世半导体

0°

10°

20°

30°

Φ

- 辐射功率（mW ）

e

TSUS 5202

100

TSUS5200

10

I

ê相对

- 相对辐射强度

1000

40°

1.0

0.9

0.8

0.7

50°

60°

70°

80°

1

0.1

10

0

94 7992

10

1

10

2

10

3

I

F

- 正向电流（mA ）

10

4

94 7995

0.6

0.4

0.2

0

0.2

0.4

0.6

图7.辐射功率与正向电流

图10.相对辐射强度对比角位移

1.6

1.2

I

ê相对

;

Φ

ê相对

I

F

= 20毫安

0.8

0.4

0

- 10 0 10

94 7993

50

100

140

T

AMB

- 环境温度（ ° C）

图8.相对。辐射强度/功率随环境温度

1.25

Φ

ê相对

- 相对辐射功率

1.0

0.75

0.5

0.25

I

F

= 100毫安

0

900

950

1000

94 7994

λ

-

波长

（纳米）

图9.相对辐射功率与波长

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4

文档编号81055

2.0版本， 23 -FEB -07

TSUS520.

威世半导体

包装尺寸（mm）

95 10916

文档编号81055

2.0版本， 23 -FEB -07

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5

TSUS520.

威世半导体

红外发光二极管， 950纳米，砷化镓

描述

TSUS520 。系列红外发光二极管标

准的GaAs砷化镓（GaAs）技术，在成型清晰，

蓝灰色的有色塑料封装。该装置是

光谱匹配的硅光电二极管和光子

totransistors 。

94

8389

特点

低成本发射器

低正向电压

高辐射功率和辐射强度

e2

适用于DC和高脉冲电流

手术

标准T - 1.75 （ 5毫米）的封装

半强度角

= ± 15°

峰值波长

λ

p

= 950 nm的

高可靠性

良好的光谱匹配Si光电探测器

铅（Pb ） -free组件

按照RoHS 2002/95 / EC成分

和WEEE 2002/96 / EC

应用

红外遥控和自由的空气传播

具有低正向电压和低成本的系统

结合需求与PIN光电二极管

或光电晶体管。

绝对最大额定值

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

参数

反向电压

正向电流

最大正向电流

正向电流浪涌

功耗

结温

工作温度范围

存储温度范围

焊接温度

热阻结/

环境

t

≤

5秒，2毫米的情况下

t

p

/T = 0.5, t

p

= 100 s

t

p

= 100 s

测试条件

符号

V

R

I

F

I

FM

I

FSM

P

V

T

j

T

AMB

T

英镑

T

sd

R

thJA

价值

5

150

300

2.5

210

100

- 55至+ 100

260

375

单位

V

mA

A

mW

°C

K / W

文档编号81055

2.0版本， 23 -FEB -07

www.vishay.com

1

TSUS520.

