TSM2301
20V P沟道增强型MOSFET
引脚分配：
1.门
2.源
3.排水
V
DS
= - 20V
R
DS （ ON）
， V GS @ - 4.5V ， IDS @ - 2.8A = 130mΩ
R
DS （ ON）
， V GS @ - 2.5V ， IDS @ - 2.0A = 190mΩ
特点
先进的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
优异的热性能和电气性能
紧凑，薄型SOT- 23封装
框图
订购信息
产品型号
TSM2301CX
填料
磁带&卷轴
包
SOT-23
绝对最大额定值
（ TA = 25
o
C
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
最大功率耗散
TA = 25
o
C
TA = 75
o
C
工作结温
工作结存储温度范围
T
J
T
J
, T
英镑
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
极限
- 20V
±8
- 2.3
- 10
1.25
0.8
+150
- 55 + 150
单位
V
V
A
A
W
o
o
C
C
热性能
参数
（从案例1/8“ ）焊接温度
结到环境热阻（PCB安装）
注：表面安装在FR4电路板t< = 5秒。
符号
T
L
R
θJA
极限
5
100
单位
S
o
C / W
TSM2301
1-1
2003/12转。
电气特性
TA = 25
o
C，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
漏源导通电阻
漏源导通电阻
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
通态漏电流
正向跨导
条件
符号
民
典型值
最大
单位
V
GS
= 0V时，我
D
= - 250uA
V
GS
= - 4.5V ，我
D
= -2.8A
V
GS
= - 2.5V ，我
D
= -2.0A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250uA
V
DS
= - 16V, V
GS
= 0V
V
GS
= ± 8V, V
DS
= 0V
V
DS
≧-
10V, V
GS
= -5V
V
DS
= - 5V ，我
D
= - 2.8A
BV
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
I
D（上）
g
fs
- 20
--
--
- 0.45
--
--
-6
--
--
95
122
--
--
--
--
6.5
--
130
190
--
- 1.0
± 100
--
--
V
m
V
uA
nA
A
S
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
马克斯。二极管的正向电流
二极管的正向电压
I
S
= - 1.6A ，V
GS
= 0V
I
S
V
SD
--
--
--
- 0.8
- 1.6
- 1.2
A
V
V
DS
= - 6V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
DD
= - 6V ，R
L
= 6,
I
D
= - 1A ，V
根
= - 4.5V,
R
G
= 6
V
DS
= - 6V ，我
D
= - 2.8A,
V
GS
= - 4.5V
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
5.4
0.8
1.1
5
19
95
65
447
127
80
10
--
--
25
60
110
80
--
--
--
pF
nS
nC
注：脉冲测试：脉冲宽度< = 300US ，占空比< = 2 ％
TSM2301
2-2
2003/12转。
TSM2301
20V P沟道MOSFET
电气规格
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
a
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250uA
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
V
GS
= ±8V, V
DS
= 0V
V
DS
= -9.6V, V
GS
= 0V
V
DS
= -10V, V
GS
= -5V
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -2.8A
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -2.0A
V
DS
= -5V ，我
D
= -4A
I
S
= -0.75A ，V
GS
= 0V
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
民
-20
-0.45
--
--
-6
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
--
--
--
--
85
122
6.5
- 0.8
5.4
0.8
1.1
447
127
80
5
19
95
65
最大
--
-0.95
±100
-1.0
--
130
190
--
-1.2
10
--
--
--
--
--
25
60
110
80
单位
V
V
nA
A
A
mΩ
S
V
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
b
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
c
V
DS
= -6V ，我
D
= -2.8A,
V
GS
= -4.5V
V
DS
= -6V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
