【TSM9966D20V双N沟道MOSFET产品概述VDS(V)RDS （ ON）(mΩ)2030 @】,IC型号TSM9966DCX6,TSM9966DCX6 PDF资料,TSM9966DCX6经销商,ic,电子元器件-51电子网

TSM9966D

20V双N沟道MOSFET

产品概述

(V)

DS （ ON）

(mΩ)

30 @ V

= 4.5V

40 @ V

= 2.5V

SOT-26

针脚定义：

1门1

6.源1

2.漏

5.排水

3.门2

4.源2

(A)

6.0

5.2

特点

●

高级的加工技术

对于超低导通电阻高密度电池设计

框图

应用

●

专为锂的电池组

电池开关的应用

订购信息

产品型号

TSM9966DCX6 RF

包

SOT-26

填料

3Kpcs / 7 “卷轴

双N沟道MOSFET

绝对最大额定值

（ TA = 25

C除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

最大功率耗散

工作结温

工作结存储温度范围

A，B

符号

, T

英镑

TA = 25℃

TA = 75℃

极限

±12

1.7

1.6

1.1

+150

-55到+150

单位

热性能

参数

结到外壳热阻

结到环境热阻（PCB安装）

注意事项：

一。脉冲宽度有限的最高结温

B 。表面安装在FR4板，T

≤

5秒。

符号

极限

单位

C / W

1/6

版本： A07

TSM9966D

20V双N沟道MOSFET

电气规格

（ TA = 25

C除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

动态

条件

= 0V时，我

= 250uA

= V

, I

= 250uA

= ±12V, V

= 0V

= 20V, V

= 0V

=5V, V

= 4.5V

= 4.5V ，我

= 6.0A

= 2.5V ，我

= 5.2A

= 10V ，我

= 6A

= 1.7A ，V

= 0V

符号

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

民

0.6

典型值

0.7

1.5

565

105

最大

±100

1.0

1.2

单位

mΩ

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关

= 10V ，我

= 6A,

= 4.5V

= 8V, V

= 0V,

F = 1.0MHz的

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

= 10V ，R

= 6Ω,

= 1A ，V

根

= 4.5V,

D（关闭）

关断下降时间

注意事项：

一。脉冲测试： PW

≤300S,

占空比

≤2%

B 。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。

B 。开关时间基本上是独立的工作温度。

2/6

版本： A07

TSM9966D

20V双N沟道MOSFET

电气特性曲线

（ TA = 25

C，除非另有说明）

输出特性

传输特性

导通电阻与漏电流

栅极电荷

导通电阻与结温

源极 - 漏极二极管正向电压

3/6

版本： A07

TSM9966D

20V双N沟道MOSFET

电气特性曲线

（ TA = 25

C，除非另有说明）

导通电阻与栅源电压

阈值电压

单脉冲功率

归瞬态热阻抗，结到环境

4/6

版本： A07

TSM9966D

20V双N沟道MOSFET

SOT- 26机械制图

暗淡

SOT- 26 DIMENSION

MILLIMETERS

英寸

民

典型值

最大

典型值

0.95 BSC

1.9 BSC

2.60

1.40

2.80

1.00

0.00

0.35

0.10

0.30

2.80

1.50

2.90

1.10

0.40

0.15

3.00

1.70

3.10

1.20

0.10

0.50

0.20

0.60

0.0374 BSC

最大

BSC 0.0748

0.1024 0.1102 0.1181

0.0551

0.1101

0.0394

0.00

0.0138

0.0039

0.0118

0.0157

0.0059

0.0591

0.1142

0.0433

0.0669

0.1220

0.0472

0.0039

0.0197

0.0079

0.0236

标记图

=器件代码

=年份代码

=月守则

（ A =一月，

B =月， C =月， D = APL， E =月， F =君，G =月， H =月，

I =月， J =月， K =月， L =月）

- 批次编号

5/6

版本： A07

TSM9966DCX6

20V双N沟道增强型MOSFET

引脚分配：

1门1

2.漏

3.门2

4.源2

5.排水

6.源1

= 20V

DS （ ON）

， V GS @ 4.5V ， IDS @ 5A = 30mΩ到

DS （ ON）

， V GS @ 2.5V ， IDS @ 4A = 40MΩ

特点

先进的加工技术

对于超低导通电阻高密度电池设计

优异的热性能和电气性能

表面贴装

快速开关

框图

订购信息

产品型号

TSM9966DCX6

填料

磁带&卷轴

包

SOT-26

绝对最大额定值

（ TA = 25

除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@4.5V.

