t
TSL250 ， TSL251 ， TSL252
光电压光学传感器
t
TAOS020A - 2001年6月
D
单片硅集成电路含
D
D
光电二极管，运算放大器，以及
反馈组件
光强度转换为电压
高辐照度响应度，通常80
毫伏/ （毫瓦/平方厘米
2
）在
l
p
= 880纳米（ TSL250 ）
紧凑型3含铅透明塑料包装
单电压电源供电
包
（前视图）
1
2
3
D
D
D
低暗（偏移）电压10mV的....
D
低电源电流...... 800
mA
典型
D
宽电源电压范围.... 3 V至9 V
GND V
DD
OUT
停产器件
- 这些设备已经被取代了新的
设备和正在停产。该TSL250 ， TSL251和TSL252有
，取而代之的是TSL250R ， TSL251R和TSL252R分别。
描述
该TSL250 ， TSL251 ，和TSL252是光 - 电压光学传感器，每个组合的光电二极管和一个
跨阻放大器（反馈电阻= 16 MΩ ， 8 MΩ和2 MΩ分别）在一个单片IC上。
输出电压成正比，在光电二极管上的光强（照度） 。这些设备使用
硅栅CMOS技术，它提供了改进的放大器的偏移电压的稳定性和低功耗
消费。
功能框图
–
+
电压
产量
终端功能
终奌站
名字
GND
OUT
V
DD
号
1
3
2
输出电压
电源电压
描述
接地（基体） 。所有电压都参考GND 。
www.taosinc.com
得克萨斯高级光电解决方案公司
木星路800号， 205套房
S
普莱诺， TX 75074
S
(972) 673-0759
t
t
版权
E
2001年， TAOS公司
1
TSL250 ， TSL251 ， TSL252
光电压光学传感器
TAOS020A - 2001年6月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压，V
DD
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 V
输出电流，I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±10
mA
短路电流的持续时间（或低于） 25 ° C（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5秒
工作的自由空气的温度范围内，T
A
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25°C至85°C
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25°C至85°C
铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 240℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注： 1.所有电压都是相对于GND 。
2.输出可能短路提供。
推荐工作条件
民
电源电压，V
DD
经营自由的空气温度，T
A
3
0
喃
5
最大
9
70
单位
V
°C
在V电气特性
DD
= 5 V ，T
A
= 25
°
C,
λ
P = 880纳米，R
L
= 10 k
（除非另有说明）
（见注3 ）
参数
V
D
V
OM
黑暗的电压
最大输出
电压摆幅
TEST
条件
E
e
= 0
E
e
= 2毫瓦/平方厘米
2
E
e
= 25
μW /厘米
2
V
O
UT出来
输出电压
E
e
= 45
μW /厘米
2
E
e
= 285
温度
对COEF网络cient
从UT电压
产量
(V
O
)
辐射
响应
μW /厘米
2
±1
±1
±1
80
900
1600
900
1600
900
1600
A
45
7
毫伏/ （ μW /厘米
2
)
毫伏/°C的
E
e
= 25
μW /厘米
2
,
T
A
= 0℃至70 ℃的
E
e
= 45
μW /厘米
2
,
T
A
= 0℃至70 ℃的
E
e
= 285
μW /厘米
2
,
T
A
= 0℃至70 ℃的
见注4
E
e
= 25
μW /厘米
2
I
DD
电源电流
y
E
e
= 45
μW /厘米
2
E
e
= 285
μW /厘米
2
注： 3.输入辐照度ê
e
通过用GaAlAs的红外线发光二极管提供
λ
p
= 880纳米。
4.辐射响应的特征在于在范围V
O
= 0.05至3V。
3.1
1
TSL250
民
典型值
3
3.5
2
3
1
2
3
1
2
3
V
最大
10
3.1
民
TSL251
典型值
3
3.5
最大
10
3.1
民
TSL252
典型值
3
3.5
最大
10
单位
mV
V
α
vo
N
e
工作特性在T
A
= 25
°
C（参见图1）
TSL250
参数
t
r
t
f
V
n
输出脉冲的上升时间
输出脉冲下降时间
输出噪声电压
测试条件
V
DD
= 5 V,
V
DD
= 5 V,
V
DD
= 5 V,
λ
p
= 880 nm的
λ
p
= 880 nm的
F = 20赫兹
民
典型值
360
360
0.6
最大
民
TSL251
典型值
90
90
0.5
最大
民
TSL252
典型值
7
7
0.4
最大
单位
s
s
μV / √Hz的
版权
E
2001年， TAOS公司
t
www.taosinc.com
2
t
TSL250 ， TSL251 ， TSL252
光电压光学传感器
TAOS020A - 2001年6月
参数测量信息
V
DD
脉冲
发电机
LED
（见注一）
TSL25xR
1
测试电路
–
+
R
L
产量
（见注B）
10%
90%
90%
10%
2
E
e
输入
3
产量
t
r
t
f
电压波形
注：A的输入辐射被供给由脉冲的AlInGaP发光二极管具有以下特征：
λ
p
= 635纳米，
t
r
＆ LT ; 1
s,
t
f
＆ LT ; 1
s.
