TSM2N60S
600V N沟道功率MOSFET
SOT-223
针脚定义：
1.门
2.漏
3.源
产品概述
V
DS
(V)
600
R
DS （ ON）
(Ω)
5 @ V
GS
=10V
I
D
(A)
0.6
概述
该TSM2N60S使用了先进的终止方案，以提供增强的电压阻断能力不
降解性能随着时间的推移。此外，这种先进的MOSFET被设计成能承受高的能量在
雪崩和减刑模式。新的节能设计还提供了一个漏源二极管具有快速
恢复时间。设计用于高电压，在电源高速开关应用中，转换器和PWM
电机控制装置，这些装置特别适合井为电桥电路，其中二极管的速度和整流安全
经营范围是至关重要的，并提供了对突发电压瞬变和额外的安全裕度。
特点
●
●
●
●
强大的高压端子
较高的雪崩能量
二极管电桥电路的特点是使用
源极到漏极二极管的恢复时间堪比
离散的快速恢复二极管。
框图
订购信息
产品型号
TSM2N60SCW RP
包
SOT-223
填料
2.5Kpcs / 13 “卷轴
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
漏源电压斜率（V
DS
= 480V ，我
D
= 0.8A ，T
J
= 125 C)
最大总功率耗散@Ta = 25℃
工作结温
工作结存储温度范围
o
o
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
dv / dt的
P
Dtot
T
J
T
J
, T
英镑
极限
600
±30
0.6
1.5
1
50
2.5
+150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
V / ns的
W
C
C
热性能
参数
热阻 - 结到管壳
热阻 - 结到环境
注：表面安装在FR4板上吨
≤
10sec
SYMBOL
R
JC
R
JA
极限
15
55.8
单位
摄氏度/ W
摄氏度/ W
1/1
版本： A09
TSM2N60S
600V N沟道功率MOSFET
电气规格
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
漏源导通电阻
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
正向跨导
二极管的正向电压
动态
b
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=0.6A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
GS
=±30V, V
DS
=0V
V
DS
= 10V ，我
D
=0.2A
I
S
= 0.6A ，V
GS
=0V
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
民
600
--
2
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
3.6
--
--
--
0.8
0.85
13
2
6
435
56
9.2
12
21
30
24
最大
--
5
4
1
±100
--
1.15
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
单位
V
Ω
V
uA
nA
S
V
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
c
V
DS
= 400V ，我
D
=0.6A,
V
GS
= 10V
V
DS
=25V, V
GS
=0V,
F = 1.0MHz的
nC
pF
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
V
GS
= 10V ，我
D
=0.6A,
V
DD
= 300V ，R
G
=18Ω
t
r
t
D（关闭）
nS
关断下降时间
t
f
注意事项：
一。脉冲测试：脉冲宽度< = 300US ，占空比< = 2 ％
B 。仅供设计参考，未经生产测试。
。开关时间基本上是独立的工作温度。
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版本： A09
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