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TSM55N03
引脚分配:
1.门
2.漏
3.源
初步
N沟道增强型MOSFET
V
DS
= 25V
I
D
= 55A
R
DS ( ON)
, V GS @ 10V , IDS @ 30A = 6MΩ
R
DS ( ON)
, V GS @ 4.5V , IDS @ 30A = 9mΩ
特点
先进的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
改进直通FOM
充分界定雪崩电压和电流
专为DC / DC转换器和电机
DRIVERS
框图
订购信息
产品型号
TSM55N03CP
填料
磁带&卷轴
TO-252
绝对最大额定值
(T
A
= 25
o
C除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
最大功率耗散
工作结温
工作结存储温度范围
单脉冲漏极至源极雪崩能量
(V
DD
= 100V, V
GS
= 10V ,我
AS
= 2A ,L = 10MH ,R
G
=25)
T
A
= 25
o
C
T
A
= 75
o
C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
T
J
, T
英镑
E
AS
极限
25
±20
55
350
70
42
+150
- 55 + 150
300
单位
V
V
A
W
W/
o
C
o
o
C
C
mJ
热性能
参数
(从案例1/8“ )焊接温度
结到外壳热阻
结到环境热阻(PCB安装)
注:1,最大直流电流受限于包
2. 1中
2
2盎司铜PCB板
符号
T
L
R
θJC
R
θJA
极限
10
1.8
40
单位
S
o
C / W
TSM55N03
1-3
2005/04转。 B
电气特性
T
J
= 25
o
C,除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
漏源导通电阻
漏源导通电阻
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门Resisrance
正向跨导
条件
符号
典型值
最大
单位
V
GS
= 0V时,我
D
= 250uA
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 30A
V
GS
= 10V ,我
D
= 30A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
V
GS
= ± 20V, V
DS
= 0V
BV
DSS
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
Rg
30
--
--
1.0
--
--
--
--
--
7.5
4.5
1.6
--
--
--
--
--
9.0
6.0
3.0
1.0
± 100
--
--
V
m
m
V
uA
nA
V
DS
= 15V ,我
D
= 15A
g
fs
S
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 15V ,我
D
= 25A,
V
GS
= 10V
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
26
6.0
5.0
17
3.5
40
6.0
2134
343
134
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
pF
nS
nC
V
DD
= 15V ,R
L
= 15,
I
D
= 1A ,V
= 10V,
R
G
= 6
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管
马克斯。二极管的正向电流
二极管的正向电压
I
S
= 20A ,V
GS
= 0V
注意事项:1.脉冲测试:脉冲宽度< = 300US ,占空比< = 2 %
2.忽略不计,占主导地位的电路电感。
I
S
V
SD
--
--
--
0.85
20
1.3
A
V
TSM55N03
2-3
2005/04转。 B
TO- 252机械制图
J
A
E
F
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
TO- 252外形尺寸
MILLIMETERS
英寸
最大
最大
6.570
6.840
0.259
0.269
9.250
10.400
0.364
0.409
0.550
0.700
0.022
0.028
2.560
2.670
0.101
0.105
2.300
2.390
0.090
0.094
0.490
0.570
0.019
0.022
1.460
1.580
0.057
0.062
0.520
0.570
0.020
0.022
5.340
5.550
0.210
0.219
1.460
1.640
0.057
0.065
I
B
G
D
C
H
TSM55N03
3-3
2005/04转。 B
TSM55N03
25V N沟道MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS ( ON)
(mΩ)
25
6 @ V
GS
= 10V
9 @ V
GS
= 4.5V
TO-252
针脚定义:
1.门
2.漏
3.源
I
D
(A)
30
30
特点
高级的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
框图
应用
负荷开关
DC-DC转换器和电机驱动器
订购信息
产品型号
TSM55N03CP RO
TO-252
填料
2.5Kpcs / 13 “卷轴
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
( TA = 25
o
C除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@4.5V.
