TSM7104D
双20V P沟道增强型MOSFET
引脚分配:
1.源1
2.门1
3.源2
4.门2
5 , 6,漏极2
7 , 8排水1
V
DS
= - 20V
R
DS ( ON)
, V GS @ - 4.5V , IDS @ - 2.3A = 130mΩ
R
DS ( ON)
, V GS @ - 2.5V , IDS @ - 2.0A = 190mΩ
特点
先进的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
优异的热性能和电气性能
表面贴装
快速开关
框图
订购信息
产品型号
TSM7104DCS
填料
磁带&卷轴
包
SOP-8
绝对最大额定值
( TA = 25
o
C
除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@4.5V.
漏电流脉冲,V
GS
@4.5V
最大功率耗散
TA = 25
o
C
TA > 25℃
工作结温
工作结存储温度范围
T
J
T
J
, T
英镑
o
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
极限
- 20V
±8
- 2.3
- 10
2
16
+150
- 55 + 150
单位
V
V
A
A
W
毫瓦/ C
o
o
o
C
C
热性能
参数
结到环境热阻(PCB安装)
注:表面安装在FR4电路板t< = 5秒。
符号
R
θJA
极限
62.5
单位
o
C / W
TSM7104D
1-3
2003/12转。一
电气特性
我率
D
= - 2.3A , ( TA = 25 C除非另有说明)
o
参数
STATIC
漏源击穿电压
漏极 - 源极导通状态
阻力
漏极 - 源极导通状态
阻力
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
正向跨导
条件
符号
民
典型值
最大
单位
V
GS
= 0V时,我
D
= - 250uA
V
GS
= - 4.5V ,我
D
= -2.3A
V
GS
= - 2.5V ,我
D
= -2.0A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250uA
V
DS
= - 16V, V
GS
= 0V
V
GS
= ± 8V, V
DS
= 0V
V
DS
= - 5V ,我
D
= - 2.3A
V
DS
= - 6V ,我
D
= - 2.3A,
V
GS
= - 4.5V
V
DD
= - 6V ,R
L
= 6,
I
D
= - 1A ,V
根
= - 4.5V,
R
G
= 6
V
DS
= - 6V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
BV
DSS
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
I
S
- 20
--
--
- 0.45
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
90
120
--
--
--
6.5
5.4
0.8
1.1
5
19
95
65
447
127
80
--
- 0.8
--
130
V
m
190
--
- 1.0
± 100
--
10
--
--
25
60
110
80
--
--
--
- 1.6
- 1.2
A
V
pF
nS
nC
V
uA
nA
S
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
马克斯。二极管的正向电流
二极管的正向电压
I
S
= - 1.6A ,V
GS
= 0V
V
SD
注:脉冲测试:脉冲宽度< = 300US ,占空比< = 2 %
TSM7104D
2-3
2003/12转。一