添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第1011页 > TSM25N03CPRO
TSM25N03
25V N沟道MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(mΩ)
25
14 @ V
GS
= 10V
19 @ V
GS
= 4.5V
TO-252
针脚定义：
1.门
2.漏
3.源
I
D
(A)
25
25
特点
●
●
高级的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
框图
应用
●
●
负荷开关
DC-DC转换器和电机驱动器
订购信息
产品型号
TSM25N03CP RO
包
TO-252
填料
2.5Kpcs / 13 “卷轴
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@4.5V.
漏电流脉冲，V
GS
@4.5V
连续源电流（二极管传导）
A，B
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
EAS
o
o
极限
25
±20
25
100
20
45
60
23
+150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
o
o
单脉冲漏极至源极雪崩能量
(V
DD
= 100V, V
GS
= 10V ，我
AS
= 2A ，L = 10MH ，R
G
=25Ω)
最大功率耗散
工作结温
工作结存储温度范围
TA = 25℃
TA = 70℃
P
D
T
J
T
J
, T
英镑
C
C
热性能
参数
（从案例1/8“ ）焊接温度
结到外壳热阻
结到环境热阻（PCB安装）
注意事项：
一。最大直流电流受限于包
B 。表面装在1 “×1” FR4板，T
≤
10秒。
符号
T
L
R
JC
R
JA
极限
10
1.8
40
单位
S
o
o
C / W
C / W
1/6
版本： A07
TSM25N03
25V N沟道MOSFET
电气规格
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
b
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
V
DS
≥5V,
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 25A
V
GS
= 10V ，我
D
= 25A
V
DS
= 15V ，我
D
= 15A
I
S
= 20A ，V
GS
= 0V
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
民
25
1.0
--
--
25
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
1.9
--
--
--
14.5
9.5
12
0.87
14.7
2.5
3
921
208.7
108.2
20.2
5.9
49.5
16.7
最大
--
3.0
±100
1.0
--
19
14
--
1.5
26
--
--
--
--
--
--
--
--
--
单位
V
V
nA
uA
A
mΩ
S
V
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
c
V
DS
= 15V ，我
D
= 25A,
V
GS
= 10V
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
nC
pF
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
V
DD
= 15V ，R
L
= 15Ω,
I
D
= 1A ，V
根
= 10V,
R
G
= 16Ω
nS
关断下降时间
t
f
注意事项：
一。脉冲测试： PW
≤300S,
占空比
≤2%
B 。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
B 。开关时间基本上是独立的工作温度。
2/6
版本： A07
TSM25N03
25V N沟道MOSFET
电气特性曲线
（ TA = 25
o
C，除非另有说明）
输出特性
传输特性
导通电阻与漏电流
栅极电荷
导通电阻与结温
源极 - 漏极二极管正向电压
3/6
版本： A07
TSM25N03
25V N沟道MOSFET
电气特性曲线
（ TA = 25
o
C，除非另有说明）
导通电阻与栅源电压
阈值电压
最大安全工作区
归瞬态热阻抗，结到环境
4/6
版本： A07
TSM25N03
25V N沟道MOSFET
SOT- 252机械制图
TO- 252外形尺寸
暗淡
A
A1
B
C
D
E
F
G
G1
G2
H
I
J
K
L
M
MILLIMETERS
民
最大
2.3BSC
4.6BSC
6.80
5.40
6.40
2.20
0.00
5.20
0.75
0.55
0.35
0.90
2.20
0.50
0.90
1.30
7.20
5.60
6.65
2.40
0.20
5.40
0.85
0.65
0.65
1.50
2.80
1.10
1.50
1.70
英寸
民
最大
0.09BSC
0.18BSC
0.268
0.213
0.252
0.087
0.000
0.205
0.030
0.022
0.014
0.035
0.087
0.020
0.035
0.051
0.283
0.220
0.262
0.094
0.008
0.213
0.033
0.026
0.026
0.059
0.110
0.043
0.059
0.67
标记图
Y
=年份代码
M
=月守则
（ A =一月，
B =月， C =月， D = APL， E =月， F =君，G =月， H =月，
I =月， J =月， K =月， L =月）
L
- 批次编号
5/6
版本： A07
查看更多TSM25N03CPROPDF信息
推荐型号
TL431ZCLF
TS271BMDT
T25013S
TEN40-2413WI
TFBS4650
TLC0820ACFN
TMS0320F2810PBKAEP
TL431ACUS
TAJV104M016R
TQ9203
TLV2404INE4
TOCP200X
TC1401
TPS79613DRBT
TSC80C51CXXX-L20IE
TCFGB0J156M
TMS320F28034RSHT
TLC32044E
TEW5110-1
TD62705P
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TSM25N03CPRO
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市向鸿伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ：1298863740 复制

电话：0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人：李
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
TSM25N03CPRO
TSC
2406+
30000
SOT-252
原装现货!量大可订！特价支持实单！
深圳市恒佳微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：864187665 复制 点击这里给我发消息 QQ：1807086236 复制
电话：0755-82710336 82533156年度优秀供应商
联系人：何
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区501栋1109-1110室
TSM25N03CPRO
TSC/台湾半导体
24+
66000
SOT-252
十五年专营 金牌供应商
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
TSM25N03CPRO
TSC/台湾半导体
21+
35000
SOT-252
全新原装正品/质量有保证
深圳市晶美隆科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885393495 复制

电话：0755-82865294/82517859
联系人：吴小姐
地址：深圳市福田区深南中路电子科技大厦A座36楼C09室
TSM25N03CPRO
TSC/台半
24+
95000
SOT-252
假一罚十，原装进口正品现货供应，只做原装
查询更多TSM25N03CPRO供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！