【初步TSM488630V N沟道MOSFETSOP-8针脚定义：1.源2.源3.源4.门5 ，6，7】,IC型号TSM4886CSRL,TSM4886CSRL PDF资料,TSM4886CSRL经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步

TSM4886

30V N沟道MOSFET

SOP-8

针脚定义：

1.源

2.源

3.源

4.门

5 ，6，7 ， 8，漏极

产品概述

(V)

DS （ ON）

(mΩ)

10 @ V

= 10V

13.5 @ V

= 4.5V

(A)

特点

●

高级的加工技术

对于超低导通电阻高密度电池设计

框图

应用

●

DC- DC转换器

电池开关

订购信息

产品型号

TSM4886CS RL

包

SOP-8

填料

2.5Kpcs / 13 “卷轴

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

（ TA = 25

C除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

最大功率耗散

工作结温

工作结存储温度范围

A，B

符号

, T

英镑

TA = 25℃

TA = 75℃

极限

2.6

2.95

1.9

+150

- 55 + 150

单位

热性能

参数

结到外壳热阻

结到环境热阻（PCB安装）

注意事项：

一。脉冲宽度有限的最高结温

B 。表面安装在FR4板，T

≤

10秒。

符号

极限

单位

C / W

1/4

版本：初步

初步

TSM4886

30V N沟道MOSFET

电气规格

（ TA = 25

C除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

条件

= 0V时，我

= 250uA

= V

, I

= 250A

= ±20V, V

= 0V

= 24V, V

= 0V

≥

5V, V

= 10V

= 10V ，我

= 13A

= 4.5V ，我

= 11A

= 15V ，我

= 13A

= 2.6A ，V

= 0V

符号

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

民

典型值

1.8

7.8

10.5

0.85

2134

343

134

3.5

最大

±100

1.0

13.5

1.3

单位

mΩ

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关

= 15V ，我

= 13A,

= 5V

= 15V, V

= 0V,

F = 1.0MHz的

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

= 15V ，R

= 1.0Ω,

= 1A ，V

根

= 10V,

= 3Ω

关断下降时间

注意事项：

一。脉冲测试： PW

≤300S,

占空比

≤2%

B 。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。

B 。开关时间基本上是独立的工作温度。

2/4

版本：初步

初步

TSM4886

30V N沟道MOSFET

SOP- 8机械制图

暗淡

SOP- 8尺寸

MILLIMETERS

英寸

民

最大

民

马克斯。

4.80

5.00

0.189

0.196

3.80

4.00

0.150

0.157

1.35

1.75

0.054

0.068

0.35

0.49

0.014

0.019

0.40

1.25

0.016

0.049

1.27BSC

0.05BSC

0.10

0.25

0.004

0.009

5.80

6.20

0.229

0.244

0.25

0.50

0.010

0.019

3/4

版本：初步

初步

TSM4886

30V N沟道MOSFET

通告

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本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生或生命维持应用。客户

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任何损害此类不当使用或销售行为造成的。

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版本：初步

TSM4886

30V N沟道MOSFET

SOP-8

针脚定义：

1.源

2.源

3.源

4.门

5 ，6，7 ， 8，漏极

产品概述

(V)

DS （ ON）

(mΩ)

10 @ V

= 10V

13.5 @ V

= 4.5V

(A)

特点

●

高级的加工技术

对于超低导通电阻高密度电池设计

框图

应用

●

DC- DC转换器

电池开关

订购信息

产品型号

TSM4886CS RL

包

SOP-8

填料

2.5Kpcs / 13 “卷轴

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

（ TA = 25

C除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

最大功率耗散

工作结温

工作结存储温度范围

A，B

符号

, T

英镑

TA = 25℃

TA = 75℃

极限

2.6

2.95

1.9

+150

- 55 + 150

单位

热性能

参数

结到外壳热阻

结到环境热阻（PCB安装）

注意事项：

一。脉冲宽度有限的最高结温

B 。表面安装在FR4板，T

≤

10秒。

符号

极限

单位

C / W

1/6

版本： B09

TSM4886

30V N沟道MOSFET

电气规格

（ TA = 25

C除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

条件

= 0V时，我

= 250uA

= V

, I

= 250A

= ±20V, V

= 0V

= 24V, V

= 0V

≥

5V, V

= 10V

= 10V ，我

= 13A

= 4.5V ，我

= 11A

= 15V ，我

= 13A

= 2.6A ，V

= 0V

符号

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

民

典型值

1.8

7.8

10.5

0.85

2134

343

134

3.5

最大

±100

1.0

13.5

1.3

单位

mΩ

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关

= 15V ，我

= 13A,

= 5V

= 15V, V

= 0V,

F = 1.0MHz的

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

= 15V ，R

= 1.0Ω,

= 1A ，V

根

= 10V,

= 3Ω

关断下降时间

注意事项：

一。脉冲测试： PW

≤300S,

占空比

≤2%

B 。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。

B 。开关时间基本上是独立的工作温度。

2/6

版本： B09

TSM4886

30V N沟道MOSFET

电气特性曲线

（ TA = 25

C，除非另有说明）

输出特性

传输特性

导通电阻与漏电流

栅极电荷

导通电阻与结温

源极 - 漏极二极管正向电压

3/6

版本： B09

TSM4886

30V N沟道MOSFET

电气特性曲线

（ TA = 25

C，除非另有说明）

导通电阻与栅源电压

阈值电压

单脉冲功率

归瞬态热阻抗，结到环境

4/6

版本： B09

TSM4886

30V N沟道MOSFET

SOP- 8机械制图

暗淡

SOP- 8尺寸

MILLIMETERS

英寸

民

最大

民

马克斯。

4.80

5.00

0.189

0.196

3.80

4.00

0.150

0.157

1.35

1.75

0.054

0.068

0.35

0.49

0.014

0.019

0.40

1.25

0.016

0.049

1.27BSC

0.05BSC

0.10

0.25

0.004

0.009

5.80

6.20

0.229

0.244

0.25

0.50

0.010

0.019

标记图

=年份代码

=月守则

（ A =一月，

B =月， C =月， D = APL， E =月， F =君，G =月， H =月，

I =月， J =月， K =月， L =月）

- 批次编号

5/6

版本： B09