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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第138页 > TSM221
TSM221
双CMOS轨至轨运算放大器
和双CMOS比较器
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
单电源供电
2.7V至16V
低电源电流： 500μA （V
CC
= 5V)
LATCH - 免疫力
运算放大器
轨至轨输入和输出
极低的输入偏置电流：
1pA的典型。
1MHz的典型增益带宽积
指明的600Ω的输出负载
比较
推挽输出（无外部上拉电阻
需要TOR）
极低的输入偏置电流：
1pA的典型。
极低的输入失调
当前位置： 1pA的典型值。
输入共模电压范围IN-
CLUDES地面
高输入阻抗： 10
12
典型值。
快速响应时间： 2μs的TYP 。 FOR为5mV
OVERDRIVE
SPICE
宏
包含在此
规范
N
DIP14
（塑料包装）
D
SO14
（塑料Micropackage ）
订购代码
产品型号
TSM221I
温度范围
-40, +125
o
C
包
N
D
引脚连接
（ TOP VIEW ）
输出1 1
英伟rting INP UT 1 2
非英伟rting INP UT 1 3
V
CC
+
4
14
输出4
英伟rting INP UT 4
非英伟rting INP UT 4
V
CC
-
非英伟rting INP UT 3
英伟rting INP UT 3
输出3
-
+
Op-amp1
OP-一个MP2
-
+
13
12
11
描述
该TSM221是一个节省空间的单片IC哪些
包括一个双轨至轨运算放大器和一个微
双电源比较器，采用CMOS工艺。
该混合电路是一个generalpurpose analogblock
电信和工业应用，提供了一个
集成的高性能解决方案。
1997年12月
非中已经rting INP UT 2
英伟rting INP UT 2
输出2
5
6
7
+
+
omp1
Comp2
10
9
8
-
-
1/11
TSM221
绝对最大额定值
（运算放大器）
符号
V
CC
V
id
V
i
I
in
I
o
T
OPER
T
英镑
电源电压 - （注1 ）
差分输入电压 - （注2 ）
输入电压 - （注3）
电流输入（运算放大器）
电流输出（运算放大器）
工作自由空气的温度范围
储存温度
参数
价值
18
±18
-0.3至18
±50
±130
-40到+125
-65到+125
单位
V
V
V
mA
mA
o
o
C
C
绝对最大额定值
（比较仪）
符号
V
CC
V
id
V
i
V
O
I
o
T
OPER
T
英镑
注意事项：
1.
2.
3.
4.
参数
电源电压 - （注1 ）
差分输入电压 - （注2 ）
输入电压 - （注4 ）
输出电压
输出电流（比较）
工作自由空气的温度范围
储存温度
价值
18
±18
-0.3至18
18
20
-40到+125
-65到+125
单位
V
V
V
V
mA
o
o
C
C
所有电压值，除了差分电压是相对于网络的接地端子。
差动电压的非反相输入端子相对于反相输入端。
输入和输出电压不得超过幅度（V
CC+
) +0.3V.
