TSM2832
20V N沟道增强型MOSFET
V
DS
= 20V
R
DS ( ON)
, V GS @ 4.5V , IDS @ 3.6A =的60mΩ
R
DS ( ON)
, V GS @ 2.5V , IDS @ 3.1A = 90mΩ
引脚分配:
1.门
2.漏
3.源
特点
先进的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
优异的热性能和电气性能
2.5V工作电压
框图
订购信息
产品型号
TSM2832CY
填料
磁带&卷轴
每卷1kpcs
包
SOT-89
绝对最大额定值
( TA = 25 ℃
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
最大功率耗散
除非另有说明)
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
TA = 25
o
C
TA = 75
o
C
P
D
极限
20V
±8
3.6
10
1.5
1.0
单位
V
V
A
A
W
工作结温
工作结存储温度范围
T
J
T
J
, T
英镑
+150
- 55 + 150
o
o
C
C
热性能
参数
(从案例1/8“ )焊接温度
结到环境热阻(PCB安装)
注:表面安装在FR4电路板t< = 5秒。
符号
T
L
R
θJA
极限
5
65
单位
S
o
C / W
TSM2832
1-1
2003/12转。一
电气特性
我率
D
= 2.4A , ( TA = 25
o
C除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
漏源导通电阻
漏源导通电阻
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
通态漏电流
正向跨导
条件
符号
民
典型值
最大
单位
V
GS
= 0V时,我
D
= 250uA
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 3.6A
V
GS
= 2.5V ,我
D
= 3.1A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
GS
= ± 8V, V
DS
= 0V
V
DS
≧
5V, V
GS
= 4.5V
V
DS
= 5V ,我
D
= 3.6A
BV
DSS
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
I
D(上)
g
fs
20
--
--
0.45
--
--
6
--
--
50
75
--
--
--
--
10
--
60
90
--
1.0
± 100
--
--
V
m
V
uA
nA
A
S
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
DD
= 10V ,R
L
= 10,
I
D
= 1A ,V
根
= 4.5V,
R
G
= 6
V
DS
= 10V ,我
D
= 3.6A,
V
GS
= 4.5V
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
5.2
0.65
1.5
7
55
16
10
450
70
43
10
--
--
15
80
60
25
--
--
--
pF
nS
nC
源极 - 漏极二极管
马克斯。二极管的正向电流
二极管的正向电压
I
S
= 1.0A ,V
GS
= 0V
注:脉冲测试:脉冲宽度< = 300US ,占空比< = 2 %
I
S
V
SD
--
--
--
0.75
1.6
1.2
A
V
TSM2832
2-2
2003/12转。一