TSM3400
30V N沟道增强型MOSFET
引脚分配:
1.门
2.源
3.排水
V
DS
= 30V
R
DS ( ON)
, V GS @ 4.5V , IDS @ 2A = 70mΩ
R
DS ( ON)
, V GS @ 10V , IDS @ 3.5A = 50mΩ以下
特点
坚固可靠
对于超低导通电阻高密度电池设计
优异的热性能和电气性能
紧凑,薄型SOT- 23封装
框图
订购信息
产品型号
TSM3400CX
填料
磁带&卷轴
包
SOT-23
绝对最大额定值
( TA = 25
o
C
除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
最大功率耗散
TA = 25
o
C
TA = 75
o
C
工作结温
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
T
J
, T
英镑
极限
30V
± 20
3.5
13
1.25
0.8
+150
- 55 + 150
单位
V
V
A
A
W
o
o
C
C
热性能
参数
(从案例1/8“ )焊接温度
结到环境热阻(PCB安装)
注:表面安装在FR4电路板t< = 5秒。
符号
T
L
R
θJA
极限
5
100
单位
S
o
C / W
TSM3400
1-5
2005/05转。一
电气特性
TA = 25
o
C,除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
漏源导通电阻
漏源导通电阻
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
通态漏电流
正向跨导
条件
符号
民
典型值
最大
单位
V
GS
= 0V时,我
D
= - 250uA
V
GS
= 10V ,我
D
= 3.5A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 2A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250uA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
=5V, V
GS
= 10V
V
DS
= 5V ,我
D
= 3.5A
BV
DSS
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
I
D(上)
g
fs
30
--
--
1
--
--
10
--
--
40
55
1.7
--
--
--
6
--
50
70
2.5
1.0
±100
--
--
V
m
V
uA
nA
A
S
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
I
S
= - 1.6A ,V
GS
= 0V
V
SD
--
- 0.8
- 1.2
V
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
DD
= 10V ,R
L
= 10,
I
D
= 1A ,V
根
= 10V ,R
G
= 6
V
DS
= 10V ,我
D
= 3.5A ,V
GS
= 4.5V
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
6.8
3.1
1.95
14.2
4.8
19.6
9.3
600
125
95
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
pF
nS
nC
注:脉冲测试:脉冲宽度< = 300US ,占空比< = 2 %
TSM3400
2-5
2005/05转。一