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TSM2N70
700V N沟道功率MOSFET
TO-220
TO-251
( IPAK )
TO-252
( DPAK )
针脚定义:
1.门
2.漏
3.源
产品概述
V
DS
(V)
700
R
DS ( ON)
( )
6.5 @ V
GS
=10V
I
D
(A)
1
概述
该TSM2N70 N沟道增强型功率MOSFET由平面条形DMOS技术制作。
这种先进的技术已特别针对减少通态电阻,提供出色的
开关性能,并能承受高能量脉冲雪崩和减刑模式。这些
器件非常适用于高效率开关模式电源,功率因数校正,电子灯
镇流器基于半桥。
特点
低R
DS ( ON)
6.5 (最大)
低栅极电荷典型@ 9.5nC (典型值)。
低的Crss典型值4.5pF的(典型值)。
快速开关
框图
订购信息
产品型号
TSM2N70CZ C0
TSM2N70CH C5
TSM2N70CH C5G
TSM2N70CP RO
TSM2N70CP ROG
TO-220
TO-251
TO-251
TO-252
TO-252
填料
50PCS /管
70pcs /管
70pcs /管
2.5Kpcs / 13 “卷轴
2.5Kpcs / 13 “卷轴
N沟道MOSFET
注: “G”表示为无卤产品
绝对最大额定值
( TA = 25
o
C除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲*
重复性雪崩电流
单脉冲雪崩能量(注2 )
o
最大功率耗散@T
C
= 25 C
工作结温
存储温度范围
*受最高结温
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AS
P
合计
T
J
T
英镑
极限
700
±30
2
8
2
110
45
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
C
o
C
热性能
参数
热阻 - 结到管壳
热阻 - 结到环境
注:表面安装在FR4板上吨
10sec
符号
R
JC
R
JA
极限
2.78
100
单位
o
o
C / W
C / W
1/10
版本: B11
TSM2N70
700V N沟道功率MOSFET
电气规格
( TA = 25
o
C除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
漏源导通电阻
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
正向跨导
二极管的正向电压
动态
b
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ,我
D
= 1A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50uA的
V
DS
= 700V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= 15V ,我
D
= 0.8A
I
S
= 1.6A ,V
GS
= 0V
符号
BV
DSS
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
700
--
2
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
5.25
--
--
--
1.7
--
9.5
1.6
4.0
320
35
4.5
18.4
35
32
34
474.2
2067.8
5.16
最大
--
6.5
4
1
±100
--
1.6
13
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
单位
V
V
uA
nA
S
V
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
c
V
DS
= 480V ,我
D
= 2A,
V
GS
= 10V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
nC
pF
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时,我
S
= 1.3A,
V
DD
= 25V
V
GS
= 10V ,我
D
= 0.8A,
V
DD
= 350V ,R
G
= 4.7
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
fr
Q
fr
nS
nS
uC
A
dI
F
/ DT = 100A / us的
反向恢复电流
I
RRM
注意事项:
1.重复评价:脉冲宽度有限的最高结温
2. V
DD
= 50V ,我
AS
= 2A ,L = 56mH ,R
G
=25
3.脉冲测试:脉冲宽度
≤300uS,
占空比
≤1.5%
4.基本上是独立工作温度
5.仅供设计参考,未经生产测试。
6.开关时间基本上是独立的工作温度。
2/10
版本: B11
TSM2N70
700V N沟道功率MOSFET
电气特性曲线
( TA = 25
o
C,除非另有说明)
输出特性
传输特性
导通电阻与漏电流
栅极电荷
导通电阻与结温
源极 - 漏极二极管正向电压
3/10
版本: B11
TSM2N70
700V N沟道功率MOSFET
电气特性曲线
( TA = 25
o
C,除非另有说明)
导通电阻与栅源电压
阈值电压
最大安全工作区
归瞬态热阻抗,结到环境
4/10
版本: B11
TSM2N70
700V N沟道功率MOSFET
栅极电荷测试电路波形&
电阻开关测试电路波形&
E
AS
测试电路波形&
5/10
版本: B11
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TSM2N70CPROG
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
TSM2N70CPROG
VBSEMI
2443+
23000
TO-252
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
TSM2N70CPROG
VB
25+23+
35500
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联系人:何
地址:深圳市福田区华强北路上步工业区501栋1109-1110室
TSM2N70CPROG
TSC/台湾半导体
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SOT-252
十五年专营 金牌供应商
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电话:0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人:李
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
TSM2N70CPROG
TSC
2406+
30000
SOT-252
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
TSM2N70CPROG
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21+
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全新原装正品/质量有保证
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联系人:刘经理
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TSM2N70CPROG
TSC/台湾半导体
21+
37350
TO-252
全新原装正品/质量有保证
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