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TSMF3710
威世半导体
高速红外发光二极管， 870纳米， GaAlAs的双
杂
描述
TSMF3710是在一个高速红外发光二极管
的GaAlAs双异质（ DH）技术的一个缩影
PLCC-2封装SMD封装。
DH技术结合高速与高辐射
功率在870 nm的波长。
特点
高辐射功率
高速吨
r
= 30纳秒
高调制带宽F
c
= 12 MHz的
峰值波长
λ
p
= 870 nm的
高可靠性
94
8553
e3
应用
高速红外数据传输
高功率发射器用于低空间应用
高性能透射或反射森
感器
低正向电压
适合于高脉冲电流应用
半强度角宽
兼容与自动贴装设备
EIA和ICE标准封装
适于红外线，气相和波峰焊
过程
8mm带和卷轴标准： GS08或GS18
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
零件表
部分
TSMF3710-GS08
TSMF3710-GS18
TSMF3710-GS08
TSMF3710-GS18
订购代码
最小起订量： 7500件
最小起订量： 8000件
备注
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/
环境
t
≤
10秒
t
p
/T = 0.5, t
p
= 100 s
t
p
= 100 s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
5
100
200
1
170
100
- 40至+ 85
- 40至+ 100
260
450
单位
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
文档编号81088
修订版1.3 ， 21 -FEB -07
www.vishay.com
1
TSMF3710
威世半导体
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
温度。 V系数
F
反向电流
结电容
辐射强度
辐射功率
温度。系数
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度。系数
λ
p
上升时间
下降时间
虚拟源大小
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
I
F
= 100毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 100毫安
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
C
j
I
e
I
e
φ
e
TK =
e
λ
p
Δλ
TK =
p
t
r
t
f
125
10
100
40
-0.35
±60
870
40
0.25
30
30
0.44
22
民
典型值。
1.5
2.3
-2.1
10
最大
1.8
单位
V
V
毫伏/ K
A
pF
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
mm
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
200
P
V
- 功耗（MW ）
I
F
- 正向电流（mA ）
125
100
R
thJA
75
50
25
0
0
20
40
60
80
100
14847
150
R
thJA
100
50
0
14846
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图1.功耗与环境温度
图2.正向电流与环境温度
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2
文档编号81088
修订版1.3 ， 21 -FEB -07
TSMF3710
威世半导体
10000
0.01
0.02
0.05
1.25
Φ
ê相对
- 相对辐射功率
t
p
/T = 0.005
T
AMB
< 60℃
I
F
- 正向电流（mA ）
1000
1.0
0.75
0.5
100
0.2
0.5
DC
10
0.1
0.25
I
F
= 100毫安
0
820
870
λ
-
波长
（纳米）
920
1
0.01
95 9985
0.1
1
10
100
15821
t
p
- 脉冲宽度（毫秒）
图3.脉冲正向电流与脉冲持续时间
图6.相对辐射功率与波长
1000
I
ê相对
- 相对辐射强度
0°
10°
20°
30°
I
F
- 正向电流（mA ）
100
t
P
= 100
s
t
P
/T = 0.001
10
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
1
0
18873
1
3
2
V
F
- 前进
电压
(V)
4
94
8013
图4.正向电流与正向电压
图7.相对辐射强度对比角位移
100
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
10
t
p
= 100
s
1
0.1
1
18874
10
100
1000
I
F
- 正向脉冲电流（mA ）
图5.辐射强度与正向脉冲电流
文档编号81088
修订版1.3 ， 21 -FEB -07
www.vishay.com
3
TSMF3710
威世半导体
包装尺寸（mm）
3.5 ± 0.2
1.75 ± 0.10
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
0.9
贴装焊盘布局
PIN码识别
1.2
覆盖区域
同
阻焊
2.6 (2.8)
+ 0.15
2.2
C
A
2.8
4
1.6 (1.9)
2.4
3
+ 0.15
水彩编号： 6.541-5025.01-4
问题：
8;
22.11.05
95 11314-1
www.vishay.com
4
4
文档编号81088
修订版1.3 ， 21 -FEB -07
TSMF3710
威世半导体
温度 - 时间简介
948625
300
最大。 240℃
约230℃
10 s
250
温度（℃）
胶带
200
215 °C
150
100
50
2 K / S - 4 K / S
全行
点
：典型
：工艺限制
最大。 160℃
90 s - 120 s
最大40岁
吸塑带
焊接温度
0
0
50
100
150
200
250
时间（s）
部件腔
94
8670
图8.铅锡（锡铅）回流焊接温度曲线
图9.吸塑带
DryPack
装置被装在防潮袋（MBB ），以
防止产品吸湿时
运输和储存。每个袋子里有一个沙漠
iccant 。
3.5
3.1
2.2
2.0
地板寿命
车间寿命（焊接和拆卸的时间
MBB）不得超过在所指示的时间
J- STD- 020 。 TSM ...被释放：
湿度敏感度等级2 ，根据
JEDEC J- STD- 020
地板寿命：1年
条件：T已
AMB
< 30 ℃，相对湿度< 60％的
5.75
5.25
3.6
3.4
1.85
1.65
4.0
3.6
8.3
7.7
1.6
1.4
4.1
3.9
2.05
1.95
4.1
3.9
0.25
94
8668
图10.磁带尺寸（mm）为PLCC- 2
烘干
的情况下的水分吸收装置应
烤前焊接。条件看J- STD- 020或
标签。推荐使用在录音盘干燥设备
条件下在40℃ （ ±5 ℃） ，相对湿度< 5％ 192
文档编号81088
修订版1.3 ， 21 -FEB -07
