TSM2N7002E
60V N沟道MOSFET
SOT- 23机械制图
暗淡
A
A1
B
C
D
E
F
G
H
I
J
SOT- 23外形尺寸
MILLIMETERS
英寸
民
最大
民
马克斯。
0.95 BSC
0.037 BSC
1.9 BSC
0.074 BSC
2.60
3.00
0.102
0.118
1.40
1.70
0.055
0.067
2.80
3.10
0.110
0.122
1.00
1.30
0.039
0.051
0.00
0.10
0.000
0.004
0.35
0.50
0.014
0.020
0.10
0.20
0.004
0.008
0.30
0.60
0.012
0.024
5
10
5
10
标记图
2E
=器件代码
Y
=年份代码
M
=月守则
（ A =一月，
B =月， C =月， D = APL， E =月， F =君，G =月， H =月，
I =月， J =月， K =月， L =月）
L
- 批次编号
5/7
版本： A07
TSM2N7002E
50V N沟道增强型MOSFET
引脚分配：
1.门
2.源
3.排水
V
DS
= 50V
R
DS （ ON）
， V GS @ 10V ， IDS @ 250毫安= 3Ω
R
DS （ ON）
， V GS @ 5V ， IDS @ 50毫安= 4Ω
特点
先进的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
高输入阻抗
高速开关
没有少数载流子存储时间
CMOS逻辑兼容输入
无二次击穿
紧凑，薄型SOT- 363封装
框图
订购信息
产品型号
TSM2N7002ECX
TSM2N7002ECU
填料
T&R
(3kpcs/Reel)
包
SOT-23
SOT-323
绝对最大额定值
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
最大功率耗散
TA = 25
o
C
TA = 75
o
C
工作结温
工作结存储温度范围
T
J
T
J
, T
英镑
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
极限
50
± 20
250
1.0
200
150
+150
- 55 + 150
单位
V
V
mA
A
mW
o
o
C
C
热性能
参数
（从案例1/8“ ）焊接温度
结到环境热阻（PCB安装）
注：表面安装在FR4电路板t< = 5秒。
符号
T
L
R
θJA
极限
5
625
单位
S
o
C / W
TSM2N7002E
1-5
2004/12转。 B
电气特性
TJ = 25
o
C除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
漏源导通电阻
漏源导通电阻
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
通态漏电流
正向跨导
条件
符号
民
典型值
最大
单位
V
GS
= 0V时，我
D
=为10uA
V
GS
= 10V ，我
D
= 250毫安
V
GS
= 5V ，我
D
= 50毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
V
GS
= ± 20V, V
DS
= 0V
V
DS
≧
7V, V
GS
= 10V
V
DS
= 7V ，我
D
= 200毫安
BV
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
I
D（上）
g
fs
50
--
--
1.0
--
--
500
80
--
--
--
2.0
--
--
--
--
--
3
4
2.5
1.0
± 100
--
--
V
V
uA
nA
mA
mS
*动态
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
DD
= 30V,
I
D
= 100mA时V
根
= 10V,
R
G
= 10
T
D（上）
t
r
T
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
--
--
--
--
--
--
--
7.5
6
7.5
3
19
10
3
20
--
20
--
50
25
5
pF
nS
源极 - 漏极二极管
马克斯。二极管的正向电流
二极管的正向电压
I
S
= 115毫安，V
GS
= 0V
I
S
V
SD
--
--
--
0.76
115
1.5
mA
V
注：脉冲测试：脉冲宽度< = 300US ，占空比< = 2 ％
*通过设计保证，不受生产测试。
TSM2N7002E
2-5
2004/12转。 B
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