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TSM2N7000

60V N沟道MOSFET

SOT-92

针脚定义：

1.门

2.源

3.排水

产品概述

V

DS

(V)

R

DS （ ON）

(Ω)

60

5 @ V

GS

= 10V

I

D

（MA ）

500

特点

●

●

开关速度快

低输入和输出泄漏

框图

应用

●

●

直接逻辑电平接口： TTL / CMOS

固态继电器

订购信息

产品型号

TSM2N7000CT B0

TSM2N7000CT A3

包

TO-92

TO-92

填料

1Kpcs /散装

2Kpcs /弹药

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

（ TA = 25

o

C除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

最大功率耗散

工作结温

工作结存储温度范围

A，B

o

o

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

I

S

P

D

T

J

T

J

, T

英镑

TA = 25℃

TA = 75℃

极限

60

±20

200

500

500

350

280

+150

-55到+150

单位

V

V

mA

mA

mA

mW

o

o

C

C

热性能

参数

（从案例1/8“ ）焊接温度

结到环境热阻（PCB安装）

注意事项：

一。脉冲宽度有限的最高结温

B 。表面安装在FR4板，T

≤

5秒。

符号

T

L

R

JA

极限

10

357

单位

S

o

C / W

1/4

版本： A07

TSM2N7000

60V N沟道MOSFET

电气规格

（ TA = 25

o

C，除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

动态

b

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 10A

V

DS

= V

GS

, I

D

= 1毫安

V

GS

= ±15V, V

DS

= 0V

V

DS

= 48V, V

GS

= 0V

V

GS

= 10V ，我

D

= 500毫安

V

GS

= 5V ，我

D

= 50毫安

V

DS

= 15V ，我

D

= 300毫安

I

S

=的200mA， V

GS

= 0V

符号

BV

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

R

DS （ ON）

g

fs

V

SD

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

r

t

f

民

60

0.8

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

典型值

--

--

--

--

--

7.5

320

1.3

60

25

5

10

10

最大

--

3.0

±10

1.0

5.0

--

--

1.5

--

--

--

--

单位

V

V

nA

A

Ω

mS

V

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关

c

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V,

F = 1.0MHz的

pF

开启上升时间

关断下降时间

V

DD

= 15V ，R

L

= 30Ω,

I

D

= 500毫安，

V

根

= 10V ，R

G

= 25Ω

nS

--

注意事项：

一。脉冲测试： PW

≤300S,

占空比

≤2%

B 。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。

B 。开关时间基本上是独立的工作温度。

2/4

版本： A07

TSM2N7000

60V N沟道MOSFET

TO- 92机械制图

暗淡

A

B

C

D

E

F

G

H

TO-92维

MILLIMETERS

英寸

民

最大

民

最大

4.30

4.70

0.169

0.185

4.30

4.70

0.169

0.185

14.30(typ)

0.563(typ)

0.43

0.49

0.017

0.019

2.19

2.81

0.086

0.111

3.30

3.70

0.130

0.146

2.42

2.66

0.095

0.105

0.37

0.43

0.015

0.017

3/4

版本： A07

TSM2N7000

60V N沟道MOSFET

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或不侵犯任何专利，版权或其他知识产权。

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版本： A07

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