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TSMF3710
威世半导体
高速红外发光二极管， 870纳米， GaAlAs的双
杂
描述
TSMF3710是在一个高速红外发光二极管
的GaAlAs双异质（ DH）技术的一个缩影
PLCC-2封装SMD封装。
DH技术结合高速与高辐射
功率在870 nm的波长。
特点
高辐射功率
高速吨
r
= 30纳秒
高调制带宽F
c
= 12 MHz的
峰值波长
λ
p
= 870 nm的
高可靠性
94
8553
e3
应用
高速红外数据传输
高功率发射器用于低空间应用
高性能透射或反射森
感器
低正向电压
适合于高脉冲电流应用
半强度角宽
兼容与自动贴装设备
EIA和ICE标准封装
适于红外线，气相和波峰焊
过程
8mm带和卷轴标准： GS08或GS18
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
零件表
部分
TSMF3710-GS08
TSMF3710-GS18
TSMF3710-GS08
TSMF3710-GS18
订购代码
最小起订量： 7500件
最小起订量： 8000件
备注
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/
环境
t
≤
10秒
t
p
/T = 0.5, t
p
= 100 s
t
p
= 100 s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
5
100
200
1
170
100
- 40至+ 85
- 40至+ 100
260
450
单位
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
文档编号81088
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1
TSMF3710
威世半导体
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
温度。 V系数
F
反向电流
结电容
辐射强度
辐射功率
温度。系数
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度。系数
λ
p
上升时间
下降时间
虚拟源大小
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
I
F
= 100毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 100毫安
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
C
j
I
e
I
e
φ
e
TK =
e
λ
p
Δλ
TK =
p
t
r
t
f
125
10
100
40
-0.35
±60
870
40
0.25
30
30
0.44
22
民
典型值。
1.5
2.3
-2.1
10
最大
1.8
单位
V
V
毫伏/ K
A
pF
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
mm
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
200
P
V
- 功耗（MW ）
I
F
- 正向电流（mA ）
125
100
R
thJA
75
50
25
0
0
20
40
60
80
100
14847
150
R
thJA
100
50
0
14846
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图1.功耗与环境温度
图2.正向电流与环境温度
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TSMF3710
威世半导体
10000
0.01
0.02
0.05
1.25
Φ
ê相对
- 相对辐射功率
t
p
/T = 0.005
T
AMB
< 60℃
I
F
- 正向电流（mA ）
1000
1.0
0.75
0.5
100
0.2
0.5
DC
10
0.1
0.25
I
F
= 100毫安
0
820
870
λ
-
波长
（纳米）
920
1
0.01
95 9985
0.1
1
10
100
15821
t
p
- 脉冲宽度（毫秒）
图3.脉冲正向电流与脉冲持续时间
图6.相对辐射功率与波长
1000
I
ê相对
- 相对辐射强度
0°
10°
20°
30°
I
F
- 正向电流（mA ）
100
t
P
= 100
s
t
P
/T = 0.001
10
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
1
0
18873
1
3
2
V
F
- 前进
电压
(V)
4
94
8013
图4.正向电流与正向电压
图7.相对辐射强度对比角位移
100
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
10
t
p
= 100
s
1
0.1
1
18874
10
100
1000
I
F
- 正向脉冲电流（mA ）
图5.辐射强度与正向脉冲电流
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威世半导体
包装尺寸（mm）
3.5 ± 0.2
1.75 ± 0.10
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
0.9
贴装焊盘布局
PIN码识别
1.2
覆盖区域
同
阻焊
2.6 (2.8)
+ 0.15
2.2
C
A
2.8
4
1.6 (1.9)
2.4
3
+ 0.15
水彩编号： 6.541-5025.01-4
问题：
8;
22.11.05
95 11314-1
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威世半导体
温度 - 时间简介
948625
300
最大。 240℃
约230℃
10 s
250
温度（℃）
胶带
200
215 °C
150
100
50
2 K / S - 4 K / S
全行
点
：典型
：工艺限制
最大。 160℃
90 s - 120 s
最大40岁
吸塑带
焊接温度
0
0
50
100
150
200
250
时间（s）
部件腔
94
8670
图8.铅锡（锡铅）回流焊接温度曲线
图9.吸塑带
DryPack
装置被装在防潮袋（MBB ），以
防止产品吸湿时
运输和储存。每个袋子里有一个沙漠
iccant 。
3.5
3.1
2.2
2.0
地板寿命
车间寿命（焊接和拆卸的时间
MBB）不得超过在所指示的时间
J- STD- 020 。 TSM ...被释放：
湿度敏感度等级2 ，根据
JEDEC J- STD- 020
地板寿命：1年
条件：T已
AMB
< 30 ℃，相对湿度< 60％的
5.75
5.25
3.6
3.4
1.85
1.65
4.0
3.6
8.3
7.7
1.6
1.4
4.1
3.9
2.05
1.95
4.1
3.9
0.25
94
8668
图10.磁带尺寸（mm）为PLCC- 2
烘干
的情况下的水分吸收装置应
烤前焊接。条件看J- STD- 020或
标签。推荐使用在录音盘干燥设备
条件下在40℃ （ ±5 ℃） ，相对湿度< 5％ 192
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