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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第143页 > TSM4431CSRL
TSM4431
30V P沟道MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(mΩ)
-30
40 @ V
GS
= -10V
70 @ V
GS
= -4.5V
SOP-8
针脚定义：
1.源
2.源
3.源
4.门
5 ，6，7 ， 8，漏极
I
D
(A)
-5.8
-4.5
特点
●
●
高级的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
框图
应用
●
●
DC- DC转换器
异步降压转换器
P沟道MOSFET
订购信息
产品型号
TSM4431CS RL
包
SOP-8
填料
T&R
绝对最大额定值
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
最大功率耗散
工作结温
工作结存储温度范围
A，B
o
o
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
极限
-30
±20
-5.8
-20
-2.3
单位
V
V
A
A
A
W
o
o
TA = 25℃
TA = 75℃
2.5
1.6
+150
- 55 + 150
T
J
T
J
, T
英镑
C
C
热性能
参数
结到外壳热阻
结到环境热阻（PCB安装）
注意事项：
一。脉冲宽度有限的最高结温
B 。表面安装在FR4板，T
≤
10秒。
符号
R
JC
R
JA
极限
30
50
单位
o
o
C / W
C / W
1/6
版本： A07
TSM4431
30V P沟道MOSFET
电气规格
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
a
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250uA
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= -30V, V
GS
= 0V
V
DS
≤
-5V, V
GS
= -4.5V
V
GS
= -10V ，我
D
= -5.8A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -4.5A
V
DS
= -15V ，我
D
= -5.3A
I
S
= -2.3A ，V
GS
= 0V
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
民
-30
-1
--
--
-7
--
--
4
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
--
--
--
--
29
47
7
--
18.09
6.52
3.25
1047.98
172.82
115.50
20.52
4.43
42.81
7.35
最大
--
-3
±100
1.0
--
40
70
--
-1.1
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
单位
V
V
nA
A
A
mΩ
S
V
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
b
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
c
V
DS
= -15V ，我
D
= -3.5A,
V
GS
= -10V
V
DS
= -15V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
nC
pF
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
V
DD
= -15V ，R
L
= 15Ω,
I
D
= -1A ，V
根
= -10V,
R
G
= 6Ω
nS
关断下降时间
t
f
注意事项：
一。脉冲测试： PW
≤300S,
占空比
≤2%
B 。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
B 。开关时间基本上是独立的工作温度。
2/6
版本： A07
TSM4431
30V P沟道MOSFET
电气特性曲线
（ TA = 25
o
C，除非另有说明）
输出特性
传输特性
导通电阻与漏电流
栅极电荷
导通电阻与结温
源极 - 漏极二极管正向电压
3/6
版本： A07
TSM4431
30V P沟道MOSFET
电气特性曲线
（ TA = 25
o
C，除非另有说明）
导通电阻与栅源电压
阈值电压
单脉冲功率
归瞬态热阻抗，结到环境
4/6
版本： A07
TSM4431
30V P沟道MOSFET
SOP- 8机械制图
暗淡
A
B
C
D
F
G
K
M
P
R
SOP- 8尺寸
MILLIMETERS
英寸
民
最大
民
马克斯。
4.80
5.00
0.189
0.196
3.80
4.00
0.150
0.157
1.35
1.75
0.054
0.068
0.35
0.49
0.014
0.019
0.40
1.25
0.016
0.049
1.27BSC
0.05BSC
0.10
0.25
0.004
0.009
0
7
0
7
5.80
6.20
0.229
0.244
0.25
0.50
0.010
0.019
5/6
版本： A07
TSM4431
30V P沟道MOSFET
SOP-8
针脚定义：
1.源
2.源
3.源
4.门
5 ，6，7 ， 8，漏极
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(mΩ)
-30
40 @ V
GS
= -10V
70 @ V
GS
= -4.5V
I
D
(A)
-5.8
-4.5
特点
●
●
高级的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
框图
应用
●
●
DC- DC转换器
异步降压转换器
P沟道MOSFET
订购信息
产品型号
TSM4431CS RL
包
SOP-8
填料
2.5Kpcs / 13 “卷轴
绝对最大额定值
（ TA = 25° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
最大功率耗散
工作结温
工作结存储温度范围
A，B
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
J
, T
英镑
TA = 25℃
TA = 75℃
极限
-30
±20
-5.8
-20
-2.3
2.5
1.6
+150
- 55 + 150
单位
V
V
A
A
A
W
o
o
C
C
热性能
参数
结到外壳热阻
结到环境热阻（PCB安装）
注意事项：
一。脉冲宽度有限的最高结温
B 。表面安装在FR4板，T
≤
10秒。
符号
R
JC
R
JA
极限
30
50
单位
o
o
C / W
C / W
1/6
版本： A07
TSM4431
30V P沟道MOSFET
电气规格
（ TA = 25° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
a
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250uA
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= -30V, V
GS
= 0V
V
DS
≤
-5V, V
GS
= -4.5V
V
GS
= -10V ，我
D
= -5.8A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -4.5A
V
DS
= -15V ，我
