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日前，Vishay
TSMF1000/1020/1030/1040
威世半导体
高速红外发光二极管在SMD封装
描述
TSMF1000系列高速红外发射
二极管砷化镓铝/砷化镓/砷化镓铝双异质技
术（ DH）模压在透明SMD封装的圆顶
镜头。
DH芯片技术代表以获得最佳性能
速度快，辐射功率，正向电压和长期
可靠性。
TSMF1000
TSMF1020
TSMF1030
TSMF1040
特点
高速
超高辐射功率
低正向电压
适用于高脉冲电流运行
半强度角
= ± 17°
峰值波长
λ
p
= 870 nm的
长期可靠性
再配上PIN光电二极管TEMD1000
多功能终端配置
16758
应用
兼容IrDA数据传输
微型光障
控制和驱动电路
光中断
增量式传感器
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
t
≤
5sec
t
p
/T = 0.5, t
p
= 100
s
t
p
= 100
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
5
100
200
0.8
190
100
- 40至+ 85
- 40至+ 100
<260
400
单位
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
温度。 V系数
F
反向电流
结电容
测试条件
I
F
= 20毫安
I
F
= 1 A，T
p
= 100
s
I
F
= 1.0毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
C
j
160
民
典型值。
1.3
2.4
- 1.7
10
最大
1.5
单位
V
V
毫伏/ K
A
pF
文档编号81061
启示录6 ， 21日， 03
www.vishay.com
1
TSMF1000/1020/1030/1040
威世半导体
参数
辐射强度
辐射功率
温度。系数
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度。系数
λ
p
上升时间
下降时间
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
测试条件
I
F
= 20毫安
I
F
= 100毫安，吨
p
= 100
s
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 20毫安
符号
I
e
I
e
φ
e
TK
φe
λ
p
λ
TK
λp
t
r
t
f
民
2.5
典型值。
5
25
35
- 0.6
± 17
870
40
0.2
30
30
最大
日前，Vishay
单位
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
10000
200
P
V
- 功耗（MW ）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
I
F
- 正向电流（mA ）
t
p
/T = 0.005
1000
0.01
T
AMB
< 60℃
0.02
0.05
100
0.2
0.5
DC
0.1
10
1
0.01
95 9985
0.1
1
10
100
16187
t
p
- 脉冲宽度（毫秒）
图1.功耗与环境温度
图3.脉冲正向电流与脉冲持续时间
10
4
120
I
F
- 正向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（mA ）
100
80
60
40
20
0
10
3
10
2
10
1
10
0
0
10 20 30 40 50
60 70 80 90 100
94 8880
0
1
2
3
4
16188
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
V
F
- 正向电压（ V）
图2.正向电流与环境温度
图4.正向电流与正向电压
www.vishay.com
2
文档编号81061
启示录6 ， 21日， 03
日前，Vishay
TSMF1000/1020/1030/1040
威世半导体
1.6
1.2
V
Frel
- 相对正向电压
1.1
I
ê相对
,
Φ
ê相对
I
F
= 10毫安
1.0
0.9
1.2
I
F
= 20毫安
0.8
0.8
0.7
0
20
40
60
80
100
0.4
0
-10 0 10
94 7993 e
50
100
140
94 7990 e
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
图5.相对正向电压与环境温度
图8.相对。辐射强度/功率随环境温度
1000
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
Φ
ˇ
ê相对
- 相对辐射功率
1.25
1.0
100
0.75
0.5
10
1
0.25
I
F
= 100毫安
0
820
870
λ
-
波长（nm ）
920
0.1
10
0
16189
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
15821
图6.辐射强度与正向电流
图9.相对辐射功率与波长
1000
Φ
e
- 辐射功率（mW ）
S
REL
- 相对灵敏度
0°
10°
20
°
30°
100
1.0
0.9
0.8
0.7
40°
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
10
1
0.1
10
0
94 8007
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
94 8248
图7.辐射功率与正向电流
图10.相对辐射灵敏度与角位移
文档编号81061
启示录6 ， 21日， 03
www.vishay.com
3
TSMF1000/1020/1030/1040
威世半导体
包装尺寸（mm）
TSMF1000
日前，Vishay
16159
包装尺寸（mm）
TSMF1020
16160
www.vishay.com
4
文档编号81061
启示录6 ， 21日， 03
日前，Vishay
包装尺寸（mm）
TSMF1030
TSMF1000/1020/1030/1040
威世半导体
16228
