【TSM230860V N沟道MOSFETSOT-23针脚定义：1.门2.源3.排水产品概述VDS(V】,IC型号TSM2308CXRFG,TSM2308CXRFG PDF资料,TSM2308CXRFG经销商,ic,电子元器件-51电子网

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TSM2308

60V N沟道MOSFET

SOT-23

针脚定义：

1.门

2.源

3.排水

产品概述

V

DS

(V)

R

DS （ ON）

(m )

156 @ V

GS

= 10V

60

192 @ V

GS

= 4.5V

I

D

(A)

3

2.1

特点

●

●

高级的加工技术

对于超低导通电阻高密度电池设计

框图

应用

●

●

DC-DC电源系统

负荷开关

订购信息

产品型号

TSM2308CX RFG

包

SOT-23

填料

3Kpcs / 7 “卷轴

N沟道MOSFET

注意：

“G ”表示无卤素产品。

绝对最大额定值

(T

A

=25

o

C除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

最大功率耗散

工作结温

工作结存储温度范围

A，B

o

o

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

I

S

P

D

T

J

T

J

, T

英镑

T

A

=25 C

T

A

=75 C

极限

60

±20

3

6

3

1.25

单位

V

V

A

A

A

W

0.8

+150

-55到+150

o

o

C

C

热性能

参数

结到外壳热阻

结到环境热阻（PCB安装）

注意事项：

一。脉冲宽度有限的最高结温

2

B 。表面在2盎司铜，吨的垫安装在一个1

≤

5秒。

符号

R

JC

R

JA

极限

80

150

单位

o

o

C / W

C / W

1/6

版本： A11

TSM2308

60V N沟道MOSFET

电气规格

（ TA = 25

o

C除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

漏源导通电阻

二极管的正向电压

b

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关

B.C

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

GS

= ±20V, V

DS

= 0V

V

DS

= 48V, V

GS

= 0V

V

GS

= 10V ，我

D

= 3A

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 2A

I

S

= 1A ，V

GS

= 0V

符号

BV

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

R

DS （ ON）

V

SD

Q

g

Q

gs

Q

gd

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

民

60

1.2

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

典型值

--

--

--

--

130

160

--

3.99

1.31

1.78

511

38

25

5.3

17.5

14.2

2.4

最大

--

2.5

±100

1.0

156

192

-1.2

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

单位

V

V

nA

A

m

V

V

DS

= 48V ，我

D

= 3A,

V

GS

= 4.5V

V

DS

= 15V, V

GS

= 0V,

F = 1.0MHz的

nC

pF

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

V

DD

= 30V ，我

D

= 3A ，V

根

= 10V ，R

G

= 3.3

t

r

t

D（关闭）

nS

关断下降时间

t

f

注意事项：

一。脉冲测试： PW

≤300S,

占空比

≤2%

B 。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。

。开关时间基本上是独立的工作温度。

2/6

版本： A11

TSM2308

60V N沟道MOSFET

电气特性曲线

（ TA = 25

o

C，除非另有说明）

输出特性

传输特性

导通电阻与漏电流

栅极电荷

导通电阻与结温

源极 - 漏极二极管正向电压

3/6

版本： A11

TSM2308

60V N沟道MOSFET

电气特性曲线

（ TA = 25

o

C，除非另有说明）

导通电阻与栅源电压

阈值电压

电容

归瞬态热阻抗，结到环境

4/6

版本： A11

TSM2308

60V N沟道MOSFET

SOT- 23机械制图

暗淡

A

A1

B

C

D

E

F

G

H

I

J

SOT- 23外形尺寸

MILLIMETERS

英寸

民

最大

民

马克斯。

0.95 BSC

0.037 BSC

1.9 BSC

0.074 BSC

2.25

2.55

0.089

0.100

1.20

1.40

0.047

0.055

2.80

3.00

0.110

0.118

0.90

1.15

0.035

0.045

0.00

0.10

0.000

0.004

0.30

0.50

0.012

0.020

0.08

0.15

0.003

0.006

0.30

0.50

0.012

0.020

5

10

5

10

标记图

08

=器件代码

Y

=年份代码

M

=月守则无卤产品

（O =月，

P =月， Q =月， R = APL， S =日， T =俊， U =月，V =月，

W =月， X =月， Y =月， Z =月）

L

- 批次编号

5/6

版本： A11

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