TSTS730.
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统，以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
文档编号81048
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5 (5)
TSTS7300
威世半导体
红外发光二极管，符合RoHS ， 950纳米，砷化镓
特点
包装类型：含铅
封装形式： TO- 18
尺寸（单位：mm） ：
4.7
峰值波长：
λ
p
= 950 nm的
高可靠性
高辐射功率
高辐射强度
半强度角：
= ± 12°
948642
低正向电压
适用于高脉冲电流操作
与硅光电探测器良好的光谱匹配
铅（Pb ）按照-free组件
RoHS指令2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
同
描述
TSTS7300是红外线， 950 nm的发光的砷化镓二极管
技术中的一个密封TO -18封装
镜头。
应用
在近红外范围内的辐射来源
产品概述
部件
TSTS7300
I
e
（毫瓦/ SR）
6.3
（度）
± 12
λ
P
（纳米）
950
t
r
（纳秒）
800
记
测试条件见附表“基本特征”
订购信息
订购代码
TSTS7300
记
最小起订量：最小起订量
包装
体积
备注
最小起订量： 1000件， 1000件/散装
包装形式
TO-18
绝对最大额定值
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
存储温度范围
热阻结/环境
热阻结/外壳
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
线索没有焊接
线索没有焊接
T
例
≤
25 °C
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
100微秒，T
例
≤
25 °C
t
p
≤
100 s
T
例
≤
25 °C
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
P
V
T
j
T
英镑
R
thJA
R
thJC
价值
5
250
500
2.5
170
500
100
- 55至+ 100
450
150
单位
V
mA
mA
A
mW
mW
°C
°C
K / W
K / W
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如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com
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红外发光二极管，符合RoHS ，
威世半导体
950纳米，砷化镓
600
P
V
- 功耗（MW ）
500
400
300
200
R
thJA
100
0
0
12790
300
I
F
- 正向电流（mA ）
R
thJC
250
200
R
thJC
150
100
50
0
25
50
75
100
125
94
8018
R
thJA
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
图。 2 - 正向电流限制与环境温度
基本特征
参数
正向电压
V温度COEF网络cient
F
击穿电压
结电容
辐射强度
辐射功率
温度COEF网络cient
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
上升时间
虚拟源直径
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 1.5 A，T
p
/T = 0.01, t
p
≤
10 s
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
≤
20毫秒
I
F
= 100毫安
I
R
= 100 A
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 100毫安，吨
p
=
20毫秒
I
F
= 100毫安，吨
p
≤
20毫秒
I
F
= 100毫安
符号
V
F
TK
VF
V
（ BR ）
C
j
I
e
φ
e
TK =
e
λ
p
Δλ
t
r
t
r
d
4
5
30
6.3
7
- 0.8
± 12
950
50
800
400
1
32
分钟。
典型值。
1.3
- 1.3
马克斯。
1.7
单位
V
毫伏/ K
V
pF
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
ns
ns
mm
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
10
1
10
4
10
3
10
2
10
1
10
0
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
94 7996
I
F
- 正向电流（ A）
I
FSM
= 2.5 A（单暂停）
t
p
/T= 0.01
10
0
0.05
0.1
0.2
0.5
10
-1
10
-2
I
F
- 正向电流（mA ）
0
1
2
3
4
94
8003
t
p
- 脉冲持续时间（毫秒）
V
F
- 前进
电压
(V)
图。 3 - 脉冲正向电流与脉冲持续时间
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图。 4 - 正向电流与正向电压
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红外发光二极管，符合RoHS ，
950纳米，砷化镓
1.2
V
F REL
- 相对正向
电压
(V)
1.1
I
F
= 10毫安
1.0
0.9
1.6
1.2
I
ê相对
;
Φ
ê相对
I
F
= 20毫安
0.8
0.4
0.8
0.7
0
20
40
60
80
100
0
- 10 0 10
94 7993
50
100
140
94 7990
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 5 - 相对正向电压与环境温度
图。 8 - 相对辐射强度/功率随环境温度
1000
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
1.25
Φ
ê相对
- 相对辐射功率
100
1.0
0.75
0.5
10
1
t
p
/T = 0.01 , t
p
= 20
s
0.1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
0.25
I
F
= 100毫安
0
900
950
1000
94
8004
I
F
- 正向电流（mA ）
94 7994
λ
-
波长
（纳米）
图。 6 - 辐射强度与正向电流
图。 9 - 相对辐射功率与波长
0°
10°
20°
30°
1000
I
ê相对
- 相对辐射强度
Φ
e
- 辐射功率（mW ）
100
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
10
1
0.1
10
0
94 7977
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
94
8021
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
图。 7 - 辐射功率与正向电流
图。 10 - 相对辐射强度对比角位移
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威世半导体
950纳米，砷化镓
包装尺寸
以毫米为单位
A
C
芯片位置
(2.5)
6.15
± 0.25
4.69
+ 0.02
- 0.07
0.45
+0.02
-0.05
13.2
± 0.7
5.5
2.54喃。
± 0.15
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
镜头
水彩编号： 6.503-5022.02-4
问题： 1 ; 98年8月24日
14487
4
± 0.05
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日前，Vishay
放弃
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从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
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修订： 18 -JUL- 08
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2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
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