TSM2N7002ED
50V双N沟道增强型MOSFET
引脚分配：
1.源（2）
6.漏（2）
2.门（2）
5.门（1）
3.排水（ 1 ）
4.源（ 1 ）
V
DS
= 50V
R
DS （ ON）
， V GS @ 10V ， IDS @ 250毫安= 3Ω
R
DS （ ON）
， V GS @ 5V ， IDS @ 50毫安= 4Ω
特点
双N沟道封装。
先进的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
高输入阻抗
高速开关
没有少数载流子存储时间
CMOS逻辑兼容输入
无二次击穿
紧凑，薄型SOT- 363封装
订购信息
产品型号
TSM2N7002EDCU6
填料
包
牛逼& R（ 3kpcs / RELL ） SOT- 363
框图
绝对最大额定值
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
最大功率耗散
TA = 25
o
C
TA = 75
o
C
工作结温
工作结存储温度范围
T
J
T
J
, T
英镑
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
极限
50
± 20
250
1.0
200
150
+150
- 55 + 150
单位
V
V
mA
A
mW
o
o
C
C
热性能
参数
（从案例1/8“ ）焊接温度
结到环境热阻（PCB安装）
注：表面安装在FR4电路板t< = 5秒。
符号
T
L
R
θJA
极限
5
625
单位
S
o
C / W
TSM2N7002ED
1-5
2004/12转。 B
电气特性（单通道）
TJ = 25
o
C除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
漏源导通电阻
漏源导通电阻
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
通态漏电流
正向跨导
条件
符号
民
典型值
最大
单位
V
GS
= 0V时，我
D
=为10uA
V
GS
= 10V ，我
D
= 250毫安
V
GS
= 5V ，我
D
= 50毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
V
GS
= ± 20V, V
DS
= 0V
V
DS
≧
7V, V
GS
= 10V
V
DS
= 7V ，我
D
= 200毫安
BV
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
I
D（上）
g
fs
50
--
--
1.0
--
--
500
80
--
--
--
2.0
--
--
--
--
--
3
4
2.5
1.0
± 100
--
--
V
V
uA
nA
mA
mS
*动态
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
DD
= 30V,
I
D
= 100mA时V
根
= 10V,
R
G
= 10
T
D（上）
t
r
T
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
--
--
--
--
--
--
--
7.5
6
7.5
3
19
10
3
20
--
20
--
50
25
5
pF
nS
源极 - 漏极二极管
马克斯。二极管的正向电流
二极管的正向电压
I
S
= 115毫安，V
GS
= 0V
I
S
V
SD
--
--
--
0.76
115
1.5
mA
V
注：脉冲测试：脉冲宽度< = 300US ，占空比< = 2 ％
*通过设计保证，不受生产测试。
TSM2N7002ED
2-5
2004/12转。 B
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