威世半导体

电气特性

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

参数

正向电压

温度。 V系数

F

反向电流

结电容

测试条件

I

F

= 100毫安，吨

p

= 20毫秒

I

F

= 100毫安

V

R

= 5 V

V

R

= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0

符号

V

F

TK

VF

I

R

C

j

30

民

典型值。

1.3

- 1.3

100

最大

1.7

单位

V

毫伏/ K

A

pF

光学特性

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

参数

温度。系数

φ

e

半强度角

峰值波长

光谱带宽

温度。系数

λ

p

上升时间

下降时间

虚拟源直径

I

F

= 100毫安

I

F

= 100毫安

I

F

= 100毫安

I

F

= 100毫安

I

F

= 1.5 A

I

F

= 100毫安

I

F

= 1.5 A

测试条件

I

F

= 20毫安

符号

TK =

e

λ

p

Δλ

TK =

p

t

r

t

r

t

f

t

f

民

典型值。

- 0.8

± 15

950

50

0.2

800

400

800

400

3.8

最大

单位

%/K

度

nm

纳米/ K

ns

mm

专用型特点

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

参数

正向电压

测试条件

I

F

= 1.5 A，T

p

= 100 s

部分

TSUS5200

TSUS5201

TSUS5202

辐射强度

I

F

= 100毫安，吨

p

= 20毫秒

TSUS5200

TSUS5201

TSUS5202

I

F

= 1.5 A，T

p

= 100 s

TSUS5200

TSUS5201

TSUS5202

辐射功率

I

F

= 100毫安，吨

p

= 20毫秒

TSUS5200

TSUS5201

TSUS5202

符号

V

F

V

F

V

F

I

e

I

e

I

e

I

e

I

e

I

e

φ

e

φ

e

φ

e

10

15

20

95

120

170

民

典型值。

2.2

20

25

30

180

230

280

13

14

15

最大

3.4

2.7

50

单位

V

毫瓦/ SR

mW

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2

文档编号81055

2.0版本， 23 -FEB -07

TSUS520.

威世半导体

典型特征

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

250

10

4

10

3

10

2

10

1

10

0

10

-1

94 7996

P

V

- 功耗（MW ）

150

R

thJA

100

50

0

20

40

60

80

100

I

F

- 正向电流（mA ）

200

0

1

2

3

4

94 7957

T

AMB

- 环境温度（ ° C）

V

F

- 前进

电压

(V)

图1.功耗与环境温度

图4.正向电流与正向电压

200

V

Frel

- 相对正向

电压

(V)

250

1.2

1.1

I

F

= 10毫安

1.0

0.9

I

F

- 正向电流（mA ）

150

100

R

thJA

50

0

20

40

60

80

100

0.8

0.7

0

20

40

60

80

100

94 7988

T

AMB

- 环境温度（ ° C）

94 7990

T

AMB

- 环境温度（ ° C）

图2.正向电流与环境温度

图5.相对正向电压与环境温度

10

1

I

e

- 辐射强度（毫瓦/ SR ）

1000

I

F

- 正向电流（ A）

I

FSM

= 2.5 A（单脉冲）

t

p

/T = 0.01

10

0

0.05

0.1

0.5

1.0

10

-1

10

-2

100

TSUS 5202

TSUS5200

10

1

TSUS 5201

10

0

10

1

10

2

10

3

I

F

- 正向电流（mA ）

10

4

94 7989

10

-1

10

0

10

1

t

p

- 脉冲持续时间（毫秒）

10

2

94 7991

图3.脉冲正向电流与脉冲持续时间

图6.辐射强度与正向电流

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TSUS520.

威世半导体

0°

10°

20°

30°

Φ

- 辐射功率（mW ）

e

TSUS 5202

100

TSUS5200

10

I

ê相对

- 相对辐射强度

1000

40°

1.0

0.9

0.8

0.7

50°

60°

70°

80°

1

0.1

10

0

94 7992

10

1

10

2

10

3

I

F

- 正向电流（mA ）

10

4

94 7995

0.6

0.4

0.2

0

0.2

0.4

0.6

图7.辐射功率与正向电流

图10.相对辐射强度对比角位移

1.6

1.2

I

ê相对

;

Φ

ê相对

I

F

= 20毫安

0.8

0.4

0

- 10 0 10

94 7993

50

100

140

T

AMB

- 环境温度（ ° C）

图8.相对。辐射强度/功率随环境温度

1.25

Φ

ê相对

- 相对辐射功率

1.0

0.75

0.5

0.25

I

F

= 100毫安

0

900

950

1000

94 7994

λ

-

波长

（纳米）

图9.相对辐射功率与波长

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4

文档编号81055

2.0版本， 23 -FEB -07

TSUS520.