B的输出波形上具有以下特征的示波器监视：吨
r
＆ LT ;为100 ns ，Z
i
≥
1 MΩ ，C
i
≤
20 pF的。
图1.开关时间
www.taosinc.com
t
版权
E
2001年， TAOS公司
t
3
TSL250 ， TSL251 ， TSL252
光到电压光学传感器
SOES004C - 1991年8月 - 修订1995年11月
D
D
D
D
单片硅集成电路含
光电二极管，运算放大器，以及
反馈组件
光强度转换成输出电压
高辐照度响应度通常
80毫伏/ （ μW /厘米
2
）在
λ
p
= 880纳米（ TSL250 ）
紧凑型3引线透明塑料包装
D
D
D
D
D
低暗（偏移）电压。 。 。 10毫伏
最高25° C，V
DD
= 5 V
单电源供电
宽电源电压范围。 。 。 3 V至9 V
低电源电流。 。 。 800
A
典型的
V
DD
= 5 V
高级LinCMOS技术
描述
该TSL250 ， TSL251 ，和TSL252是光 - 电压光学传感器，每个组合的光电二极管和一个
跨阻放大器（反馈电阻= 16 MΩ ， 8 MΩ和2 MΩ分别）在一个单片IC上。
的输出电压成正比，在光电二极管上的光强（照度） 。这些设备
采用德州仪器硅栅路LinCMOS 技术，该技术提供了改进的放大器的失调电压
稳定性和低功耗。
功能框图
–
+
电压
产量
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压，V
DD
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 V
输出电流，I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
10毫安
短路电流的持续时间（或低于） 25 ° C（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5秒
工作的自由空气的温度范围内，T
A
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 25 ° C至85°C
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 25 ° C至85°C
铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 240℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注： 1.所有电压都是相对于GND 。
2.输出可能短路提供。
推荐工作条件
民
电源电压（VDD）
经营自由的空气温度， TA
3
0
喃
5
最大
9
70
单位
V
°C
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
路LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1995年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
TSL250 ， TSL251 ， TSL252
光到电压光学传感器
SOES004C - 1991年8月 - 修订1995年11月
在V电气特性
DD
= 5 V ，T
A
= 25
°
C,
λ
P = 880纳米，R
L
= 10 k
（除非另有说明）
（见注3 ）
参数
VD
黑暗的电压
TEST
条件
Ee = 0
ee值= 2 mW / cm2的
Ee = 25
μW /厘米
2
Ee = 45
μW /厘米
2
Ee = 285
μW /厘米
2
Ee = 25
μW /厘米
2,
TA = 0 ° C至70℃
Ee = 45
μW /厘米
2,
TA = 0 ° C至70℃
Ee = 285
μW /厘米
2,
TA = 0 ° C至70℃
见注4
Ee = 25
μW /厘米
2
Ee = 45
μW /厘米
2
80
900
1600
900
1600
900
1600
A
45
3.1
1
TSL250
民
典型值
3
3.5
2
3
1
2
3
1
±
1
±
1
±
1
7
mV/(W/cm2)
毫伏/°C的
2
3
V
最大
10
3.1
民
TSL251
典型值
3
3.5
最大
10
3.1
民
TSL252
典型值
3
3.5
最大
10
单位
mV
V
最大输出
VOM
电压摆幅
VO
输出电压
α
vo
温度
TEM erature
对COEF网络cient
输出电压
（ VO）
辐射
响应
Ne
国际直拨电话
电源电流
Ee = 285
μW /厘米
2
注意： 3.输入辐照夷由GaAlAs的红外线发光二极管与供给
λ
P = 880纳米。
4.辐射响应的特征在于在范围VO = 0.05至3V。
工作特性在T
A
= 25
°
C（参见图1）
参数
tr
tf
Vn
输出脉冲的上升时间
输出脉冲下降时间
输出噪声电压
测试条件
VDD = 5V ，
VDD = 5V ，
VDD = 5V ，
λ
P = 880 nm的
λ
P = 880 nm的
F = 20赫兹
TSL250
民
典型值
360
360
0.6
最大
民
TSL251
典型值
90
90
0.5
最大
民
TSL252
典型值
7
7
0.4
最大
单位
s
s
μV / √Hz的
参数测量信息
VDD
脉冲
发电机
IRED
（见注一）
TSL25x
1
测试电路
–
+
RL
产量
（见注B）
10%
90%
90%
10%
2
Ee
输入
3
产量
tr
tf
电压波形
注：A的输入辐射通过脉冲的GaAlAs供给红外线发光二极管具有以下特征：
λ
P = 880纳米，
TR < 1
s,
TF < 1
s.
