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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第1029页 > TSM3457CX6RF
TSM3457
30V P沟道MOSFET
SOT-26
针脚定义：
1.排放6.漏
2.排水5 ，沥干
3.门4.源
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(mΩ)
-30
54 @ V
GS
= 10V
100 @ V
GS
= 4.5V
I
D
(A)
-5
-3.7
特点
●
●
高级的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
框图
应用
●
●
负荷开关
PA的开关
订购信息
产品型号
TSM3457CX6 RF
包
SOT-26
填料
3Kpcs / 7 “卷轴
P沟道MOSFET
绝对最大额定值
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
最大功率耗散
工作结温
工作结存储温度范围
A，B
o
o
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
J
, T
英镑
TA = 25℃
TA = 70℃
极限
-30
±20
-5
-20
-1.7
2.0
1.3
+150
- 55 + 150
单位
V
V
A
A
A
W
o
o
C
C
热性能
参数
结到外壳热阻
结到环境热阻（PCB安装）
注意事项：
一。脉冲宽度有限的最高结温
B 。表面安装在FR4板，T
≤
5秒。
符号
R
JC
R
JA
极限
30
80
单位
o
o
C / W
C / W
1/6
版本： A07
TSM3457
30V P沟道MOSFET
电气规格
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
a
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250uA
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= -30V, V
GS
= 0V
V
DS
=-5V, V
GS
= -10V
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -2.0A
V
GS
= -10V ，我
D
= -3.0A
V
DS
= -15V ，我
D
= -5A
I
S
= -1.7A ，V
GS
= 0V
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
民
-30
-1.0
--
--
-20
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
-1.5
--
--
--
82
44
10
-0.8
9.52
3.43
1.71
551.57
90.96
60.79
10.8
2.33
22.53
3.87
最大
--
-3.0
±100
-1.0
--
100
54
--
-1.2
单位
V
V
nA
A
A
mΩ
S
V
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
b
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
c
V
DS
= -15V ，我
D
= -3A,
V
GS
= -10V
V
DS
= -15V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
--
--
--
--
--
--
--
--
--
nC
pF
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
V
DD
= -15V ，R
L
= 15Ω,
I
D
= -1A ，V
根
= -10V,
nS
R
G
= 6Ω
关断下降时间
t
f
注意事项：
一。脉冲测试： PW
≤300S,
占空比
≤2%
B 。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
B 。开关时间基本上是独立的工作温度。
2/6
版本： A07
TSM3457
30V P沟道MOSFET
电气特性曲线
（ TA = 25
o
C，除非另有说明）
输出特性
传输特性
导通电阻与漏电流
栅极电荷
导通电阻与结温
源极 - 漏极二极管正向电压
3/6
版本： A07
TSM3457
30V P沟道MOSFET
电气特性曲线
（ TA = 25
o
C，除非另有说明）
导通电阻与栅源电压
阈值电压
单脉冲功率
归瞬态热阻抗，结到环境
4/6
版本： A07
TSM3457
30V P沟道MOSFET
SOT- 26机械制图
暗淡
A
A1
B
C
D
E
F
G
H
I
J
SOT- 26 DIMENSION
MILLIMETERS
英寸
民
民
典型值
最大
典型值
0.95 BSC
1.9 BSC
2.60
1.40
2.80
1.00
0.00
0.35
0.10
0.30
5
2.80
1.50
2.90
1.10
--
0.40
0.15
--
--
3.00
1.70
3.10
1.20
0.10
0.50
0.20
0.60
10
0.0374 BSC
最大
BSC 0.0748
0.1024 0.1102 0.1181
0.0551
0.1101
0.0394
0.00
0.0138
0.0039
0.0118
5
0.0157
0.0059
--
--
0.0591
0.1142
0.0433
0.0669
0.1220
0.0472
0.0039
0.0197
0.0079
0.0236
10
标记图
57
=器件代码
Y
=年份代码
M
=月守则
（ A =一月，
B =月， C =月， D = APL， E =月， F =君，G =月， H =月，
I =月， J =月， K =月， L =月）
L
- 批次编号
5/6
版本： A07
TSM3457
30V P沟道MOSFET
SOT-26
针脚定义：
1.排放6.漏
2.排水5 ，沥干
3.门4.源
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(mΩ)
-30
60 @ V
GS
= 10V
100 @ V
GS
= 4.5V
I
D
(A)
-5
-3.7
特点
●
●
高级的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
框图
应用
●
●
负荷开关
PA的开关
订购信息
产品型号
TSM3457CX6 RF
包
SOT-26
填料
3Kpcs / 7 “卷轴
