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TSM6963SD
双路20V P沟道MOSFET
TSSOP-8
针脚定义：
1.排1
8.排水2
2.信号源1
7.源2
3.源1
6.源2
4.门1
5.门2
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(mΩ)
30 @ V
GS
= -4.5V
-20
42 @ V
GS
= -2.5V
68 @ V
GS
= -1.8V
I
D
(A)
-4.5
-3
-2
特点
●
●
高级的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
框图
应用
●
●
负荷开关
PA的开关
订购信息
产品型号
TSM6963SDCA RV
包
TSSOP-8
填料
2.5Kpcs / 13 “卷轴
双P沟道MOSFET
绝对最大额定值
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@4.5V.
漏电流脉冲，V
GS
@4.5V
连续源电流（二极管传导）
最大功率耗散
工作结温
工作结存储温度范围
A，B
o
o
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
J
, T
英镑
极限
-20
±12
-4.5
-16
-1.0
1.14
0.73
+150
- 55 + 150
单位
V
V
A
A
A
W
o
o
TA = 25℃
TA = 70℃
C
C
热性能
参数
结到脚（漏）热阻
结到环境热阻（PCB安装）
注意事项：
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。脉冲宽度有限的最高结温
符号
R
JF
R
JA
极限
75
90
单位
o
o
C / W
C / W
1/1
版本： B09
TSM6963SD
双路20V P沟道MOSFET
电气规格
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
b
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
=-16V, V
GS
=0V
V
GS
=±12V, V
DS
=0V
V
DS
=-5V, V
GS
=-4.5V
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4.5A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-3A
V
GS
= -1.8V ，我
D
=-2A
V
DS
= -5V ，我
D
=-4.5A
I
S
= -0.5A ，V
GS
=0V
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
民
-20
-0.5
--
--
-25
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
-0.7
--
--
--
23
30
45
16
- 0.8
14
2.1
4.7
1500
220
160
6
13
86
42
最大
--
-1.0
-1
±100
--
30
42
68
--
-1.3
20
10
--
--
--
--
11
23
145
70
单位
V
V
uA
nA
A
mΩ
S
V
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
C
V
DS
= -10V ，我
D
=-4.5A,
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-10V, V
GS
=0V,
F = 1.0MHz的
nC
pF
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
V
DD
= -10V ，R
L
=10Ω,
I
D
= -1A ，V
根
=-4.5V,
nS
R
G
=6Ω
关断下降时间
t
f
注意事项：
一。脉冲试验： PW≤300μS ，占空比
≤2%
B 。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
B 。开关时间基本上是独立的工作温度。
2/2
版本： B09
TSM6963SD
双路20V P沟道MOSFET
电气特性曲线
（ TA = 25
o
C，除非另有说明）
输出特性
传输特性
导通电阻与漏电流
栅极电荷
导通电阻与结温
源极 - 漏极二极管正向电压
3/3
版本： B09
TSM6963SD
双路20V P沟道MOSFET
电气特性曲线
（ TA = 25
o
C，除非另有说明）
导通电阻与栅源电压
阈值电压
单脉冲功率
归瞬态热阻抗，结到环境
4/4
版本： B09
TSM6963SD
双路20V P沟道MOSFET
TSSOP - 8机械制图
TSSOP - 8 DIMENSION
暗淡
A
a
B
C
D
E
e
F
L
MILLIMETERS
民
6.20
4.30
2.90
0.25
1.05
0.05
0.127
0.50
0.70
0.020
最大
6.60
4.50
3.10
0.30
1.20
0.15
英寸
民
0.244
0.170
0.114
0.010
0.041
0.002
0.005
0.028
最大
0.260
0.177
0.122
0.019
0.049
0.009
0.65 （典型值）
0.025 （典型值）
标记图
Y
=年份代码
M
=月守则
（ A =一月，
B =月， C =月， D = APL， E =月， F =君，G =月， H =月，
I =月， J =月， K =月， L =月）
L
- 批次编号
5/5
版本： B09
TSM6963SD
双路20V P沟道MOSFET
TSSOP-8
针脚定义：
1.排1
8.排水2
2.信号源1
7.源2
3.源1
6.源2
4.门1
5.门2
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(m )
30 @ V
GS
= -4.5V
-20
42 @ V
GS
= -2.5V
68 @ V
GS
= -1.8V
I
D
(A)
-4.5
-3
-2
特点
●
●
高级的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
框图
应用
●
●
负荷开关
PA的开关
订购信息
产品型号
TSM6963SDCA RV
TSM6963SDCA RVG
包
TSSOP-8
TSSOP-8
填料
3Kpcs / 13 “卷轴
3Kpcs / 13 “卷轴
双P沟道MOSFET
注意：
“G”表示为无卤产品
绝对最大额定值
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@4.5V.