漏电流脉冲,V
GS
@4.5V
A,B
连续源电流(二极管传导)
单脉冲漏极至源极雪崩能量
(V
DD
= 100V, V
GS
= 10V ,我
AS
= 2A ,L = 10MH ,R
G
=25Ω)
最大功率耗散
工作结温
工作结存储温度范围
TA = 25℃
o
TA = 70℃
o
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
EAS
P
D
T
J
T
J
, T
英镑
极限
25
±20
55
150
20
300
65
42
+150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
o
o
C
C
热性能
参数
(从案例1/8“ )焊接温度
结到外壳热阻
结到环境热阻(PCB安装)
注意事项:
一。最大直流电流受限于包
B 。表面装在1 “×1” FR4板,T
10秒。
符号
T
L
R
JC
R
JA
极限
10
1.8
40
单位
S
o
o
C / W
C / W
1/6
版本: A07
TSM55N03
25V N沟道MOSFET
电气规格
( TA = 25
o
C除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
b
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250uA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
V
DS
≥5V,
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 30A
V
GS
= 10V ,我
D
= 30A
V
DS
= 15V ,我
D
= 15A
I
S
= 20A ,V
GS
= 0V
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
25
1.0
--
--
55
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
1.9
--
--
--
7.5
4.5
55
0.85
26
6
5
2325.9
330.55
173.91
15.13
4
45.27
7.6
最大
--
3.0
±100
1.0
--
9
6
--
1.3
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
单位
V
V
nA
uA
A
S
V
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
c
V
DS
= 15V ,我
D
= 20A,
V
GS
= 5V
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
nC
pF
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
V
DD
= 15V ,R
L
= 15Ω,
I
D
= 1A ,V
= 10V,
R
G
= 6Ω
nS
关断下降时间
t
f
注意事项:
一。脉冲测试: PW
≤300S,
占空比
≤2%
B 。对于辅助设计ONLY,不受生产测试。
B 。开关时间基本上是独立的工作温度。
2/6
版本: A07
TSM55N03
25V N沟道MOSFET
电气特性曲线
( TA = 25
o
C,除非另有说明)
输出特性
传输特性
导通电阻与漏电流
栅极电荷
导通电阻与结温
源极 - 漏极二极管正向电压
3/6
版本: A07
TSM55N03
25V N沟道MOSFET
电气特性曲线
( TA = 25
o
C,除非另有说明)
导通电阻与栅源电压
阈值电压
最大安全工作区
归瞬态热阻抗,结到环境
4/6
版本: A07
TSM55N03
25V N沟道MOSFET
SOT- 252机械制图
TO- 252外形尺寸
暗淡
A
A1
B
C
D
E
F
G
G1
G2
H
I
J
K
L
M
MILLIMETERS
最大
2.3BSC
4.6BSC
6.80
5.40
6.40
2.20
0.00
5.20
0.75
0.55
0.35
0.90
2.20
0.50
0.90
1.30
7.20
5.60
6.65
2.40
0.20
5.40
0.85
0.65
0.65
1.50
2.80
1.10
1.50
1.70
英寸
最大
0.09BSC
0.18BSC
0.268
0.213
0.252
0.087
0.000
0.205
0.030
0.022
0.014
0.035
0.087
0.020
0.035
0.051
0.283
0.220
0.262
0.094
0.008
0.213
0.033
0.026
0.026
0.059
0.110
0.043
0.059
0.67
标记图
Y
=年份代码
M
=月守则
( A =一月,
B =月, C =月, D = APL, E =月, F =君,G =月, H =月,
I =月, J =月, K =月, L =月)
L
- 批次编号
5/6
版本: A07
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TSM55N03
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
TSM55N03
√ 欧美㊣品
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8175
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电话:0755-83679110 0755-23125986
联系人:朱生/李小姐
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TSM55N03
IR【原装正品】
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TO252
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