P沟道MOSFET
绝对最大额定值
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
最大功率耗散
工作结温
工作结存储温度范围
A，B
o
o
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
J
, T
英镑
TA = 25℃
TA = 70℃
极限
-30
±20
-5
-20
-1.7
2.0
1.3
+150
- 55 + 150
单位
V
V
A
A
A
W
o
o
C
C
热性能
参数
结到外壳热阻
结到环境热阻（PCB安装）
注意事项：
一。脉冲宽度有限的最高结温
B 。表面安装在FR4板，T
≤
5秒。
符号
R
JC
R
JA
极限
30
80
单位
o
o
C / W
C / W
1/6
版本： C07
TSM3457
30V P沟道MOSFET
电气规格
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
a
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250uA
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
V
DS
=-5V, V
GS
= -10V
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -3.7A
V
GS
= -10V ，我
D
= -5A
V
DS
= -15V ，我
D
= -5A
I
S
= -1.7A ，V
GS
= 0V
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
民
-30
-1.0
--
--
-20
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
-1.5
--
--
--
82
50
10
-0.8
9.52
3.43
1.71
551.57
90.96
60.79
10.8
2.33
22.53
3.87
最大
--
-3.0
±100
-1.0
--
100
60
--
-1.2
单位
V
V
nA
A
A
mΩ
S
V
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
b
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
c
V
DS
= -15V ，我
D
= -3.7A,
V
GS
= -10V
V
DS
= -15V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
--
--
--
--
--
--
--
--
--
nC
pF
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
V
DD
= -15V ，R
L
= 15Ω,
I
D
= -1A ，V
根
= -10V,
R
G
= 6Ω
nS
关断下降时间
t
f
注意事项：
一。脉冲测试： PW
≤300S,
占空比
≤2%
B 。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
B 。开关时间基本上是独立的工作温度。
2/6
版本： C07
TSM3457
30V P沟道MOSFET
电气特性曲线
（ TA = 25
o
C，除非另有说明）
输出特性
传输特性
导通电阻与漏电流
栅极电荷
导通电阻与结温
源极 - 漏极二极管正向电压
3/6
版本： C07
TSM3457
30V P沟道MOSFET
电气特性曲线
（ TA = 25
o
C，除非另有说明）
导通电阻与栅源电压
阈值电压
单脉冲功率
归瞬态热阻抗，结到环境
4/6
版本： C07
TSM3457
30V P沟道MOSFET
SOT- 26机械制图
暗淡
A
A1
B
C
D
E
F
G
H
I
J
SOT- 26 DIMENSION
MILLIMETERS
英寸
民
民
典型值
最大
典型值
0.95 BSC
1.9 BSC
2.60
1.40
2.80
1.00
0.00
0.35
0.10
0.30
5
2.80
1.50
2.90
1.10
--
0.40
0.15
--
--
3.00
1.70
3.10
1.20
0.10
0.50
0.20
0.60
10
0.0374 BSC
最大
BSC 0.0748
0.1024 0.1102 0.1181
0.0551
0.1101
0.0394
0.00
0.0138
0.0039
0.0118
5
0.0157
0.0059
--
--
0.0591
0.1142
0.0433
0.0669
0.1220
0.0472
0.0039
0.0197
0.0079
0.0236
10
标记图
57
=器件代码
Y
=年份代码
M
=月守则
（ A =一月，
B =月， C =月， D = APL， E =月， F =君，G =月， H =月，
I =月， J =月， K =月， L =月）
L
- 批次编号
5/6
版本： C07
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TC54VC2301EMB
TLV341IDCKRG4
TMP8048AP
T101SHABE
TS190LES
TMS3705BDRG4
TPS3106E09DVB
TPA0212PWPR
TMS320DM6433ZWTQ6
T1114
T73LVP20-S08-TNR
TC74HC10AFN
供货商
型号
厂家
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数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TSM3457CX6RF
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
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电话：0755- 82519391 0755-83209630
联系人：李林
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
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T
24+
18530
SOT-26
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QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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