TSM2N7000
60V N沟道增强型MOSFET
引脚分配:
1.门
2.源
3.排水
V
DS
= 60V
I
D
= 200毫安
R
DS ( ON)
, V GS @ 10V , IDS @ 500毫安= 5.0Ω
概述
该TSM2N7000采用高密度,工艺技术制造。这些产品已被设计成
最大限度地减少通态电阻,同时提供坚固,可靠和快速的开关性能。它可以在大多数使用
应用程序需要高达200mA的DC ,并且可以提供脉冲电流高达500mA的电流。本产品是特别适合
于低电压,低电流的应用,如小的伺服电机控制,功率MOSFET的栅极驱动器,和其他
开关应用。
特点
高密度电池设计低导通电阻
电压控制小信号开关
坚固可靠
高饱和电流能力
提供TO- 92封装
订购信息
产品型号
TSM2N7000CT A3
TSM2N7000CT B0
填料
弹药包
散装
包
TO-92
框图
绝对最大额定值
( TA = 25
o
C除非另有说明)
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压连续---
---脉冲
连续漏电流
漏电流脉冲
最大功率耗散
TA = 25℃
TA > 25
o
C
工作结温
工作结存储温度范围
T
J
T
J
, T
英镑
o
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
P
D
极限
60
60
± 20
± 40
200
500
350
2.8
+150
- 55 + 150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
毫瓦/
o
C
o
o
C
C
热性能
参数
(从案例1/8“ )焊接温度
结到环境的热阻
符号
T
L
R
θJA
极限
10
357
单位
S
o
C / W
TSM2N7000
1-3
2003/12转。一
电气特性
TJ = 25
o
C除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
漏源导通电阻*
条件
V
GS
= 0V时,我
D
=为10uA
V
GS
= 10V ,我
D
= 500毫安
V
GS
= 5V ,我
D
= 50毫安
符号
民
60
--
--
--
0.8
--
--
60
典型值
--
--
7.5
--
--
--
--
--
最大
--
5.0
--
2.5
3.0
1.0
- 10
--
单位
V
BV
DSS
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
V
DS ( ON)
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
I
D(上)
漏源电压*
栅极阈值电压*
零栅极电压漏极电流
门体漏 - 前进
通态漏电流
V
GS
= 0V时,我
D
=为10uA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.0毫安
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V
V
GS
= 15V, V
DS
= 0V
V
DS
5V, V
GS
= 10V
V
V
uA
nA
mA
动态
导通上升时间*
关断下降时间*
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DD
= 15V ,R
L
= 30,
I
D
= 500毫安,
V
根
= 10V ,R
G
= 25
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
t
r
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
--
--
--
--
--
10
10
60
25
5
--
--
--
--
--
pF
nS
源极 - 漏极二极管
马克斯。二极管的正向电流
二极管的正向电压
I
S
=的200mA, V
GS
= 0V
I
S
V
SD
--
--
--
1.3
500
1.5
mA
V
*注:脉冲测试:脉冲宽度< = 300US ,占空比< = 2 %
TSM2N7000
2-3
2003/12转。一