r
r
TSL257
高灵敏度
光到电压转换器
TAOS023E
2007年9月
D
光强度转换成输出电压
D
单片硅集成电路含
D
D
单电压电源供电（ 2.7 V至
D
D
D
D
D
5.5 V)
低噪声（ 200
μVRMS
典型1千赫）
轨到轨输出
高电源抑制（35分贝
1千赫）
紧凑型3引线塑料包装
符合RoHS （ -LF包只）
光电二极管，运算放大器，以及
反馈组件
高灵敏度
包装s
SIDELOOKER
（前视图）
包装SM
表面贴装
SIDELOOKER
（前视图）
1
GND
2
V
DD
3
OUT
描述
1
GND
2
V
DD
3
OUT
该TSL257是结合了光电二极管的高灵敏度的低噪声光 - 电压转换器的光学和
互阻放大器一个单片CMOS集成电路上。输出电压是直接
正比于光电二极管的光强（照度） 。该TSL257有320 MΩ一个阻增益。
该装置具有改进的偏移电压的稳定性和低功耗化，以及3导明确供给
塑料sidelooker包有一个整体式透镜。当铅（Pb ）封装免费提供，该设备是
符合RoHS 。
功能框图
+
电压
产量
可选项
设备
TSL257
TSL257
TSL257
T
A
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
包
LEADS
3导Sidelooker
3导Sidelooker - 铅（Pb ）免费
3引脚表面贴装Sidelooker - 铅（Pb ）免费
封装标识
S
S
SM
订购数量
TSL257
TSL257LF
TSL257SMLF
终端功能
终奌站
名字
GND
OUT
V
DD
号
1
3
2
输出电压
电源电压
r
版权
E
2007年， TAOS公司
描述
接地（基体） 。所有电压都参考GND 。
该
LUMENOLOGY
r
公司
得克萨斯高级光电解决方案公司
克莱恩路1001号
S
300套房
S
普莱诺， TX 75074
S
(972) 673-0759
r
www.taosinc.com
1
TSL257
高灵敏度
光到电压转换器
TAOS023E
2007年9月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压，V
DD
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6 V
输出电流，I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
10毫安
短路电流的（或低于）持续时间25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5秒
工作的自由空气的温度范围内，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
25°C
至85℃
存储温度范围，T
英镑
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
25°C
至85℃
铅温度的情况下，10秒（S包） 1.6毫米（ 1/16英寸） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
回流焊，符合J -STD- 020C或J- STD- 020D （ SM包） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注1 ：所有的电压是相对于GND 。
推荐工作条件
民
电源电压，V
DD
经营自由的空气温度，T
A
2.7
0
最大
5.5
70
单位
V
°C
在V电气特性
DD
= 5 V ，T
A
= 25
°
C,
λ
p
= 470纳米，R
L
= 10 k
Ω
（除非另有说明）
（见注2和3）
参数
V
D
V
OM
V
O
α
VD
黑暗的电压
最大输出电压摆幅
输出电压
暗电压的温度系数（V
D
)
E
e
= 0
V
DD
= 4.5 V,
V
DD
= 4.5 V,
T
A
= 0℃至70 ℃的
λ
p
= 428纳米，见注4和8
N
e
辐照响应
λ
p
= 470 nm处，见注5和8
λ
p
= 565纳米，见注6和8
λ
p
= 645纳米，见注7和8
PSRR
I
DD
电源抑制比
第
电源电流
f
ac
= 100赫兹，见注9
f
ac
= 1 kHz时，见注9
E
e
= 1.54
μW /厘米
2
,
λ
p
= 470纳米，注5
空载
R
L
= 10 kΩ
4
1.6
测试条件
民
0
4.49
4.2
2
15
1.18
1.30
1.58
1.68
55
35
1.9
3.5
dB
dB
mA
V / （ μW /厘米
V / （W /厘米
2
)
2.4
典型值
最大
15
单位
mV
V
V
μV/°C
E
e
= 1.54
μW /厘米
2
,
λ
p
= 470纳米，注5
注： 2.测量有R
L
=输出与地之间的10kΩ 。
3.光学测量使用小角度入射辐射从发光二极管（LED）光源进行。
4.输入辐射加到由氮化镓/碳化硅发光二极管具有以下特征：峰值波长
λ
p
= 428纳米，
光谱半宽
Δλ½
= 65纳米。
5.输入辐射被供给通过的InGaN发光二极管具有以下特征：峰值波长
λ
p
= 470纳米，
光谱半宽
Δλ½
= 35纳米。
6.输入辐射被供给通过具有以下特征在GaP发光二极管：峰值波长
λ
p
= 565纳米，
光谱半宽
Δλ½
= 28纳米。
7.输入辐射加到由AlGaAs构成的发光二极管具有以下特征：峰值波长
λ
p
= 645纳米，
光谱半宽
Δλ½
= 25纳米。
8.辐照度响应的特征在于在范围V
O
= 0.1 V至4.5 V的输出电压V的最佳拟合直线
O
与
辐照ê
e
超过这个范围通常都会有一个积极的外推V
O
值对于E
e
= 0.
9.电源抑制比PSRR被定义为20日志（ ΔV
DD
（ F） / ΔV
O
（ F） ）与V
DD
中（f = 0）= 5伏和V
O
中（f = 0）= 2V。
版权
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r
r
该
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r
公司
2
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在V开关特性
DD
= 5 V ，T
A
= 25
°
C,
λ
p
= 470纳米，R
L
= 10千欧（除非另有说明）
参数
t
r
t
f
t
s
输出脉冲的上升时间，10％至90％的最终值
输出脉冲的下降时间，10％至90％的最终值
输出稳定时间的最终值1 ％
积分噪声电压
V
n
输出噪声电压有效值
p
g ,
测试条件
见注10和图1
见注10和图1
见注10和图1
F = DC至1 kHz的
F = 10赫兹
F = 100赫兹
F = 1千赫
注10 ：开关特性在应用范围V
O
= 0.1 V至4.5 V.
E
e
= 0
E
e
= 0
E
e
= 0
E
e
= 0
民
典型值
160
150
330
200
6
6
7
μ
/
μV / √Hz的
RMS
最大
250
250
单位
μs
μs
μs
μVRMS
参数测量信息
V
DD
脉冲
发电机
LED
（见注一）
TSL257
1
测试电路
+
R
L
产量
（见注B）
10%
2
E
e
输入
3
产量
t
r
90%
90%
10%
t
f
电压波形
注：A的输入辐射被供给由脉冲的InGaN发光二极管具有以下特征：
λ
p
= 470纳米，
t
r
＆ LT ; 1
μs,
t
f
＆ LT ; 1
μs.
B的输出波形上具有以下特征的示波器监视：吨
r
＆ LT ;为100 ns ，Z
i
≥
1 MΩ ，C
i
≤
20 pF的。
图1.开关时间
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光到电压转换器
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应用信息
PCB焊盘布局
对于SM表面建议PCB焊盘布局原则贴装封装如图6 。
1.0
1.0
1.0
3.2
1.0
注意事项： A.所有的线性尺寸以毫米为单位。
B.本图如有变更，恕不另行通知。
1.0
图6.建议SM封装的PCB布局
该
LUMENOLOGY
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公司
r
r
版权
E
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5
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