B的输出波形上具有以下特征的示波器监视：痕量< 100纳秒，滋
≥
1兆赫，慈
≤
20 pF的。
图1.开关时间
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TSL250 ， TSL251 ， TSL252
光到电压光学传感器
SOES004C - 1991年8月 - 修订1995年11月
典型特征
输出电压
vs
辐射
10
VDD = 5 V
λ
P = 880 nm的
空载
TA = 25°C
1
TA = 25°C
0.8
相对响应度
光电二极管光谱响应
TSL250
VO - 输出电压 - V
1
0.6
TSL251
0.1
0.4
TSL252
0.01
0.2
0.001
0.1
1
10
EE - 辐射 -
μW /厘米
2
100
0
300
500
700
900
λ
- 波长 - 纳米
1100
图2
最大输出电压
vs
电源电压
9
VOM - 最大输出电压 - V
8
7
6
ee值= 2.6 mW / cm2的
λ
P = 880 nm的
RL = 10 kΩ的
TA = 25°C
1
科幻gure 3
电源电流
vs
输出电压
I DD - 电源电流 - 毫安
0.8
0.6
5
4
0.4
0.2
3
2
4
5
7
8
6
VDD - 电源电压 - V
9
10
0
0
VDD = 5 V
空载
（ RL =
∞)
TA = 25°C
1
2
3
VO - 输出电压 - V
4
图4
图5
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
3
TSL250 ， TSL251 ， TSL252
光到电压光学传感器
SOES004C - 1991年8月 - 修订1995年11月
典型特征
归一化输出电压
vs
角位移
1
0.8
VO - 归一化输出电压
TSL250
TSL251 ， 252
0.6
0.4
0.2
0
80°
60°
40° 20°
0°
20° 40°
θ
- 角位移
光轴
60°
80°
图6
4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TSL250 ， TSL251 ， TSL252
光到电压光学传感器
SOES004C - 1991年8月 - 修订1995年11月
应用信息
光电二极管/放大器芯片被封装在一个透明的塑料三引线封装。集成的光电二极管有源
面积典型1,0毫米
2
在（ 0.0016
2
）为TSL250 ， 0.5毫米
2
在（ 0.00078
2
）为TSL251 ，和0.26毫米
2
在（ 0.0004
2
)
为TSL252 。
0,75 (0.030)
0,65 (0.026)
2,0 （ 0.079 ） T.P.
2,25 (0.089)
1,75 (0.069)
1,25 (0.049)
0,75 (0.029)
0,635 (0.025)
0,4 (0.016)
1
2
4,0 （ 0.157 ） T.P.