威世半导体

包装尺寸（mm）

95 10916

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5

TSUS5200 ， TSUS5201 ， TSUS5202

威世半导体

红外发光二极管， 950纳米，砷化镓

特点

套餐类型：含铅

包装形式： T- 1.75

外形尺寸（单位：mm）： 5

信息与对峙

峰值波长：

λ

p

= 950 nm的

高可靠性

半强度角：

= ± 15°

低正向电压

适用于高脉冲电流运行

与硅光电探测器良好的光谱匹配

符合RoHS指令2002/95 / EC和

根据WEEE指令2002/96 / EC

无卤素，符合IEC 61249-2-21定义

94

8390

in

描述

TSUS5200是红外线， 950 nm的发光的砷化镓二极管

技术成型为蓝灰色色调的塑料封装。

应用

红外遥控和自由的空气传输系统

具有低正向电压和小包装的要求

发射器传输的传感器

发射器的反射型传感器

产品概述

部件

I

e

（毫瓦/ SR）

（度）

± 15

λ

P

（纳米）

950

t

r

（纳秒）

800

TSUS5200

20

TSUS5201

25

TSUS5202

30

记

测试条件见附表“基本特征”

订购信息

订购代码

TSUS5200

TSUS5201

TSUS5202

记

最小起订量：最小起订量

包装

体积

备注

最小起订量： 4000件， 4000件/散装

包装形式

T-1

绝对最大额定值

参数

反向电压

正向电流

最大正向电流

正向电流浪涌

功耗

结温

工作温度范围

存储温度范围

焊接温度

热阻结/环境

记

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

测试条件

符号

V

R

I

F

I

FM

I

FSM

P

V

T

j

T

AMB

T

英镑

T

sd

R

thJA

价值

5

150

300

2.5

170

100

- 40至+ 85

- 40至+ 100

260

230

单位

V

mA

A

mW

°C

K / W

t

p

/T = 0.5, t

p

= 100 s

t

p

= 100 s

t

≤

5秒2毫米的情况下

J- STD- 051 ，导致7毫米，焊接在PCB

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如有技术问题，请联系：

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TSUS5200 ， TSUS5201 ， TSUS5202

威世半导体

红外发光二极管， 950纳米，

砷化镓

180

120

100

80

60

P

V

- 功耗（MW ）

160

140

120

100

80

60

40

20

0

10

20 30

40

50

60

70

80

90

100

21314

R

thJA

= 230 K / W

I

F

- 正向电流（mA ）

R

thJA

= 230 K / W

40

20

0

10

20 30 40

50 60 70

80

90 100

21313

T

AMB

- 环境温度（ ° C）

T

AMB

- 环境温度（ ° C）

图。 1 - 功耗极限 - 环境温度

图。 2 - 正向电流限制与环境温度

基本特征

参数

正向电压

V温度COEF网络cient

F

反向电流

结电容

温度COEF网络cient

φ

e

半强度角

峰值波长

光谱带宽

温度COEF网络cient

λ

p

上升时间

下降时间

虚拟源直径

记

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

I

F

= 100毫安

I

F

= 100毫安

I

F

= 100毫安

I

F

= 100毫安

I

F

= 1.5 A

I

F

= 100毫安

I

F

= 1.5 A

测试条件

I

F

= 100毫安，吨

p

= 20毫秒

I

F

= 100毫安

V

R

= 5 V

V

R

= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0

I

F

= 20毫安

符号

V

F

TK

VF

I

R

C

j

TK =

e

λ

p

Δλ

TK =

p

t

r

t

r

t

f

t

f

d

30

- 0.8

± 15

950

50

0.2

800

400

800

400

3.8

分钟。

典型值。

1.3

- 1.3

100

马克斯。

1.7

单位

V

毫伏/ K

A

pF

%/K

度

nm

纳米/ K

ns

mm

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如有技术问题，请联系：

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TSUS5200 ， TSUS5201 ， TSUS5202

红外发光二极管， 950纳米，

砷化镓

专用型特点

参数

正向电压

测试条件

I

F

= 1.5 A，T

p

= 100 s

部分

TSUS5200

TSUS5201

TSUS5202

TSUS5200

I

F

= 100毫安，吨

p

= 20毫秒

辐射强度

I

F

= 1.5 A，T

p

= 100 s

TSUS5201

TSUS5202

TSUS5200

TSUS5201

TSUS5202

TSUS5200

辐射功率

I

F

= 100毫安，吨

p

= 20毫秒

TSUS5201

TSUS5202

记

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

符号

V

F

V

F

V

F

I

e

I

e

I

e

I

e

I

e

I

e

φ

e

φ

e

φ

e

10

15

20

95

120

170

分钟。

典型值。

2.2

20

25

30

180

230

280

13

14

15

马克斯。

3.4

2.7

50

单位

V

毫瓦/ SR

mW

威世半导体

基本特征

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

10

1

I

F

- 正向电流（ A）

1.2

V

F REL

- 相对正向

电压

(V)