漏电流脉冲，V

@4.5V

最大功率耗散

TA = 25

TA > 25

工作结温

工作结存储温度范围

, T

英镑

符号

极限

20V

± 12

1.25

+150

- 55 + 150

单位

毫瓦/

热性能

参数

结到环境热阻（PCB安装）

注：表面安装在FR4电路板t< = 5秒。

符号

θJA

极限

100

单位

C / W

TSM9966D

1-4

2005/12转。一

电气特性（每通道）

TA = 25

C除非另有说明

参数

STATIC

漏源击穿电压

漏极 - 源极导通状态

阻力

漏极 - 源极导通状态

阻力

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

正向跨导

条件

= 0V时，我

= 250uA

= 4.5V ，我

= 5A

= 2.5V ，我

= 4A

= V

, I

= 250uA

= 20V, V

= 0V

= ± 12V, V

= 0V

= 10V ，我

= 5A

= 10V ，我

= 5A,

= 4.5V

= 10V ，R

= 10,

= 1A ，V

根

= 4.5V,

= 6

= 10V, V

= 0V,

F = 1.0MHz的

符号

DSS

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

民

0.6

典型值

4.8

0.9

1.4

8.1

9.9

21.8

5.3

562

106

0.75

最大

单位

1.0

± 100

1.7

1.2

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管

马克斯。二极管的正向电流

二极管的正向电压

= 1.7A ，V

= 0V

注：脉冲测试：脉冲宽度< = 300US ，占空比< = 2 ％

TSM9966D

2-4

2005/12转。一

典型特性曲线

（ TA = 25

C除非另有说明）

TSM9966D

3-4

2005/12转。一

SOT- 26机械制图

暗淡

SOT- 26 DIMENSION

MILLIMETERS

英寸

民

最大

民

最大

2.70

3.00

0.106

0.118

0.25

0.50

0.010

0.020

1.90(typ)

0.075(typ)

0.95(typ)

0.037(typ)

1.50

1.70

0.059

0.067

1.05

1.35

0.041

0.053

2.60

3.00

0.102

0.118

0.60(typ)

0.024(typ)

TSM9966D

4-4

2005/12转。一

查看更多TSM9966DCX6PDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

QQ：2881677436 复制

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

TSM9966DCX6

终端采购配单精选

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

QQ：2880707522 复制

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

TSM9966DCX6

终端采购配单精选

更多配单专家

深圳市品优时代科技有限公司

QQ：

QQ：3003319701 复制

电话：0755-23612326

联系人：唐

地址：福田区振兴路华康大厦1栋519室

TSM9966DCX6

TSC

2019

36000

SOT-26

原装正品钻石品质假一赔十

北京元坤国际科技有限公司

QQ：

QQ：1584878981 复制

QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791

联系人：何小姐

地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

TSM9966DCX6

TSC/台湾半导体

20+

16800

SOT-26

全新原装正品/质量有保证

深圳市华斯顿科技有限公司

QQ：

QQ：1002316308 复制

QQ：515102657 复制

电话：0755-83777607/83777708/82799993

联系人：销售部1部

地址：美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜

TSM9966DCX6

TSC

25+23+

12500

SOT-26

绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒

深圳市海虹微电子有限公司

QQ：

QQ：2881443942 复制

电话：0755-83291010 83678410

联系人：赵小姐

地址：深圳市福田区华强北华联发大厦西座402

TSM9966DCX6

TSC

2022

345860

深圳市毅创腾电子科技有限公司

QQ：

QQ：2355507163 复制

QQ：2355507169 复制

电话：755-83210909 / 83616256

联系人：夏先生

地址：深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室（亚太地区XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿特拉）专业分销商！)

TSM9966DCX6

TSC

22+

33000

SOT-26

★正规进口原厂正品★绝对优势热卖★

深圳市创越芯电子科技有限公司

QQ：

QQ：3329849729 复制

电话：17302677633

联系人：林先生

地址：深圳市福田区都会大厦B座24K

TSM9966DCX6

TSC/台湾半导体

2023+

33245

SOT-26

全新原装现货/热卖库存/稳定供应/价格优势，支持实单

深圳市正能泰科技有限公司

QQ：

QQ：1326563631 复制

电话：0755-23600726

联系人：林先生

地址：深圳福田区华强北都会电子市场2B044B

TSM9966DCX6

TSC/台湾半导体

25+

36000

SOT-26

全新原装现货，特价大量供货！

深圳市创芯联盈电子有限公司

QQ：

QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559

联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

TSM9966DCX6

TSC/台半

2443+

23000

SOT-26

一级代理专营，原装现货，价格优势

北京首天伟业科技有限公司

QQ：

QQ：1584878981 复制

QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791

联系人：刘经理

地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008

TSM9966DCX6

TSC

2012+

86000

SOT-26

全新原装正品/质量有保证

深圳诚思涵科技有限公司

QQ：

QQ：280773285 复制

QQ：2748708193 复制

电话：0755-83015506-23947236

联系人：朱先生

地址：广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室

TSM9966DCX6

TSC

24+

30000

SOT-26

进口原装大量现货

查询更多TSM9966DCX6供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司