TSM5ND50
500V N沟道功率MOSFET
TO-251
（ IPAK ）
TO-252
（ DPAK ）
针脚定义：
1.门
2.漏
3.源
产品概述
V
DS
(V)
500
R
DS （ ON）
( )
1.5 @ V
GS
=10V
I
D
(A)
2.2
概述
该TSM5ND50 N沟道增强型功率MOSFET由平面条形DMOS生产
技术。这种先进的技术已特别针对减少通态电阻，
出色的开关性能，并能承受高能量脉冲雪崩和减刑模式。
这些装置非常适用于高效率的开关电源，功率因数校正，电子
基于半桥镇流器。
特点
●
●
●
●
●
低栅极电荷典型20nC @
低的Crss典型@ 17PF
快速开关
改进的dv / dt能力
ESD保护
框图
订购信息
产品型号
包
填料
2,500pcs / 13 “卷轴
75PCS /管
N沟道MOSFET
TSM5ND50CP ROG
TO-252
TSM5ND50CH C5G
TO-251
注意：
“G”表示用于无卤
绝对最大额定值
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
峰值二极管恢复（注2 ）
单脉冲漏极至源极雪崩能量（注3 ）
总功率耗散@Ta = 25℃
工作结存储温度范围
o
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
dv / dt的
E
AS
P
Dtot
T
J
, T
英镑
极限
500
±30
4.4
17.6
4.4
4.5
130
70
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
V / ns的
mJ
W
o
C
热性能
参数
热阻 - 结到管壳
热阻 - 结到环境
注意事项：
表面安装在FR4板上吨
≤
10sec
符号
R
JC
R
JA
极限
1.78
62.5
单位
o
o
C / W
C / W
1/9
版本： F11
TSM5ND50
500V N沟道功率MOSFET
电气规格
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
漏源导通电阻
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
正向跨导
动态
b
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.2A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50uA的
V
DS
= 500V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= 15V ，我
D
= 2.2A
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
民
500
--
3.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
1.2
--
--
--
3.1
20
4
10
535
75
17
21.6
11.7
14.5
4.5
--
0.82
310
1425
9.2
最大
--
1.5
4.8
1
±10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
4.4
1.2
--
--
--
单位
V
V
uA
uA
S
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
c
V
DS
= 250V ，我
D
= 4.4A,
V
GS
= 10V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
nC
pF
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
源漏二极管
源极 - 漏极电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
注意事项：
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤300uS,
占空比
≤2%
2. I
SD
<4.4A ，二/ dt<200A /我们， VDD<BV
DSS
3.启动V
DD
= 50V ，我
AS
= 4.4A ，T
J
=25C
4.设计参考之用，不受生产测试。
5.切换时间基本上是独立的工作温度。
I
S
= 4.4A ，V
GS
= 0V
V
DD
= 30V ，我
SD
= 4.4A,
dI
F
/ DT = 100A / us的。
T
J
=150C
V
GS
= 10V ，我
D
= 4.4A,
V
DD
= 250V ，R
G
= 25
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
SD
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
nS
A
V
nS
nC
A
2/9
版本： F11
QQ：2880707522 复制