I

FSM

= 2.5 A（单脉冲）

t

p

/T = 0.01

10

0

0.05

0.1

0.5

1.0

10

-1

10

-2

1.1

I

F

= 10毫安

1.0

0.9

0.8

0.7

10

-1

10

0

10

1

10

2

94 7990

0

20

40

60

80

100

94 7989

t

p

- 脉冲持续时间（毫秒）

T

AMB

- 环境温度（ ° C）

图。 3 - 脉冲正向电流与脉冲持续时间

图。 5 - 相对正向电压与环境温度

10

4

10

3

10

2

10

1

10

0

10

-1

94 7996

1000

I

e

- 辐射强度（毫瓦/ SR ）

I

F

- 正向电流（mA ）

100

TSUS 5202

TSUS5200

10

0

1

2

3

4

94 7991

1

10

0

TSUS 5201

10

1

10

2

10

3

I

F

- 正向电流（mA ）

10

4

V

F

- 前进

电压

(V)

图。 4 - 正向电流与正向电压

图。 6 - 辐射强度与正向电流

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TSUS5200 ， TSUS5201 ， TSUS5202

威世半导体

1000

Φ

- 辐射功率（mW ）

e

Φ

ê相对

- 相对辐射功率

TSUS 5202

100

TSUS5200

10

红外发光二极管， 950纳米，

砷化镓

1.25

1.0

0.75

0.5

1

0.25

I

F

= 100毫安

0

900

950

λ

-

波长

（纳米）

1000

0.1

10

0

94 7992

10

1

10

2

10

3

I

F

- 正向电流（mA ）

10

4

94 7994

图。 7 - 辐射功率与正向电流

1.6

图。 9 - 相对辐射功率与波长

0°

10°

20°

30°

1.2

I

ê相对

;

Φ

ê相对

I

F

= 20毫安

0.8

I

ê相对

- 相对辐射强度

40°

1.0

0.9

0.8

0.7

50°

60°

70°

80°

0.4

0

- 10 0 10

94 7993

50

100

140

94 7995

T

AMB

- 环境温度（ ° C）

0.6

0.4

0.2

0

0.2

0.4

0.6

图。 8 - 相对辐射强度/功率随环境温度

图。 10 - 相对辐射强度对比角位移

包装尺寸

以毫米为单位

A

C

5.8 ± 0.15

2.49 （球）

7.7 ± 0.15

12.5 ± 0.3

8.7

± 0.3

(4.7)

35.5 ± 0.55

< 0.7

地区没有飞机

1.1 ± 0.25

5 ± 0.15

1分钟。

0.15

0.5 + 0.05

-

2.54喃。

+ 0.15

0.5 - 0.05

技术图纸

根据DIN

特定网络阳离子

6.544-5258.02-4

问题： 6 ; 09年5月19日

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法律免责声明

日前，Vishay

放弃

全部产品，产品规格及数据如有更改，恕不另行通知，以改善

可靠性，功能，设计或其他原因。

日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和雇员，和所有代表及其或其各自的（统称个人，

“威世” ），包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任

关于任何产品的披露。

日前，Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证，声明或担保

继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内， Vishay不承担（ i）任何及所有

责任所产生的任何产品的应用或使用，（ ii）任何及所有责任，包括但不限于特殊，

间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保

目的，非侵权及适销性。

关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识

的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明

关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的

产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数

数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有

工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证

技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，

包括但不限于本文所述的保修。

除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用

应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。

使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险，并同意

充分赔偿并日前，Vishay及其分销商，免受任何和所有索赔，债务，费用和

引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世

或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员

获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。

没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或

Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。

文档编号： 91000

修订： 11 -MAR- 11

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