的输入和输出电压的幅值不得超过正电源电压的幅度。
工作条件
符号
V
CC
V
ICM
V
ICM
电源电压
共模输入电压范围（运算放大器）
共模输入电压范围（比较）
参数
价值
2.7 16
V
dd
-0.2到V
CC
+0.2
0到V
CC
-1.5
+
单位
V
V
V
2/11
TSM221
运算放大器
电气特性
V
CC+
= 5V, V
CC-
= 0V ，R
L
,C
L
连接到V
CC
/2, T
AMB
= 25
o
C（除非另有说明）
符号
V
io
DV
io
I
io
I
ib
A
vd
I
CC
CMR
SVR
V
OH
参数
输入失调电压
输入失调电压漂移
输入失调电流 - （注1 ）
输入偏置电流 - （注1 ）
大信号电压增益
总供应电流 - （注2 ）
共模抑制比
电源电压抑制比
高电平输出电压
R1连接到V
CC/2
低电平输出电压
R1连接到V
CC/2
输出短路电流
输出灌电流
增益带宽积
压摆率
相位裕度
等效输入噪声电压
声道分离
R
s
= 100Ω ， F = 1kHz时
F = 1kHz时
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
R
L
= 10kΩ的，V
O
= 1.5V至3.5V
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
空载
V
ic
= 1.5 3.5V ，V
o
= 2.5V
V
CC+
= 3V至5V ，V
O
= V
CC
/2
R
L
= 10k
R
L
= 600
R
L
= 100
R
L
= 10k
R
L
= 600
R
L
= 100
V
o
= V
CC
V
o
= V
CC
-
+
测试条件
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
分钟。
典型值。
马克斯。
10
12
单位
mV
V/
o
C
5
1
1
10
7
60
55
4.90
4.25
50
500
85
80
4.95
4.55
3.7
40
350
1400
45
45
65
65
1
100
500
800
100
200
150
300
pA
pA
V / MV
A
dB
dB
V
V
OL
mV
I
o
I
SINK
英镑
SR
m
e
n
C
s
mA
mA
兆赫
V / μs的
A
VCL
= 100, R
L
= 10k,
C
L
= 100pF的， F = 100kHz的
A
VCL
= 1, R
L
= 10k,
C
L
= 100pF电容，V
i
= 1V至4V
0.7
30
30
120
度
nV
Hz
√
dB
注1 ：
最大值，包括工业性试验不可避免的误差。
注2 ：
运算放大器和比较器
3/11
TSM221
运算放大器
电气特性
V
CC+
= 3V, V
CC-
= 0V ，R
L
,C
L
连接到V
CC
/2, T
AMB
= 25
o
C（除非另有说明）
符号
V
io
DV
io
I
io
I
ib
A
vd
I
CC
CMR
SVR
V
OH
参数
输入失调电压
输入失调电压漂移
输入失调电流 - （注1 ）
输入偏置电流 - （注1 ）
大信号电压增益
总供应电流 - （注2 ）
共模抑制比
电源电压抑制比
高电平输出电压
R1连接到V
CC/2
低电平输出电压
R1连接到V
CC/2
输出短路电流
输出灌电流
增益带宽积
压摆率
相位裕度
等效输入噪声电压
声道分离
R
s
= 100Ω ， F = 1kHz时
F = 1kHz时
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
R
L
= 10kΩ的，V
O
= 1.5V至3.5V
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
空载
V
ic
= 0 3V ，V
o
= 1.5V
+
V
CC
测试条件
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
分钟。
典型值。
马克斯。
10
12
单位
mV
V/
o
C
5
1
1
3
2
10
415
70
50
2.90
2.30
80
2.96
2.60
2
30
300
900
20
20
40
40
0.8
70
400
600
100
200
150
300
pA
pA
V / MV
A
dB
dB
V
= 2.7V至3.3V ，V
O
= V
CC
/2
R
L
= 10k
R
L
= 600
R
L
= 100
R
L
= 10k
R
L
= 600
R
L
= 100
V
o
= V
CC-
V
o
= V
CC
+
V
OL
mV
I
o
I
SINK
英镑
SR
m
e
n
C
s
mA
mA
兆赫
V / μs的
A
VCL
= 100, R
L
= 10k,
C
L
= 100pF的， F = 100kHz的
A
VCL
= 1, R
L
= 10k,
C
L
= 100pF电容，V
i
= 1.3V至1.7V
0.3
30
30
120
度
nV
Hz
√
dB
注1 ：
最大值，包括工业性试验不可避免的误差。
注2 ：
运算放大器和比较器
4/11
TSM221
宏模型运算放大器（V
CC
= 3V)
适用于： TSM221
**标准线性IC宏模型， 1993年。
**连接：
* 1反相输入端
* 2非反相输入端
* 3输出
* 4 POSITIV E电源供应
* 5负电源
