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TSM2N7002ED
50V双N沟道增强型MOSFET
引脚分配:
1.源(2)
6.漏(2)
2.门(2)
5.门(1)
3.排水( 1 )
4.源( 1 )
V
DS
= 50V
R
DS ( ON)
, V GS @ 10V , IDS @ 250毫安= 3Ω
R
DS ( ON)
, V GS @ 5V , IDS @ 50毫安= 4Ω
特点
双N沟道封装。
先进的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
高输入阻抗
高速开关
没有少数载流子存储时间
CMOS逻辑兼容输入
无二次击穿
紧凑,薄型SOT- 363封装
订购信息
产品型号
TSM2N7002EDCU6
填料
牛逼& R( 3kpcs / RELL ) SOT- 363
框图
绝对最大额定值
( TA = 25
o
C除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
最大功率耗散
TA = 25
o
C
TA = 75
o
C
工作结温
工作结存储温度范围
T
J
T
J
, T
英镑
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
极限
50
± 20
250
1.0
200
150
+150
- 55 + 150
单位
V
V
mA
A
mW
o
o
C
C
热性能
参数
(从案例1/8“ )焊接温度
结到环境热阻(PCB安装)
注:表面安装在FR4电路板t< = 5秒。
符号
T
L
R
θJA
极限
5
625
单位
S
o
C / W
TSM2N7002ED
1-5
2004/12转。 B
电气特性(单通道)
TJ = 25
o
C除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
漏源导通电阻
漏源导通电阻
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
通态漏电流
正向跨导
条件
符号
典型值
最大
单位
V
GS
= 0V时,我
D
=为10uA
V
GS
= 10V ,我
D
= 250毫安
V
GS
= 5V ,我
D
= 50毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
V
GS
= ± 20V, V
DS
= 0V
V
DS
7V, V
GS
= 10V
V
DS
= 7V ,我
D
= 200毫安
BV
DSS
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
I
D(上)
g
fs
50
--
--
1.0
--
--
500
80
--
--
--
2.0
--
--
--
--
--
3
4
2.5
1.0
± 100
--
--
V
V
uA
nA
mA
mS
*动态
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
DD
= 30V,
I
D
= 100mA时V
= 10V,
R
G
= 10
T
D(上)
t
r
T
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
--
--
--
--
--
--
--
7.5
6
7.5
3
19
10
3
20
--
20
--
50
25
5
pF
nS
源极 - 漏极二极管
马克斯。二极管的正向电流
二极管的正向电压
I
S
= 115毫安,V
GS
= 0V
I
S
V
SD
--
--
--
0.76
115
1.5
mA
V
注:脉冲测试:脉冲宽度< = 300US ,占空比< = 2 %
*通过设计保证,不受生产测试。
TSM2N7002ED
2-5
2004/12转。 B
典型特性曲线 - 单通道
( TA = 25
o
C除非另有说明)
输出特性
传输特性
漏电流( A)
漏源极电压( V)
漏电流( A)
门源电压( V)
电容
漏源电阻( Ω )
RDS(ON)的变化与漏电流
电容(pF)
漏源极电压( V)
漏电流( A)
VGS ( TH)与温度
栅极 - 源极阈值电压(V)的
漏极 - 源极击穿电压( V)
o
结温( C)
VDS击穿与温度
结温(
o
C)
TSM2N7002ED
3-5
2004/12转。 B
典型特性曲线
( TA = 25
o
C除非另有说明)
跨导的变化
源极 - 漏极电流(A )
体二极管正向电压
跨导(S )
漏源电流(A )
体二极管正向电压( V)
栅极电荷
栅极 - 源极电压(V)的
最大安全工作区
总栅极电荷( NC)
漏电流( A)
漏源极电压( V)
归瞬态热阻抗曲线
瞬态热阻抗R(T )
方波脉冲持续时间( S)
TSM2N7002ED
4-5
2004/12转。 B
SOT- 363机械制图
暗淡
A
A1
bp
C
D
E
e
e1
He
Lp
Q
W
Θ
SOT- 363 DIMENSION
MILLIMETERS
英寸
最大
最大
0.80
1.10
0.031
0.043
--
0.10
--
0.004
0.10
0.30
0.004
0.012
0.10
0.25
0.004
0.010
1.80
2.20
0.071
0.087
1.15
1.35
0.045
0.053
1.30 (典型值)
0.052 (典型值)
0.65 (典型值)
0.026(typ)
2.00
2.20
0.079
0.087
0.10
0.3
0.004
0.012
0.20 ( TYP )
0.008 ( TYP )
0.20 ( TYP )
0.008 ( TYP )
o
10 (典型值)
10
o
(典型值)
TSM2N7002ED
5-5
2004/12转。 B
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TSM2N7002EDCU6
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    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
TSM2N7002EDCU6
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