3
销1
销2
3脚
GND
VDD
OUT
1
2
2,05 (0.081)
1,55 (0.061)
3
0,86 (0.034)
0,46 (0.018)
0,65 (0.026)
0,55 (0.022)
15,7 (0.619)
13,2 (0.520)
4,8 (0.189)
4,4 (0.173)
0,85 (0.033)
0,35 (0.014)
0,51 (0.02)
0,385 (0.015)
0,75 (0.030) R
3,05 (0.120)
2,55 (0.100)
4,85 (0.191)
4,35 (0.171)
1,75 (0.069)
1,25 (0.049)
4,35 (0.171)
3,85 (0.152)
5,05 (0.199)
4,55 (0.179)
真实位置安装设备时。
注意事项： A.所有的线性尺寸以毫米（英寸） 。
B.本图如有变更，恕不另行通知。
2,74 (0.108)
2,34 (0.092)
图7.机械数据
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
5
TAOS公司
现
AMS AG
这TAOS数据表的技术含量仍然有效。
联系信息：
总部：
AMS AG
Tobelbaderstrasse 30
8141 Unterpremstaetten ，奥地利
电话： +43 （ 0 ） 3136 500 0
电子信箱：
ams_sales@ams.com
请访问我们的网站：
www.ams.com
r
r
TSL250R ， TSL251R ， TSL252R
光到电压光学传感器
TAOS028H
2007年9月
D
单片硅集成电路含
D
D
D
D
D
D
D
D
D
描述
该TSL250R ， TSL251R和TSL252R是光 - 电压光学传感器，每个组合的光电二极管和
互阻抗放大器（反馈电阻= 16 MΩ ， 8 MΩ ，和2.8 MΩ ）在一个单片
IC 。输出电压成正比，在光电二极管上的光强（照度） 。这些设备
有改善放大器的失调电压的稳定性和低功耗化，以及3导明确供给
塑料sidelooker包有一个整体式透镜。当铅（Pb ）封装免费提供，该设备是
符合RoHS 。
功能框图
可选项
设备
T
A
TSL250R
TSL250R
TSL250R
TSL251R
TSL251R
TSL251R
TSL252R
TSL252R
TSL252R
Te
c
该
LUMENOLOGY
r
公司
hn
一个IC
人米
共s
A
NT摹
en
ts
TIL
1
GND
2
V
DD
3
OUT
+
电压
产量
包
LEADS
封装标识
S
S
S
S
S
S
SM
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
3导Sidelooker
3导Sidelooker - 铅（Pb ）免费
3导Sidelooker
3引脚表面贴装Sidelooker - 铅（Pb ）免费
3导Sidelooker - 铅（Pb ）免费
3导Sidelooker
3导Sidelooker - 铅（Pb ）免费
3引脚表面贴装Sidelooker - 铅（Pb ）免费
SM
3引脚表面贴装Sidelooker - 铅（Pb ）免费
SM
得克萨斯高级光电解决方案公司
克莱恩路1001号
S
300套房
S
普莱诺， TX 75074
S
(972) 673-0759
r
www.taosinc.com
1
r
lv
TSL250R
TSL250RLF
TSL251R
TSL251RLF
TSL252R
TSL252RLF
低暗（偏移）电压.... 10毫伏最大
低电源电流...... 1.1毫安典型
宽电源电压范围.... 2.7 V至5.5 V
替代TSL250 ， TSL251和
TSL252
符合RoHS （ -LF包只）
1
GND
al
2
V
DD
3
OUT
订购数量
TSL250RSMLF
TSL251RSMLF
TSL252RSMLF
版权
E
2007年， TAOS公司
id
光电二极管，运算放大器，以及
反馈组件
光强度转换为电压
高辐照度响应度，通常
137毫伏/ （毫瓦/平方厘米
2
）在
l
p
= 635纳米（ TSL250R ）
紧凑的3引脚透明塑料包装
单电压电源供电
包装s
SIDELOOKER
（前视图）
包装SM
表面贴装
SIDELOOKER
（前视图）
TSL250R ， TSL251R ， TSL252R
光到电压光学传感器
TAOS028H
2007年9月
终端功能
终奌站
名字
GND
OUT
V
DD
号
1
3
2
输出电压
电源电压
描述
接地（基体） 。所有电压都参考GND 。
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注： 1.所有电压都是相对于GND 。
2.输出可能短路提供。
推荐工作条件
电源电压，V
DD
hn
一个IC
人米
共s
A
NT摹
en
ts
TIL
民
喃
2.7
0
r
r
www.taosinc.com
电源电压，V
DD
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6 V
输出电流，I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
10毫安
短路电流的持续时间（或低于） 25 ° C（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5秒