D
= -5.3A
I
S
= -2.3A ，V
GS
= 0V
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
民
-30
-1
--
--
-7
--
--
4
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
--
--
--
--
29
47
7
--
18.09
6.52
3.25
1047.98
172.82
115.50
20.52
4.43
42.81
7.35
最大
--
-3
±100
1.0
--
40
70
--
-1.1
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
单位
V
V
nA
A
A
mΩ
S
V
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
b
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
c
V
DS
= -15V ，我
D
= -3.5A,
V
GS
= -10V
V
DS
= -15V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
nC
pF
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
V
DD
= -15V ，R
L
= 15Ω,
I
D
= -1A ，V
根
= -10V,
nS
R
G
= 6Ω
关断下降时间
t
f
注意事项：
一。脉冲测试： PW
≤300S,
占空比
≤2%
B 。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
B 。开关时间基本上是独立的工作温度。
2/6
版本： A07
TSM4431
30V P沟道MOSFET
电气特性曲线
（ TA = 25° C除非另有说明）
输出特性
传输特性
导通电阻与漏电流
栅极电荷
导通电阻与结温
源极 - 漏极二极管正向电压
3/6
版本： A07
TSM4431
30V P沟道MOSFET
电气特性曲线
（ TA = 25℃ ，除非另有说明）
导通电阻与栅源电压
阈值电压
单脉冲功率
归瞬态热阻抗，结到环境
4/6
版本： A07
TSM4431
30V P沟道MOSFET
SOP- 8机械制图
暗淡
A
B
C
D
F
G
K
M
P
R
SOP- 8尺寸
MILLIMETERS
英寸
民
最大
民
马克斯。
4.80
5.00
0.189
0.196
3.80
4.00
0.150
0.157
1.35
1.75
0.054
0.068
0.35
0.49
0.014
0.019
0.40
1.25
0.016
0.049
1.27BSC
0.05BSC
0.10
0.25
0.004
0.009
0
7
0
7
5.80
6.20
0.229
0.244
0.25
0.50
0.010
0.019
标记图
Y
=年份代码
M
=月守则
（ A =一月，
B =月， C =月， D = APL， E =月， F =君，G =月， H =月，
I =月， J =月， K =月， L =月）
L
- 批次编号
5/6
版本： A07
查看更多TSM4431CSRLPDF信息
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TLV2630IP
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TC1313-CM2EMFTR
TPC1010BFN-044C
TB2300L
TDD15-05S3
TC54VN3101EMB
TDA8375AH
TCLLZ20V
TLP227GN
T89C51RD2-SLRC-L
TSC80C31-20MDR/883
TEA1062A
TLC555CDR
TLVH431IDBZT
TC531001CP-12
TC54VC2702ECB
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TSM4431CSRL
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市格雷迪电子有限公司
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电话：15914072177
联系人：林先生
地址：深圳市福田区华强北街道佳和潮流前线商场负一楼1A236
TSM4431CSRL
TSC/台湾半导体
24+
62885
SOP-8
公司现货，全新原厂原装正品！
深圳诚思涵科技有限公司
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电话：0755-83015506-23947236
联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
TSM4431CSRL
TSC/台湾半导体
24+
5000
S0P-8
100%原装正品，可长期订货
深圳市美思瑞电子科技有限公司
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电话：0755-83951431
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北路1002号赛格广场47楼4707B/香港九龙观塘鸿图大道55号京泰大厦1608室
TSM4431CSRL
TSC
22+
12245
SOP-8
现货，原厂原装假一罚十！
上海熠富电子科技有限公司
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电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
TSM4431CSRL
TSC/台湾半导体
2024
20918
S0P-8
上海原装现货库存，欢迎咨询合作
上海熠富电子科技有限公司
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电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
TSM4431CSRL
TSC/台湾半导体
2024
20918
S0P-8
原装现货上海库存，欢迎咨询
北京元坤国际科技有限公司
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
TSM4431CSRL
TSC/台半
07+
4900
SOP-8
全新原装正品/质量有保证
北京首天伟业科技有限公司
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
TSM4431CSRL
TSC/台湾半导体
21+
9561
S0P-8
全新原装正品/质量有保证
深圳勤思达科技有限公司
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电话：0755-83264115
联系人：朱生
地址：深圳市福田区华强北赛格科技园4栋中12楼A座
TSM4431CSRL
TSC
55700
全选原装正品 长期现货库存供应
深圳市晶美隆科技有限公司
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电话：0755- 82519391 0755-83209630
联系人：李林
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
TSM4431CSRL
T
24+
18530
SOP-8
全新原装现货热卖
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深圳市碧威特网络技术有限公司
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