初步
TSM2N70
700V N沟道功率MOSFET
TO-251
（ IPAK ）
TO-252
（ DPAK ）
针脚定义：
1.门
2.漏
3.源
产品概述
V
DS
(V)
700
R
DS （ ON）
(Ω)
7 @ V
GS
=10V
I
D
(A)
0.8
概述
该TSM2N70 N沟道增强型功率MOSFET由平面条形DMOS技术制作。
这种先进的技术已特别针对减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲雪崩和减刑模式。这些装置是公
基于半适用于高效率的开关电源，功率因数校正，电子镇流器
桥梁。
特点
●
●
●
●
低R
DS （ ON）
7Ω （最大值）。
低栅极电荷典型@ 11.4nC （典型值）。
低的Crss典型值6.5pF （典型值）。
快速开关
框图
订购信息
产品型号
TSM2N70CH C5
TSM2N70CP RO
包
TO-252
TO-251
填料
70pcs /管
2.5Kpcs / 13 “卷轴
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲*
雪崩电流（单人） （注2 ）
单脉冲雪崩能量（注2 ）
最大功率耗散@TC = 25℃
峰值二极管恢复电压斜率（注2 ）
工作结温
存储温度范围
*受最高结温
o
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
dv / dt的
T
J
T
英镑
极限
700
±30
1.6
6.4
1.6
110
45
4.5
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
V / ns的
C
o
C
1/7
版本：初步
TSM2N70
700V N沟道功率MOSFET
TO-220
TO-251
（ IPAK ）
TO-252
（ DPAK ）
针脚定义：
1.门
2.漏
3.源
产品概述
V
DS
(V)
700
R
DS （ ON）
( )
6.5 @ V
GS
=10V
I
D
(A)
1
概述
该TSM2N70 N沟道增强型功率MOSFET由平面条形DMOS技术制作。
这种先进的技术已特别针对减少通态电阻，提供出色的
开关性能，并能承受高能量脉冲雪崩和减刑模式。这些
器件非常适用于高效率开关模式电源，功率因数校正，电子灯
镇流器基于半桥。
特点
●
●
●
●
低R
DS （ ON）
6.5 （最大）
低栅极电荷典型@ 9.5nC （典型值）。
低的Crss典型值4.5pF的（典型值）。
快速开关
框图
订购信息
产品型号
TSM2N70CZ C0
TSM2N70CH C5
TSM2N70CH C5G
TSM2N70CP RO
TSM2N70CP ROG
包
TO-220
TO-251
TO-251
TO-252
TO-252
填料
50PCS /管
70pcs /管
70pcs /管
2.5Kpcs / 13 “卷轴
2.5Kpcs / 13 “卷轴
N沟道MOSFET
注： “G”表示为无卤产品
绝对最大额定值
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲*
重复性雪崩电流
单脉冲雪崩能量（注2 ）
o
最大功率耗散@T
C
= 25 C
工作结温
存储温度范围
*受最高结温
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AS
P
合计
T
J
T
英镑
极限
700
±30
2
8
2
110
45
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
C
o
C
热性能
参数
热阻 - 结到管壳
热阻 - 结到环境
注：表面安装在FR4板上吨
≤
10sec
符号
R
JC
R
JA
极限
2.78
100
单位
o
o
C / W
C / W
1/10
版本： B11
QQ：2880707522 复制