漏电流脉冲，V
GS
@4.5V
连续源电流（二极管传导）
最大功率耗散
工作结温
工作结存储温度范围
A，B
o
o
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
J
, T
英镑
极限
-20
±12
-4.5
-16
-1.0
1.14
单位
V
V
A
A
A
W
TA = 25℃
TA = 70℃
0.73
+150
- 55 + 150
o
o
C
C
热性能
参数
结到脚（漏）热阻
结到环境热阻（PCB安装）
注意事项：
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。脉冲宽度有限的最高结温
符号
R
JF
R
JA
极限
75
90
单位
o
o
C / W
C / W
1/6
版本： C09
TSM6963SD
双路20V P沟道MOSFET
电气规格
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
b
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
B，C
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
=-16V, V
GS
=0V
V
GS
=±12V, V
DS
=0V
V
DS
=-5V, V
GS
=-4.5V
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4.5A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-3A
V
GS
= -1.8V ，我
D
=-2A
V
DS
= -5V ，我
D
=-4.5A
I
S
= -0.5A ，V
GS
=0V
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
民
-20
-0.5
--
--
-25
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
-0.7
--
--
--
23
30
45
16
- 0.8
14
2.1
4.7
1500
220
160
6
13
86
42
最大
--
-1.0
-1
±100
--
30
42
68
--
-1.3
20
10
--
--
--
--
11
23
145
70
单位
V
V
uA
nA
A
m
S
V
V
DS
= -10V ，我
D
=-4.5A,
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-10V, V
GS
=0V,
F = 1.0MHz的
nC
pF
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
V
DD
= -10V ，R
L
=10 ,
I
D
= -1A ，V
根
=-4.5V,
nS
R
G
=6
关断下降时间
t
f
注意事项：
一。脉冲试验： PW≤300μS ，占空比
≤2%
B 。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
。开关时间基本上是独立的工作温度。
2/6
版本： C09
TSM6963SD
双路20V P沟道MOSFET
电气特性曲线
（ TA = 25
o
C，除非另有说明）
输出特性
传输特性
导通电阻与漏电流
栅极电荷
导通电阻与结温
源极 - 漏极二极管正向电压
3/6
版本： C09
TSM6963SD
双路20V P沟道MOSFET
电气特性曲线
（ TA = 25
o
C，除非另有说明）
导通电阻与栅源电压
阈值电压
单脉冲功率
归瞬态热阻抗，结到环境
4/6
版本： C09
TSM6963SD
双路20V P沟道MOSFET
TSSOP - 8机械制图
暗淡
A
a
B
C
D
E
e
F
L
TSSOP - 8 DIMENSION
MILLIMETERS
英寸
民
最大
民
最大
6.20
6.60
0.244
0.260
4.30
4.50
0.170
0.177
2.90
3.10
0.114
0.122
0.65 （典型值）
0.025 （典型值）
0.25
0.30
0.010
0.019
1.05
1.20
0.041
0.049
0.05
0.15
0.002
0.009
0.127
0.005
0.50
0.70
0.020
0.028
标记图
Y
=年份代码
M
=月守则
（ A =一月，
B =月， C =月， D = APL， E =月， F =君，G =月， H =月，
I =月， J =月， K =月， L =月）
=月守则无卤产品
（O =月，
P =月， Q =月， R = APL， S =日， T =俊， U =月，V =月，
W =月， X =月， Y =月， Z =月）
L
- 批次编号
5/6
版本： C09
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推荐型号
TA3113
TLV5620IN
TPS71518DCKRG4
THS4022CD
TN1215-1000B
TV15C120JB-G
TMS320C6202BGJC100
TC1303B-BA3EMFTR
T494A105K025AS
TC54VC2802ECBSTP
TC1269-2.5VUA
TNY254P
TXS0206
TMS32C6411ZLZA6E3
TPS76918DBVT
TMX320LF2407AVFS
TB62004F
TLA-6T103LF-T
TSC80C51-12CAD/883
T85331J
供货商
型号
厂家
批号
数量
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TSM6963SDCARV
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话：0755- 82519391 0755-83209630
联系人：李林
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
TSM6963SDCARV
T
24+
18530
MSOP-8
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