包装尺寸（mm）
TSMF1040
16760
文档编号81061
启示录6 ， 21日， 03
www.vishay.com
5
日前，Vishay
TSMF1000/1020/1030/1040
威世半导体
高速红外发光二极管在SMD封装
描述
TSMF1000系列高速红外发射
二极管砷化镓铝/砷化镓/砷化镓铝双异质技
术（ DH）模压在透明SMD封装的圆顶
镜头。
DH芯片技术代表以获得最佳性能
速度快，辐射功率，正向电压和长期
可靠性。
TSMF1000
TSMF1020
TSMF1030
TSMF1040
特点
高速
超高辐射功率
低正向电压
适用于高脉冲电流运行
半强度角
= ± 17°
峰值波长
λ
p
= 870 nm的
长期可靠性
再配上PIN光电二极管TEMD1000
多功能终端配置
16758
应用
兼容IrDA数据传输
微型光障
控制和驱动电路
光中断
增量式传感器
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
t
≤
5sec
t
p
/T = 0.5, t
p
= 100
s
t
p
= 100
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
5
100
200
0.8
190
100
- 40至+ 85
- 40至+ 100
<260
400
单位
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
温度。 V系数
F
反向电流
结电容
测试条件
I
F
= 20毫安
I
F
= 1 A，T
p
= 100
s
I
F
= 1.0毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
C
j
160
民
典型值。
1.3
2.4
- 1.7
10
最大
1.5
单位
V
V
毫伏/ K
A
pF
文档编号81061
启示录6 ， 21日， 03
www.vishay.com
1
TSMF1000/1020/1030/1040
威世半导体
参数
辐射强度
辐射功率
温度。系数
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度。系数
λ
p
上升时间
下降时间
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
测试条件
I
F
= 20毫安
I
F
= 100毫安，吨
p
= 100
s
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 20毫安
符号
I
e
I
e
φ
e
TK
φe
λ
p
λ
TK
λp
t
r
t
f
民
2.5
典型值。
5
25
35
- 0.6
± 17
870
40
0.2
30
30
最大
日前，Vishay
单位
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
10000
200
P
V
- 功耗（MW ）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
I
F
- 正向电流（mA ）
t
p
/T = 0.005
1000
0.01
T
AMB
< 60℃
0.02
0.05
100
0.2
0.5
DC
0.1
10
1
0.01
95 9985
0.1
1
10
100
16187
t
p
- 脉冲宽度（毫秒）
图1.功耗与环境温度
图3.脉冲正向电流与脉冲持续时间
10
4
120
I
F
- 正向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（mA ）
100
80
60
40
20
0
10
3
10
2
10
1
10
0
0
10 20 30 40 50
60 70 80 90 100
94 8880
0
1
2
3
4
16188
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
V
F
- 正向电压（ V）
图2.正向电流与环境温度
图4.正向电流与正向电压
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2
文档编号81061
启示录6 ， 21日， 03
日前，Vishay
TSMF1000/1020/1030/1040
威世半导体
1.6
1.2
V
Frel
- 相对正向电压
1.1
I
ê相对
,
Φ
ê相对
I
F
= 10毫安
1.0
0.9
1.2
I
F
= 20毫安
0.8
0.8
0.7
0
20
40
60
80
100
0.4
0
-10 0 10
94 7993 e
50
100
140
94 7990 e
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
图5.相对正向电压与环境温度
图8.相对。辐射强度/功率随环境温度
1000
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
Φ
ˇ
ê相对
- 相对辐射功率
1.25
1.0
100
0.75
0.5
10
1
0.25
I
F
= 100毫安
0
820
870
λ
-
波长（nm ）
920
0.1
10
0
16189
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
15821
图6.辐射强度与正向电流
图9.相对辐射功率与波长
1000
Φ
e
- 辐射功率（mW ）
S
REL
- 相对灵敏度
0°
10°
20
°
30°
100
1.0
0.9
0.8
0.7
40°
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
10
1
0.1
10
0
94 8007
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
94 8248
图7.辐射功率与正向电流
图10.相对辐射灵敏度与角位移
文档编号81061
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3
TSMF1000/1020/1030/1040
威世半导体
包装尺寸（mm）
TSMF1000
日前，Vishay
16159
包装尺寸（mm）
TSMF1020
16160
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4
