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TSM2NB60
600V N沟道功率MOSFET
TO-220
ITO-220
针脚定义：
1.门
2.漏
3.源
产品概述
V
DS
(V)
600
R
DS （ ON）
( )
4.4 @ V
GS
=10V
I
D
(A)
1
概述
TO-251
（ IPAK ）
TO-252
（ DPAK ）
该TSM2NB60 N沟道功率MOSFET是
通过新的进展平面工艺制作。这
先进的技术已特别针对
最小化
导通状态
性，
提供
优
开关性能，并能承受高能量
脉冲雪崩和减刑模式。
特点
●
●
●
●
低R
DS （ ON）
3.9 （典型值）。
低栅极电荷典型@ 9.5nC （典型值）。
低的Crss典型@ 5pF的（典型值）。
100％的雪崩测试
框图
订购信息
产品型号
TSM2NB60CH C5G
TSM2NB60CP ROG
TSM2NB60CZ C0
包
TO-251
TO-252
TO-220
填料
75PCS /管
2.5Kpcs / 13 “卷轴
50PCS /管
50PCS /管
N沟道MOSFET
TSM2NB60CI C0
ITO-220
注意：
“G”表示用于无卤
绝对最大额定值
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲*
单脉冲雪崩能量（注2 ）
雪崩电流（重复） （注1 ）
重复性雪崩能量（注1 ）
峰值二极管恢复的dv / dt （注3 ）
总功率耗散@ T
C
= 25 C
工作结温
存储温度范围
注意：
由最高结温限制
o
符号
V
DS
V
GS
TC = 25℃
TC = 100℃
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
合计
T
J
T
英镑
极限
IPAK / DPAK
ITO-220
600
±30
2
1.35
8
39
2
4.4
4.5
44
25
150
-55到+150
70
TO-220
单位
V
V
A
A
A
mJ
A
mJ
V / ns的
W
C
o
C
1/10
版本： B11
TSM2NB60
600V N沟道功率MOSFET
热性能
参数
热阻 - 结到管壳
热阻 - 结到环境
符号
R
JC
R
JA
极限
IPAK / DPAK
2.87
110
ITO-220
5
62.5
TO-220
1.78
62.5
单位
o
o
C / W
C / W
电气规格
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
漏源导通电阻
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
正向传输导
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
源出电流
源电流（脉冲）
二极管的正向电压
反向恢复时间
V
GS
= 10V ，我
D
= 2A,
V
DD
= 300V ，R
G
=25
（注4,5 ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
fr
--
--
--
--
--
--
--
--
9.1
9.8
17.4
12.4
--
--
0.9
490
0.8
--
--
--
--
2
8
1.4
--
--
A
A
V
nS
uC
nS
V
DS
= 480V ，我
D
= 2A,
V
GS
= 10V
（注4,5 ）
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
--
--
--
--
--
--
9.4
2.2
4.7
249
30.7
5
--
--
--
--
--
--
pF
nC
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
V
GS
= 10V ，我
D
= 1A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V
V
DS
= 40V ，我
D
= 1A
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
g
fs
600
--
2.5
--
--
--
--
3.9
3.6
--
--
1.5
--
4.4
4.5
10
±100
--
V
uA
nA
S
V
条件
符号
民
典型值
最大
单位
源极 - 漏极二极管额定值和特性
在积分反向二极管
该MOSFET
I
S
= 2A ，V
GS
= 0V
V
GS
= 0V时，我
S
=2A,
dI
F
/ DT = 100A / us的
反向恢复电荷
Q
fr
--
注1 ：
重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制
注2 ：
V
DD
= 50V ，我
AS
= 2A ，L = 18mH ，R
G
= 25 ，起始物为
J
=25C
注3 ：
I
SD
≤2A,
DI / dt≤200A / US ，V
DD
ΔBV
DSS
，起始物为
J
=25C
注4 ：
脉冲测试：脉冲宽度
≤300uS,
占空比
≤2%
注5 ：
基本上是独立工作温度
2/10
版本： B11
TSM2NB60
600V N沟道功率MOSFET
栅极电荷测试电路波形&
电阻开关测试电路波形&
E
AS
测试电路波形&
3/10
版本： B11
TSM2NB60
600V N沟道功率MOSFET
二极管的反向恢复时间测试电路波形&
4/10
版本： B11
TSM2NB60
600V N沟道功率MOSFET
电气特性曲线
（ TA = 25℃ ，除非另有说明）
输出特性
传输特性
导通电阻与漏电流
栅极电荷
5/10
版本： B11
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TK5Q60W
TLE7278-2
TS9000ASCY
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型号
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批号
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封装
单价/备注
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TSM2NB60CHC5G
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    -
    -
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