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TSM2N60
600V N沟道功率MOSFET
TO-220
TO-251
（ IPAK ）
TO-252
（ DPAK ）
针脚定义：
1.门
2.漏
3.源
产品概述
V
DS
(V)
600
R
DS （ ON）
(Ω)
4.4 @ V
GS
=10V
I
D
(A)
1
概述
该TSM2N60使用了先进的终止方案，以提供增强的电压阻断能力不
降解性能随着时间的推移。此外，这种先进的MOSFET被设计成能承受高的能量在
雪崩和减刑模式。新的节能设计还提供了一个漏源二极管具有快速
恢复时间。设计用于高电压，在电源高速开关应用中，转换器和PWM
电机控制装置，这些装置特别适合井为电桥电路，其中二极管的速度和整流安全
经营范围是至关重要的，并提供了对突发电压瞬变和额外的安全裕度。
特点
●
●
●
●
强大的高压端子
较高的雪崩能量
二极管电桥电路的特点是使用
源极到漏极二极管的恢复时间堪比
离散的快速恢复二极管。
框图
订购信息
产品型号
TSM2N60CP RO
TSM2N60CH C5
TSM2N60CZ C0
包
TO-252
TO-251
TO-220
填料
2.5Kpcs / 13 “卷轴
80PCS /管
50PCS /管
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
A，B
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
EAS
P
D
T
J
T
J
, T
英镑
极限
600
±30
2
9
1
20
2.5
54
+150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
o
o
单脉冲漏极至源极雪崩能量
(V
DD
= 100V, V
GS
= 10V ，我
AS
= 2A ，L = 10MH ，R
G
=25Ω)
最大功率耗散@Ta = 25℃
工作结温
工作结存储温度范围
o
TO- 251 / TO- 252
TO-220
C
C
1/8
版本： A07
TSM2N60
600V N沟道功率MOSFET
热性能
参数
TO- 251 / TO- 252
TO-220
TO- 251 / TO- 252
热阻 - 结到环境
TO-220
注：表面安装在FR4板上吨
≤
10sec
热阻 - 结到管壳
符号
R
JC
R
JA
极限
2.87
2.32
110
62.5
单位
o
C / W
C / W
o
电气规格
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
条件
符号
民
600
--
2.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
--
--
--
--
5
--
13
2
6
435
56
9.2
12
21
30
24
最大
--
4.4
4.0
10
± 100
--
1.6
22
--
--
--
--
--
--
--
--
--
单位
V
Ω
V
uA
nA
S
V
STATIC
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
BV
DSS
漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= 1A
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS （ TH）
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
I
DSS
门体漏
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
I
GSS
正向跨导
V
DS
= 40V ，我
D
= 1A
g
fs
二极管的正向电压
I
S
= 2A ，V
GS
= 0V
V
SD
b
动态
总栅极电荷
Q
g
V
DS
= 400V ，我
D
= 2A,
栅极 - 源电荷
Q
gs
V
GS
= 10V
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
输入电容
C
国际空间站
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
输出电容
C
OSS
F = 1.0MHz的
反向传输电容
C
RSS
c
开关
导通延迟时间
t
D（上）
V
GS
= 10V ，我
D
= 2A,
开启上升时间
t
r
V
DD
= 300V ，R
G
= 18Ω
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
f
注意事项：
一。脉冲测试：脉冲宽度< = 300US ，占空比< = 2 ％
B 。仅供设计参考，未经生产测试。
。开关时间基本上是独立的工作温度。
nC
pF
nS
2/8
版本： A07
TSM2N60
600V N沟道功率MOSFET
电气特性曲线
（ TA = 25
o
C，除非另有说明）
输出特性
传输特性
导通电阻与漏电流
栅极电荷
导通电阻与结温
源极 - 漏极二极管正向电压
3/8
版本： A07
TSM2N60
600V N沟道功率MOSFET
电气特性曲线
（ TA = 25
o
C，除非另有说明）
导通电阻与栅源电压
阈值电压
最大安全工作区
归瞬态热阻抗，结到环境
4/8
版本： A07
TSM2N60
600V N沟道功率MOSFET
SOT- 252机械制图
暗淡
A
A1
B
C
D
E
F
G
G1
G2
H
I
J
K
L
M
TO- 252外形尺寸
MILLIMETERS
英寸
民
最大
民
最大
2.3BSC
0.09BSC
4.6BSC
0.18BSC
6.80
7.20
0.268
0.283
5.40
5.60
0.213
0.220
6.40
6.65
0.252
0.262
2.20
2.40
0.087
0.094
0.00
0.20
0.000
0.008
5.20
5.40
0.205
0.213
0.75
0.85
0.030
0.033
0.55
0.65
0.022
0.026
0.35
0.65
0.014
0.026
0.90
1.50
0.035
0.059
2.20
2.80
0.087
0.110
0.50
1.10
0.020
0.043
0.90
1.50
0.035
0.059
1.30
1.70
0.051
0.67
标记图
Y
=年份代码
M
=月守则
（ A =一月，
B =月， C =月， D = APL， E =月， F =君，G =月， H =月，
I =月， J =月， K =月， L =月）
L
- 批次编号
5/8
版本： A07
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THS4042CDGNG4
TS80C31X2-VCAR
TS120PTR
TSM103AIDT
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    TSM2N60
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    -
    -
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地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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TO-252
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
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TSM2N60
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