.SUBCKT TSM2213V 1 3 2 4 5 （模拟）
*************************************
*********************
.MODEL MDTH D是= 1E - 8 KF = 6.564344E - 14 CJO = 10F
*输入级
CIP 2 5 1.000000E - 12
CIN 1 5 1.000000E - 12
EIP 10 5 2 5 1
EIN 16 5 1 5 1
RIP 10 11 6.500000E + 00
RIN 15 16 6.500000E + 00
RIS 11月15日1.271505E + 01
DIP 11 12 MDTH 400E -12
DIN 15 14 MDTH 400E - 12
VOFP 12 13 DC 0.000000E + 00
VOFN 13 14 DC 0
IPOL 13 5 4.000000E -05
CPS 11月15日2.125860E -08
DINN 17 13 MDTH 400E - 12
VIN 17 5 0.000000e + 00
DINR 15 18 MDTH 400E - 12
VIP 4月18日0.000000E + 00
FCP 4 5 VOFP 5.000000E + 00
FCN 5 4 VOFN 5.000000E + 00
*放大级
FIP 5月19日VOFP 2.750000E + 02
FIN 5月19日VOFN 2.750000E + 02
RG1 19 5 1.916825E + 05
RG2 19 4 1.916825E + 05
CC 19 29 2.200000E -08
HZTP 30 29 VOFP 1.3E + 03
HZTN 5月30日VOFN 1.3E + 03
DOPM 19 22 MDTH 400E - 12
DONM 21 19 MDTH 400E - 12
HOPM 22 28 VOUT 3800
VIPM 28 4 150
HONM 21 27 VOUT 3800
VINM 5月27日150
EOUT 26 23 19 5 1
VOUT 23 5 0
ROUT 26 3 75
COUT 3 5 1.000000E - 12
DOP 19 68 MDTH 400E - 12
VOP 4月25日1.724
HSCP 68 25 VSCP1 0.8E8
DON 69 19 MDTH 400E - 12
VON 24 5 1.7419107
HSCN 24 69 VSCN1 0.8E + 08
VSCTHP 60 61 0.0875
** VSCTHP =乐Seuil出版社太子港dessus德VIO * 500
** c.a.d 275U - 000U DUS A L'偏移
DSCP1 61 63 MDTH 400E - 12
VSCP1 63 64 0
ISCP 64 0 1.000000E - 8
DSCP2 0 64 MDTH 400E - 12
DSCN2 0 74 MDTH 400E - 12
ISCN 74 0 1.000000E - 8
VSCN1 73 74 0
DSCN1 71 73 MDTH 400E - 12
VSCTHN 71 70 -0.55
** VSCTHN =乐Seuil出版社太子港DESSOUS德VIO * 2000
** c.a.d -375U - 000U DUS A L'偏移
ESCP 60 0 2 1 500
ESCN 70 0 2 1 -2000
.ENDS
电气特性
V
CC+
=
3V, V
CC-
=
0V ，R
L
,C
L
连接到V
CC
/2, T
AMB
= 25
o
C,
除非另有说明
符号
V
io
A
vd
I
CC
V
ICM
V
OH
V
OL
I
SINK
I
来源
英镑
SR
R
L
= 10k
R
L
= 10k
V
O
= 3V
V
O
= 0V
R
L
= 10kΩ的，C
L
= 100pF的
R
L
= 10kΩ的，C
L
= 100pF的
R
L
= 10k
空载
条件
价值
0
10
415
-0.2 3.2
2.96
30
40
40
0.8
0.3
单位
mV
V / MV
A
V
V
mV
mA
mA
兆赫
V / μs的
5/11
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TODX298
TLE8261E
TDA4725
TMS320DM642AZNZA5
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TSM221
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
上海金庆电子技术有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1484215649 复制 点击这里给我发消息 QQ：729272152 复制

电话：021-51872165/51872153
联系人：张先生/陈小姐
地址：上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
TSM221
SSAC
21+
23000
全新原装 货期两周
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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