文档编号81061
启示录6 ， 21日， 03
日前，Vishay
包装尺寸（mm）
TSMF1030
TSMF1000/1020/1030/1040
威世半导体
16228
包装尺寸（mm）
TSMF1040
16760
文档编号81061
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5
日前，Vishay
TSMF1000/1020/1030/1040
威世半导体
高速红外发光二极管在SMD封装
描述
TSMF1000系列高速红外发射
二极管砷化镓铝/砷化镓/砷化镓铝双异质技
术（ DH）模压在透明SMD封装的圆顶
镜头。
DH芯片技术代表以获得最佳性能
速度快，辐射功率，正向电压和长期
可靠性。
TSMF1000
TSMF1020
TSMF1030
TSMF1040
特点
高速
超高辐射功率
低正向电压
适用于高脉冲电流运行
半强度角
= ± 17°
峰值波长
λ
p
= 870 nm的
长期可靠性
再配上PIN光电二极管TEMD1000
多功能终端配置
16758
应用
兼容IrDA数据传输
微型光障
控制和驱动电路
光中断
增量式传感器
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
t
≤
5sec
t
p
/T = 0.5, t
p
= 100
s
t
p
= 100
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
5
100
200
0.8
190
100
- 40至+ 85
- 40至+ 100
<260
400
单位
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
温度。 V系数
F
反向电流
结电容
测试条件
I
F
= 20毫安
I
F
= 1 A，T
p
= 100
s
I
F
= 1.0毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
C
j
160
民
典型值。
1.3
2.4
- 1.7
10
最大
1.5
单位
V
V
毫伏/ K
A
pF
文档编号81061
启示录6 ， 21日， 03
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1
TSMF1000/1020/1030/1040
威世半导体
参数
辐射强度
辐射功率
温度。系数
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度。系数
λ
p
上升时间
下降时间
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
测试条件
I
F
= 20毫安
I
F
= 100毫安，吨
p
= 100
s
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 20毫安
符号
I
e
I
e
φ
e
TK
φe
λ
p
λ
TK
λp
t
r
t
f
民
2.5
典型值。
5
25
35
- 0.6
± 17
870
40
0.2
30
30
最大
日前，Vishay
单位
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
10000
200
P
V
- 功耗（MW ）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
I
F
- 正向电流（mA ）
t
p
/T = 0.005
1000
0.01
T
AMB
< 60℃
0.02
0.05
100
0.2
0.5
DC
0.1
10
1
0.01
95 9985
0.1
1
10
100
16187
t
p
- 脉冲宽度（毫秒）
图1.功耗与环境温度
图3.脉冲正向电流与脉冲持续时间
10
4
120
I
F
- 正向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（mA ）
100
80
60
40
20
0
10
3
10
2
10
1
10
0
0
10 20 30 40 50
60 70 80 90 100
94 8880
0
1
2
3
4
16188
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
V
F
- 正向电压（ V）
图2.正向电流与环境温度
图4.正向电流与正向电压
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TSMF1000/1020/1030/1040
威世半导体
1.6
1.2
V
Frel
- 相对正向电压
1.1
I
ê相对
,
Φ
ê相对
I
F
= 10毫安
1.0
0.9
1.2
I
F
= 20毫安
0.8
0.8
0.7
0
20
40
60
80
100
0.4
0
-10 0 10
94 7993 e
50
100
140
94 7990 e
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
图5.相对正向电压与环境温度
图8.相对。辐射强度/功率随环境温度
1000
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
Φ
ˇ
ê相对
- 相对辐射功率
1.25
1.0
100
0.75
0.5
10
1
0.25
I
F
= 100毫安
0
820
870
λ
-
波长（nm ）
920
0.1
10
0
16189
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
15821
图6.辐射强度与正向电流
图9.相对辐射功率与波长
1000
Φ
e
- 辐射功率（mW ）
S
REL
- 相对灵敏度
0°
10°
20
°
30°
100
1.0
0.9
0.8
0.7
40°
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
10
1
0.1
10
0
94 8007
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
94 8248
图7.辐射功率与正向电流
图10.相对辐射灵敏度与角位移
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