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TSM2N60
600V N沟道功率MOSFET
TO-220
TO-251
（ IPAK ）
TO-252
（ DPAK ）
针脚定义：
1.门
2.漏
3.源
产品概述
V
DS
(V)
600
R
DS （ ON）
( )
5 @ V
GS
=10V
I
D
(A)
1
概述
该TSM2N60使用了先进的终止方案，以提供增强的电压阻断能力不
降解性能随着时间的推移。此外，这种先进的MOSFET被设计成能承受高的能量在
雪崩和减刑模式。新的节能设计还提供了一个漏源二极管用
快速恢复时间。专为高电压，电源供应器高速开关应用中，转换器
和PWM马达控制，这些设备特别适合井为电桥电路，其中二极管的速度和
换向安全工作区域是至关重要的，并提供了对突发电压的额外安全保证金
瞬变。
特点
●
●
●
●
强大的高压端子
较高的雪崩能量
二极管电桥电路的特点是使用
源极到漏极二极管的恢复时间堪比
离散的快速恢复二极管。
框图
订购信息
产品型号
TSM2N60CP RO
TSM2N60CH C5
TSM2N60CZ C0
包
TO-252
TO-251
TO-220
填料
2.5Kpcs / 13 “卷轴
75PCS /管
50PCS /管
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
A，B
连续源电流（二极管传导）
单脉冲漏极至源极雪崩能量
(V
DD
= 100V, V
GS
= 10V ，我
AS
= 2A ，L = 10MH ，R
G
=25 )
TO- 251 / TO- 252
o
最大功率耗散@ TC = 25℃
TO-220
工作结温
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
EAS
P
Dtot
T
J
T
J
, T
英镑
极限
600
±30
2
9
1
20
70
70
+150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
o
C
o
C
1/8
版本： E11
TSM2N60
600V N沟道功率MOSFET
热性能
参数
热阻 - 结到管壳
热阻 - 结到环境
TO- 251 / TO- 252
TO-220
TO- 251 / TO- 252
符号
R
JC
R
JA
极限
2.87
2.32
110
62.5
单位
o
C / W
C / W
o
TO-220
注：表面安装在FR4板上吨
≤
10sec
电气规格
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
漏源导通电阻
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
正向跨导
二极管的正向电压
动态
b
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
V
GS
= 10V ，我
D
= 1A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= 40V ，我
D
= 1A
I
S
= 2A ，V
GS
= 0V
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
民
600
--
2.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
4.4
--
--
--
5
--
13
2
6
435
56
9.2
12
21
30
24
最大
--
5
4.0
10
± 100
--
1.6
22
--
--
--
--
--
--
--
--
--
单位
V
V
uA
nA
S
V
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
c
V
DS
= 400V ，我
D
= 2A,
V
GS
= 10V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
nC
pF
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
V
GS
= 10V ，我
D
= 2A,
V
DD
= 300V ，R
G
= 18
t
r
t
D（关闭）
nS
关断下降时间
t
f
注意事项：
一。脉冲测试：脉冲宽度< = 300US ，占空比< = 2 ％
B 。仅供设计参考，未经生产测试。
。开关时间基本上是独立的工作温度。
2/8
版本： E11
TSM2N60
600V N沟道功率MOSFET
电气特性曲线
（ TA = 25
o
C，除非另有说明）
输出特性
传输特性
导通电阻与漏电流
栅极电荷
导通电阻与结温
源极 - 漏极二极管正向电压
3/8
版本： E11
TSM2N60
600V N沟道功率MOSFET
电气特性曲线
（ TA = 25
o
C，除非另有说明）
导通电阻与栅源电压
阈值电压
最大安全工作区
归瞬态热阻抗，结到环境
4/8
版本： E11
TSM2N60
600V N沟道功率MOSFET
TO- 220机械制图
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
的TO-220维
MILLIMETERS
英寸
民
最大
民
最大
10.000
10.500
0.394
0.413
3.740
3.910
0.147
0.154
2.440
2.940
0.096
0.116
-
6.350
-
0.250
0.381
1.106
0.015
0.040
2.345
2.715
0.092
0.058
4.690
5.430
0.092
0.107
12.700
14.732
0.500
0.581
14.224
16.510
0.560
0.650
3.556
4.826
0.140
0.190
0.508
1.397
0.020
0.055
27.700
29.620
1.060
1.230
2.032
2.921
0.080
0.115
0.255
0.610
0.010
0.024
5.842
6.858
0.230
0.270
标记图
Y
=年份代码
M
=月守则
（ A =一月，
B =月， C =月， D = APL， E =月， F =君，G =月， H =月，
I =月， J =月， K =月， L =月）
L
- 批次编号
5/8
版本： E11
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TA1226N
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TLV320AIC3111
TPD1038F
TVW10J27R
TZA3019BV
供货商
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