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TSTS750.
威世德律风根
砷化镓红外发光二极管在密封TO18
例
描述
该TSTS750 。系列中的红外发光二极管
标准的GaAs技术在密闭
的TO- 18封装。他们的平板玻璃窗使他们
非常适合与外部光学系统中使用。
特点
D
D
D
D
D
适用于脉冲操作
半强度角宽
=
±
30
°
峰值波长
l
p
= 950 nm的
高可靠性
良好的光谱匹配Si光电探测器
94 8400
应用
在近红外范围内的辐射来源
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
存储温度范围
热阻结/环境
热阻结/外壳
测试条件
T
例
25
°
C
t
p
/T = 0.5, t
p
100
m
s,
T
例
25
°
C
t
p
100
m
s
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
P
V
T
j
T
英镑
R
thJA
R
thJC
价值
5
250
500
2.5
170
500
100
–55...+100
450
150
单位
V
mA
mA
A
mW
mW
°
C
°
C
K / W
K / W
x
x
x
x
T
例
x
25
°
C
文档编号81049
第2版， 20日， 99
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1 (5)
TSTS750.
威世德律风根
基本特征
T
AMB
= 25
_
C
参数
正向电压
击穿电压
结电容
辐射功率
温度。系数
f
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
上升时间
下降时间
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
20毫秒
I
R
= 100
m
A
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 100毫安，吨
p
20毫秒
I
F
= 100毫安
x
x
符号
V
F
V
（ BR ）
C
j
TK
f
e
民
5
典型值
1.3
30
7
–0.8
±30
950
50
400
400
最大
1.7
f
e
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 1.5 A，T
p
/T = 0.01,
t
p
10
m
s
I
F
= 1.5 A，T
p
/T = 0.01,
t
p
10
m
s
l
p
Dl
t
r
t
f
x
x
单位
V
V
pF
mW
%/K
度
nm
nm
ns
ns
专用型特点
T
AMB
= 25
_
C
参数
辐射强度
y
测试条件
I
F
= 100毫安，T
p
=20ms
TYPE
TSTS7500
TSTS7501
TSTS7502
TSTS7503
符号
I
e
I
e
I
e
I
e
民
1.25
1.6
2.5
4
典型值
1.6
2.5
4
6.3
最大
3.2
5
8
单位
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C除非另有说明）
600
P
V
- 功耗（MW ）
I
F
- 正向电流（mA ）
500
400
300
200
R
thJA
100
0
0
94 8017 e
300
R
thJC
250
200
R
thJC
150
100
50
0
25
50
75
100
125
94 8018 e
R
thJA
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图1.功耗与环境温度
图2.正向电流与环境温度
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第2版， 20日， 99
TSTS750.
威世德律风根
10
1
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
I
F
- 正向电流（ A）
100
TSTS 7503
10
TSTS 7501
1
TSTS 7502
I
FSM
= 2.5 A（单脉冲）
t
p
/ T = 0.01
10
0
0.05
0.1
0.2
0.5
10
–1
10
–2
0.1
10
–1
10
0
10
1
10
2
94 7926 e
10
0
94 8003 e
t
p
- 脉冲持续时间（毫秒）
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
图3.脉冲正向电流与脉冲持续时间
10
4
I
F
- 正向电流（mA ）
图6.辐射强度与正向电流
1000
F
e
- 辐射功率（mW ）
0
1
2
3
4
10
3
10
2
10
1
10
0
10
–1
100
10
1
0.1
10
0
94 7977 e
94 7996 e
V
F
- 正向电压（ V）
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
图4.正向电流与正向电压
1.2
V
Frel
- 相对正向电压
1.1
I
ê相对
;
F
ê相对
I
F
= 10毫安
1.0
0.9
图7.辐射功率与正向电流
1.6
1.2
I
F
= 20毫安
0.8
0.4
0.8
0.7
0
20
40
60
80
100
94 7993 e
0
–10 0 10
50
100
140
94 7990 e
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图5.相对正向电压 -
环境温度
图8.相对。辐射强度\\功率对
环境温度
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TSTS750.
威世德律风根
0°
1.25
1.0
I
ê相对
- 相对辐射强度
10
°
20
°
30°
F
ê相对
- 相对辐射功率
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.75
0.5
0.25
I
F
= 100毫安
0
900
950
1000
94 7994 e
l
- 波长（nm ）
0.6
94 7978 e
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
图9.相对辐射功率与波长
图10.相对辐射强度对比
角位移
尺寸（mm）
14485
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威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统，以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
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TLC393MP
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TSC80C31-40IBB/883
TPS61042
TC4420_04
TEF4810
TVW20J3R3
T494T226M006AS
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TLC2274AQDRQ1
TRS3243CPWR
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