【TSM7311D20V双N沟道MOSFET W / ESD保护引脚分配：1.源12.门13.源24.】,IC型号TSM7311DCS,TSM7311DCS PDF资料,TSM7311DCS经销商,ic,电子元器件-51电子网

TSM7311D

20V双N沟道MOSFET W / ESD保护

引脚分配：

1.源1

2.门1

3.源2

4.门2

5 ， 6，漏极2

7 ， 8排水1

= 20V

DS （ ON）

， V GS @ 4.5V ， IDS @ 6.5A = 22MΩ

DS （ ON）

， V GS @ 2.5V ， IDS @ 5.5A = 30mΩ到

特点

先进的加工技术

对于超低导通电阻高密度电池设计

优异的热性能和电气性能

专为锂离子电池组。

电池开关的应用

框图

订购信息

产品型号

TSM7311DCS

填料

磁带&卷轴

2500 /每卷

包

SOP-8

绝对最大额定值

（ TA = 25

除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@4.5V.

漏电流脉冲，V

@4.5V

最大功率耗散

TA = 25

TA = 70

工作结温

工作结存储温度范围

, T

英镑

符号

极限

20V

± 12

6.5

2.0

1.3

+150

- 55 + 150

单位

热性能

参数

结到脚（漏）热阻

结到环境热阻（PCB安装）

注：表面安装在FR4电路板t< = 10秒。

符号

θJF

θJA

极限

62.5

单位

C / W

TSM7311D

1-1

2003/12转。一

电气特性

我率

= 6.5A ，（ TA = 25

C除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

漏源导通电阻

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

通态漏电流

正向跨导

条件

= 0V时，我

= 250uA

= 4.5V ，我

= 6.5A

= 2.5V ，我

= 5.5A

= V

, I

= 250uA

= 20V, V

= 0V

= ± 4.5V, V

= 0V

= 4.5V, V

> = 5V

= 10V ，我

= 6.5A

= 10V ，我

= 6.5A,

= 4.5V

= 10V ，R

= 10,

= 1A ，V

根

= 4.5V,

= 6

= 10V, V

= 0V,

F = 1.0MHz的

符号

DSS

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

民

0.5

典型值

0.85

15.5

3.5

125

600

300

1336

220

130

0.6

最大

1.0

± 100

100

150

720

360

2.0

1.2

单位

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管

马克斯。二极管的正向电流

二极管的正向电压

= 2.0A ，V

= 0V

注：脉冲测试：脉冲宽度< = 300US ，占空比< = 2 ％

TSM7311D

2-2

2003/12转。一

典型特性曲线

（ TA = 25

C除非另有说明）

TSM7311D

3-3

2003/12转。一

电气特性曲线（续）

TSM7311D

4-4

2003/12转。一

SOP- 8机械制图

暗淡

SOP- 8尺寸

MILLIMETERS

英寸

民

最大

民

最大

4.80

5.00

0.189

0.196

3.80

4.00

0.150

0.157

1.35

1.75

0.054

0.068

0.35

0.49

0.014

0.019

0.40

1.25

0.016

0.049

1.27 （ TYP ）

0.05 （典型值）

0.10

0.25

0.004

0.009

5.80

6.20

0.229

0.244

0.25

0.50

0.010

0.019

TSM7311D

5-5

2003/12转。一

TSM7311D

20V双N沟道MOSFET W / ESD保护

产品概述

(V)

DS （ ON）

(mΩ)

22 @ V

= 4.5V

29 @ V

= 2.5V

SOP-8

针脚定义：

1.源1

8.排水

2.门1

7.排水

3.源2

6.排水

4.门2

5.排水

(A)

6.5

5.5

特点

●

高级的加工技术

对于超低导通电阻高密度电池设计

ESD保护2KV

框图

应用

●

专为锂的电池组

电池开关的应用

订购信息

产品型号

TSM7311DCS RL

包

SOP-8

填料

2.5Kpcs / 13 “卷轴

双N沟道MOSFET

绝对最大额定值

（ TA = 25

C除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@4.5V.

漏电流脉冲，V

@4.5V

连续源电流（二极管传导）

最大功率耗散

工作结温

工作结存储温度范围

A，B

符号

, T

英镑

TA = 25℃

TA = 75℃

极限

±12

6.5

1.4

8.5

6.4

+150

-55到+150

单位

热性能

参数

结到脚（漏）热阻

结到环境热阻（PCB安装）

注意事项：

一。脉冲宽度有限的最高结温

B 。表面安装在FR4板，T

≤

5秒。

符号

极限

62.5

单位

C / W

1/6

版本： A07

TSM7311D

20V双N沟道MOSFET W / ESD保护

电气规格

（ TA = 25

C除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

动态

条件

= 0V时，我

= 250uA

= V

, I

= 250uA

= ±12V, V

= 0V

= 16V, V

= 0V

=5V, V

= 4.5V

= 4.5V ，我

= 6.5A

= 2.5V ，我

= 5.5A

= 10V ，我

= 6.5A

= 1.7A ，V

= 0V

符号

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

民

0.6

典型值

0.8

0.6

3.4

1.2

950

450

135

140

210

3700

2000

最大

1.0

±10

1.0

1.2

200

250

4800

2600

单位

mΩ

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关

= 10V ，我

= 6.5A,

= 4.5V

= 10V, V

= 0V,

F = 1.0MHz的

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

= 10V ，R

= 10Ω,

= 1A ，V

根

= 4.5V,

= 6Ω

关断下降时间

注意事项：

一。脉冲测试： PW

≤300S,

占空比

≤2%

B 。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。

B 。开关时间基本上是独立的工作温度。

2/6

版本： A07

TSM7311D

20V双N沟道MOSFET W / ESD保护

电气特性曲线

（ TA = 25

C，除非另有说明）

输出特性

传输特性

导通电阻与漏电流

栅极电荷

导通电阻与结温

源极 - 漏极二极管正向电压

3/6

版本： A07

TSM7311D

20V双N沟道MOSFET W / ESD保护

电气特性曲线

（ TA = 25

C，除非另有说明）

导通电阻与栅源电压

阈值电压

单脉冲功率

归瞬态热阻抗，结到环境

4/6

版本： A07

TSM7311D

20V双N沟道MOSFET W / ESD保护

SOP- 8机械制图

暗淡

SOP- 8尺寸

MILLIMETERS

英寸

民

最大

民

马克斯。

4.80

5.00

0.189

0.196

3.80

4.00

0.150

0.157

1.35

1.75

0.054

0.068

0.35

0.49

0.014

0.019

0.40

1.25

0.016

0.049

1.27BSC

0.05BSC

0.10

0.25

0.004

0.009

5.80

6.20

0.229

0.244

0.25

0.50

0.010

0.019

标记图

=年份代码

=月守则

（ A =一月，

B =月， C =月， D = APL， E =月， F =君，G =月， H =月，

I =月， J =月， K =月， L =月）

- 批次编号

5/6

版本： A07