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10A 800V TO- 262
晶闸管
TYPE
：
TSN10A80
Cnstruction ：规划结构逆向传导
期货：高V
DRM
& Permissonable的di / dt
应用：斯塔特的HID整Bullust电路
重量
:
1.45g
符号
V
DRM
I
TRM
条件
Tj=25°C
Tc
≤
100
°C,
V
DM
≤
400V
I
G
≥
80毫安，挖/ DT
≥
0.5A/
s
tw
≤
1.0s，di/dt
≤
1500A/s
税
≤
0.005
℅
Tc
≤
100
°C,
tw
≤
1.0s
税
≤
0.005
℅
Tc
≤
100
°C,
V
DM
≤
400V
I
G
≥
80毫安，挖/ DT
≥
0.5A/
s
I
TM
≤
500A,
tw
≤
1.0s
50赫兹， 1分，无CoolingFin
f
≥
为50Hz ，占空比
≤
10
℅
马克斯。额定值
800
500
单位
V
A
绝对最大额定值
等级
重复峰值断态电压
重复峰值通态电流*
正向重复峰值电流*
崛起的断态临界速率
电压
唐氏允许的速率
通态电流*
PeakGate电源
平均功耗门
PeakForward栅电流
PeakForward栅极电压
PeakReverse栅极电压
工作结温范围
存储温度范围
I
FRM
500
A
的di / dt
1500
A / μs的
P
GM
P
G（ AV ）
I
GM
V
GM
V
RGM
TJW
TSTG
5
0.5
W
W
A
V
V
°C
°C
f
≥
为50Hz ，占空比
≤
10
℅
2
10
5
-40到+125
-40到+150
*注：测试电路&电流波形
R
SW
L
0.5
I
TM
0.1
I
TM
I
TM
V
DM
C
晶闸管样品
t
tw
的di / dt = 0.4
I
TM
/t
电气特性
（ TJ = 25
°C)
特征
峰值断态电流
峰值通态电压
峰值正向电压
门极触发电流
门极触发电压
HoldingCurrent
LatchingCurrent
热阻
热阻
符号
I
DM
V
TM
V
FM
I
GT
V
DM
= 6V ，R
L
=10ohm
V
GT
I
H
I
L
RTH （J -C ）
Rth的第（j-一）
I
G
= 50mA时我
TM
=1A
I
G
=50mA
结到外壳
结到环境
7
13
5
80
1.0
V
mA
mA
°C/
W
°C/
W
条件
V
DM
= V
DRM
I
TM
=20A
I
FM
=10A
分钟。
典型值。
马克斯。
100
1.50
1.50
20
单位
A
A
A
mA
TSN10A08
外形图（尺寸：毫米）
10A 800V TO- 262
晶闸管
TYPE
：
TSN10A80
Cnstruction ：规划结构逆向传导
期货：高V
DRM
& Permissonable的di / dt
应用：斯塔特的HID整Bullust电路
重量
:
1.45g
符号
V
DRM
I
TRM
条件
Tj=25°C
Tc
≤
100
°C,
V
DM
≤
400V
I
G
≥
80毫安，挖/ DT
≥
0.5A/
s
tw
≤
1.0s，di/dt
≤
1500A/s
税
≤
0.005
℅
Tc
≤
100
°C,
tw
≤
1.0s
税
≤
0.005
℅
Tc
≤
100
°C,
V
DM
≤
400V
I
G
≥
80毫安，挖/ DT
≥
0.5A/
s
I
TM
≤
500A,
tw
≤
1.0s
50赫兹， 1分，无CoolingFin
f
≥
为50Hz ，占空比
≤
10
℅
马克斯。额定值
800
500
单位
V
A
绝对最大额定值
等级
重复峰值断态电压
重复峰值通态电流*
正向重复峰值电流*
崛起的断态临界速率
电压
唐氏允许的速率
通态电流*
PeakGate电源
平均功耗门
PeakForward栅电流
PeakForward栅极电压
PeakReverse栅极电压
工作结温范围
存储温度范围
I
FRM
500
A
的di / dt
1500
A / μs的
P
GM
P
G（ AV ）
I
GM
V
GM
V
RGM
TJW
TSTG
5
0.5
W
W
A
V
V
°C
°C
f
≥
为50Hz ，占空比
≤
10
℅
2
10
5
-40到+125
-40到+150
*注：测试电路&电流波形
R
SW
L
0.5
I
TM
0.1
I
TM
I
TM
V
DM
C
晶闸管样品
t
tw
的di / dt = 0.4
I
TM
/t
电气特性
（ TJ = 25
°C)
特征
峰值断态电流
峰值通态电压
峰值正向电压
门极触发电流
门极触发电压
HoldingCurrent
LatchingCurrent
热阻
热阻
符号
I
DM
V
TM
V
FM
I
GT
V
DM
= 6V ，R
L
=10ohm
V
GT
I
H
I
L
RTH （J -C ）
Rth的第（j-一）
I
G
= 50mA时我
TM
=1A
I
G
=50mA
结到外壳
结到环境
7
13
5
80
1.0
V
mA
mA
°C/
W
°C/
W
条件
V
DM
= V
DRM
I
TM
=20A
I
FM
=10A
分钟。
典型值。
马克斯。
100
1.50
1.50
20
单位
A
A
A
mA
TSN10A08
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TSC80C31-40MHR/883
TW-206
TSC80C51CXXX-30MF
TSPC603RVGSB/Q14L
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    TSN10A80
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