nC
pF
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
V
DD
= -6V ，R
L
= 6Ω,
I
D
= -1A ，V
根
= -4.5V,
R
G
= 6Ω
nS
关断下降时间
t
f
注意事项：
一。脉冲测试： PW = 300μS ，占空比= 2 ％
B 。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
B 。开关时间基本上是独立的工作温度。
2/6
版本： A07
TSM2301
20V P沟道MOSFET
SOT- 23机械制图
暗淡
A
A1
B
C
D
E
F
G
H
I
J
SOT- 23外形尺寸
MILLIMETERS
英寸
民
最大
民
马克斯。
0.95 BSC
0.037 BSC
1.9 BSC
0.074 BSC
2.60
3.00
0.102
0.118
1.40
1.70
0.055
0.067
2.80
3.10
0.110
0.122
1.00
1.30
0.039
0.051
0.00
0.10
0.000
0.004
0.35
0.50
0.014
0.020
0.10
0.20
0.004
0.008
0.30
0.60
0.012
0.024
5
10
5
10
标记图
01
=器件代码
Y
=年份代码
M
=月守则
（ A =一月，
B =月， C =月， D = APL， E =月， F =君，G =月， H =月，
I =月， J =月， K =月， L =月）
L
- 批次编号
5/6
版本： A07
TSM2301
-20V P沟道增强型MOSFET
引脚分配：
1.门
2.源
3.排水
V
DS
= -20V
R
DS （ ON）
， V GS @ -4.5V ， IDS @ -2.8A = 130mΩ
R
DS （ ON）
， V GS @ -2.5V ， IDS @ -2.0A = 190mΩ
特点
先进的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
优异的热性能和电气性能
紧凑，薄型SOT- 23封装
框图
订购信息
产品型号
TSM2301CX
填料
磁带&卷轴
包
SOT-23
绝对最大额定值
（ TA = 25
o
C
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
最大功率耗散
TA = 25℃
TA = 75℃
工作结温
工作结存储温度范围
o
o
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
T
J
, T
英镑
极限
-20V
±8
-2.3
-10
1.25
0.8
+150
- 55 + 150
单位
V
V
A
A
W
o
o
C
C
热性能
参数
（从案例1/8“ ）焊接温度
结到环境热阻（PCB安装）
注：表面安装在FR4电路板t< = 5秒。
符号
T
L
R
θJA
极限
5
100
单位
S
o
C / W
TSM2301
1-6
2003/12转。
电气特性
TA = 25 ℃，除非另有说明
o
参数
STATIC
漏源击穿电压
漏源导通电阻
漏源导通电阻
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
通态漏电流
正向跨导
条件
符号
民
典型值
最大
单位
V
GS
= 0V时，我
D
= - 250uA
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -2.8A
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -2.0A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250uA
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±8V, V
DS
= 0V
V
DS
≧-10V,
V
GS
= -5V
V
DS
= - 5V ，我
D
= - 4A
BV
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
I
D（上）
g
fs
-20
--
--
-0.45
--
--
-6
--
--
95
122
--
--
--
--
6.5
--
130
190
--
-1.0
±100
--
--
V
mΩ
V
uA
nA
A
S
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
马克斯。二极管的正向电流
二极管的正向电压
I
S
= - 1.6A ，V
GS
= 0V
I
S
V
SD
--
--
--
- 0.8
-2.4
-1.2
A
V
V
DS
= -6V ，我
D
= -2.8A,
V
GS
= -4.5V
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
5.4
0.8
1.1
5
19
95
65
447
127
80
10
--
--
25
60
110
80
--
--
--
pF
nS
nC
V
DD
= -6V ，R
L
= 6Ω,
I
D
= -1A ，V
根
= -4.5V,
R
G
= 6Ω
V
DS
= -6V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
注：脉冲测试：脉冲宽度< = 300US ，占空比< = 2 ％
TSM2301
2-6
2003/12转。
标记指示
P / N ： TSM2301CX
封装形式：SOT -23
* 01 =产品代码为TSM2301
* YQL =日期代码
Y =年代码
Q =区码（ Q1 = A ， Q2 = B ， Q3 = C ， Q4 = D）
L =批号
TSM2301
5-6
2003/12转。
QQ：2881677436 复制