工作的自由空气的温度范围内，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
25°C
至85℃
存储温度范围，T
英镑
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
25°C
至85℃
铅温度的情况下，10秒（S包） 1.6毫米（ 1/16英寸） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
回流焊，符合J -STD- 020C或J- STD- 020D （ SM包） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
经营自由的空气温度，T
A
Te
c
版权
E
2007年， TAOS公司
该
LUMENOLOGY
r
公司
2
lv
最大
5.5
70
V
al
单位
°C
id
TSL250R ， TSL251R ， TSL252R
光到电压光学传感器
TAOS028H
2007年9月
在V电气特性
DD
= 5 V ，T
A
= 25
°
C,
λ
p值= 635毫微米，R
L
= 10 k
Ω
（除非另有说明）
（见注3 ，图4和5）
参数
V
D
V
OM
黑暗的电压
最大输出
电压
输出电压
TEST
条件
E
e
= 0
V
DD
= 4.5 V
E
e
= 14.6
μW /厘米
2
V
O
E
e
= 38.5
E
e
= 196
μW /厘米
2
μW /厘米
2
1.6
0.08
1.6
0.08
TSL250R
民
0
3.0
1.5
典型值
4
3.3
2
2.5
1.5
2
2.5
1.5
2
2.5
最大
10
民
0
3.0
TSL251R
典型值
4
3.3
最大
10
民
0
3.0
TSL252R
典型值
4
3.3
最大
10
单位
mV
α
vo
hn
一个IC
人米
共s
A
NT摹
en
ts
TIL
0.08
10.2
9.4
λ
p
= 635纳米，
见注5和7
λ
p
= 880纳米，
见注6和7
E
e
= 14.6
μW /厘米
2
E
e
= 38.5
μW /厘米
2
E
e
= 196
μW /厘米
2
137
127
1.1
52
48
1.7
1.1
1.7
1.1
测试条件
TSL250R
典型值
260
260
0.8
TSL251R
典型值
70
70
民
最大
民
最大
民
V
DD
= 5 V,
V
DD
= 5 V,
λ
p
= 635 nm的
λ
p
= 635 nm的
E
e
= 0,
V
DD
= 5 V,
F = 1000赫兹
0.7
r
r
www.taosinc.com
温度
对COEF网络cient
输出电压
p
g
(V
O
)
E
e
= 38.5
μW /厘米
2
,
T
A
= 0℃至70 ℃的
E
e
= 196
μW /厘米
2
,
T
A
= 0℃至70 ℃的
N
e
辐射
响应
I
DD
电源电流
第
lv
1.6
1.7
TSL252R
典型值
7
7
最大
0.6
E
e
= 14.6
μW /厘米
2
,
T
A
= 0℃至70 ℃的
注：3 。
4.
5.
6.
7.
测量时有R
L
=输出与地之间的10kΩ 。
光学测量利用小角度入射辐射从LED光源制成。
输入辐照度ê
e
由的AlInGaP峰值波长的LED供应
λ
p
= 635 nm的
输入辐照度ê
e
由GaAlAs的LED提供的峰值波长
λ
p
= 880 nm的
辐照的响应，其特征在于在范围V
O
= 0.05 2.9 V的输出电压V的最佳拟合直线
O
与
辐照ê
e
超过这个范围通常都会有一个积极的外推V
O
值对于E
e
= 0.
在T动力特性
A
= 25
°
C（参见图1）
参数
t
r
t
f
V
n
输出脉冲的上升时间
输出脉冲下降时间
输出噪声电压
Te
c
该
LUMENOLOGY
r
公司
al
毫伏/°C的
%/°C
%/°C
%/°C
毫伏/°C的
毫伏/°C的
毫伏/ （ μW /厘米
毫伏/ （瓦/厘米
2
)
mA
单位
μs
μs
μV / √Hz的
版权
E
2007年， TAOS公司
id
V
3
V
TSL250R ， TSL251R ， TSL252R
光到电压光学传感器
TAOS028H
2007年9月
参数测量信息
V
DD
脉冲
发电机
LED
（见注一）
TSL25xR
1
测试电路
+
R
L
产量
（见注B）
10%
2
E
e
输入
3
产量
t
r
90%
90%
10%
t
f
注：A的输入辐射被供给由脉冲的AlInGaP发光二极管具有以下特征：
λ
p
= 635纳米，
t
r
＆ LT ; 1
μs,
t
f
＆ LT ; 1
μs.
图1.开关时间
Te
c
版权
E
2007年， TAOS公司
4
hn
一个IC
人米
共s
A
NT摹
en
ts
TIL
典型特征
归一化输出电压
vs
角位移
1
0.8
VO
归一化输出电压
TSL252R
TSL251R
TSL250R
0.6
0.4
0.2
0
80°
60°
40° 20°
0°
20° 40°
θ
角位移
光轴
60°
80°
图2
r
r
该
LUMENOLOGY
r
公司
www.taosinc.com
lv
B的输出波形上具有以下特征的示波器监视：吨
r
＆ LT ;为100 ns ，Z
i
≥
1 MΩ ，C
i
≤
20 pF的。
al
电压波形
id
QQ：2881677436 复制
